[三极管]完全自保护MOSFET功率器件分析
为了提高系统可靠性并降低保修成本，设计人员在功率器件中加入故障保护电路，以免器件发生故障，避免对电子系统造成高代价的损害。这通常利用外部传感器、分立电路和软件来实现，但是在更多情况下，设计人员使用完全自保护的MOSFET功率器件来完成。随着技术的发展，MOSFET功率器件能够以更低的系统成本提供优异的故障保护。图1显示了完全自保护MOSFET的一般拓扑结构。这些器件常见的其他特性包括状态指示、数字输入、差分输入和过压及欠压切断。高端配置包括片上电荷泵功能。但是，大多数器件都具备三个电路模块，即电流限制、温度限
[三极管]低VCEsat双极结晶体管和MOSFET的
新型低VCEsat BJT技术为传统的平面MOSFET(电流介于500mA与5A之间的应用)提供了一种可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于设计人员设计出成本更低、更具竞争优势的产品。便携式产品(如手机、数码照相机、数码摄像机、DVD播放器、MP3播放器和个人数字助理)的设计人员一直面临着压力，既要缩减材料成本，又不能影响产品的性能，这对设计人员而言是真正的挑战，因为他们既要增加产品新特性，又不能对电池使用寿命产生负面影响。大多数便携式产品正向着集成电源管理单元(PMU)电路的方向发展，这种电路专为控制产品中的不同功能
[二极管]快速恢复二极管CMF02A应对车载电源设计挑战
快速恢复二极管 模拟工程师们都知道，在使用MOSFET搭建电路时，常常需要搭配使用快速恢复二极管（FRD），因为该二极管的反向恢复时间几乎为零，瞬间内即可使开关截止，能够防止由于关断反应速度过慢带来的上下管同时导通而出现的烧片现象。 针对电子设计需要的高电压、高效率、低功耗、反向恢复快的应用需求越来越广泛，东芝推出的采用硅扩散结工艺的快速恢复二极管CMF02A，符合AEC-Q101车规级认证标准，采用表面贴装封装，可以满足小空间的安装要求，实现更高的功率密度。 FRD 器件的基本特性 CMF02A是一款具有高速开关用途的
[电源管理]使用集成MOSFET限制电流的简单方法
电子电路中的电流通常必须受到限制。例如在USB端口中，必须防止电流过大，以便为电路提供可靠的保护。同样在充电宝中，必须防止电池放电。放电电流过高会导致电池的压降太大和下游设备的供电电压不足。因此，通常需要将电流限制在一个特定值。大多数功率转换器都有过流限制器，以保护其免受额外电流造成的损坏。在一些DC-DC转换器中，甚至可以调整阈值。 图1. 每个端口输出电流为1 A的充电宝中的电流限制。在图1中，还可以使用具有内置甚至可调节限流器的DC-DC升压转换器。在这种情况下，无需额外的限流器模块。不过，也有许多应用在电源通
[传感技术]Nexperia（安世半导体）发布具备市场领先效率的晶圆级12和30V MOSFET
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日宣布推出 PMCB60XN 和 PMCB60XNE 30V N 沟道小信号 Trench MOSFET，该产品采用超紧凑晶圆级 DSN1006 封装，具有市场领先的 RDS(on) 特性，在空间受限和电池续航运行至关重要的情况下，可使电力更为持久。新型 MOSFET 非常适合智能手机、智能手表、助听器和耳机等高度小型化电子产品，迎合了更智能、功能更丰富的趋势，满足了增加系统功耗的需求。RDS(on) 与竞争器件相比性能提升了 25%，可最大限度降低能耗，提高负载开关和电池管理效率。其卓越的性能
[传感技术]Nexperia鍙戝竷鍏峰甯傚満棰嗗厛鏁堢巼鐨勬櫠鍦嗙骇12鍜?30V MOSFET
濂堟浜紝2022骞?7鏈?27鏃ワ細鍩虹鍗婂浣?鍣ㄤ欢棰嗗煙鐨勯珮浜ц兘鐢熶骇涓撳Nexperia浠婂ぉ瀹ｅ竷鎺ㄥ嚭PMCB60XN鍜孭MCB60XNE 30V N娌熼亾灏忎俊鍙稵rench MOSFET锛岃浜у搧閲囩敤瓒呯揣鍑戞櫠鍦嗙骇DSN1006灏佽锛屽叿鏈夊競鍦洪鍏堢殑RDS(on)鐗规?э紝鍦ㄧ┖闂村彈闄愬拰鐢垫睜缁埅杩愯鑷冲叧閲嶈鐨勬儏鍐典笅锛屽彲浣跨數鍔涙洿涓烘寔涔呫?? ?RFNOMTAxMCAtIHYwMi5qcGc=" width="500" height="357" border="0"
[传感技术]UnitedSiC（现为 Qorvo）针对电源设计扩展更高性能和效率的750V SiC FET 产品组合
Qorvo?今天宣布推出采用表面贴装 D2PAK-7L 封装的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET，借助此封装选项，Qorvo 的 SiC FET可为车载充电器、软开关 DC/DC 转换器、电池充电（快速 DC 和工业）以及IT/服务器电源等快速增长的应用量身定制，能够为在热增强型封装中实现更高效率、低传导损耗和卓越成本效益的高功率应用提供更佳解决方案。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202207/436686.htmQorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 时具有9mΩ的业界更低 RDS(on)，其额定值分别为 9、11、18、23、33、44 和 60mΩ。这
[传感技术]Nexperia发布具备市场领先效率的晶圆级12和30V MOSFET
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N沟道小信号Trench MOSFET，该产品采用超紧凑晶圆级DSN1006封装，具有市场领先的RDS(on)特性，在空间受限和电池续航运行至关重要的情况下，可使电力更为持久。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202207/436697.htm新型MOSFET非常适合智能手机、智能手表、助听器和耳机等高度小型化电子产品，迎合了更智能、功能更丰富的趋势，满足了增加系统功耗的需求。?RDS(on)与竞争器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高负
[传感技术]Nexperia发布具备市场领先效率的晶圆级12和30V MOSFET
? ? ? ?2022年7月27日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N沟道小信号Trench MOSFET，该产品采用超紧凑晶圆级DSN1006封装，具有市场领先的RDS(on)特性，在空间受限和电池续航运行至关重要的情况下，可使电力更为持久。? ? ? ?新型MOSFET非常适合智能手机、智能手表、助听器和耳机等高度小型化电子产品，迎合了更智能、功能更丰富的趋势，满足了增加系统功耗的需求。 RDS(on)与竞争器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高负
[传感技术]Get a Lifetime of Web Hosting for Less Than $50
Running a website is essential for businesses in today's digital world. But not only is building a website often time-consuming and difficult, it also gets to be very expensive. Between paying a web designer and developer and web hosting fees, keeping your website going can feel like an overwhelming investment. DoRoyal That's why it's crucial to find high-quality web hosting at an afforda
[传感技术]从FinFET到CFET：imec提出1nm器件新架构
imec 研究人员发现了有关“互补 FET”的新发现，这是一种适用于 1nm 逻辑技术节点及以上节点的有吸引力的器件架构。在 forksheet 场效应晶体管 (FET) 中，nFET 和pFET 被集成到相同的结构中，并由绝缘壁隔开。这种方法导致金属间距窄至 16 nm，这对于具有低轨道高度的高性能单元设计来说太低了。imec研究人员在其2022 年 VLSI 论文中强调了这一挑战，介绍了一种互补 FET (CFET) 架构。他们还报告了改进的工艺流程如何使顺序 CFET 比单片CFET 更有前景。值得注意的是
[传感技术]Nexperia发布超小尺寸DFN MOSFET
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封装的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已经提供采用该封装的ESD保护器件，如今更进一步，Nexperia成功地将该封装技术运用到MOSFET产品组合中，成为行业竞争的领跑者。该系列小型MOSFET包括： 本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202207/435954.htm?新一代可穿戴设备和可听戴设备正在融入新的人工智能(AI)和机器学习(ML)技术，这为产品设计带来了若干挑战。首先，随着功能的增加，可供使用的电路板空间变得十分宝贵，另外
[传感技术]Nexperia发布超小尺寸DFN MOSFET
? ? 基础半导体器件领域的高产能生产zhuan家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封装的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已经提供采用该封装的ESD保护器件，如今更进一步，Nexperia成功地将该封装技术运用到MOSFET产品组合中，成为行业竞争的领跑者。该系列小型MOSFET包括： ? ? 新一代可穿戴设备和可听戴设备正在融入新的人工智能(AI)和机器学习(ML)技术，这为产品设计带来了若干挑战。首先，随着功能的增加，可供使用的电路板空间变得十分宝贵，另外，随着功耗的
[传感技术]MBCFET，三星突破3nm的关键技术！
以往每当有新的个人计算机处理器（CPU）上市时，大家总会特别注意效能，好比跟上一代处理器相比效能增加了多少、执行软件的时间缩短了多少。然而自从AMD在2019年发表具备Zen 2架构的处理器，以及苹果在2020年发表具备ARM架构的M1处理器之后，大家的目光似乎渐渐从处理器的“效能”转到了”效率”，越来越多人检视处理器的效率，究竟是为什么？要回答这个问题，得先了解处理器”效率”的定义。处理器的效率可以用Performance Per Watt（每瓦电力可以产生的效能）来衡
[传感技术]OPA1641-Q1是单路汽车 Sound-Plus 高性能、JFET 输入音频运算放大器
产品详情描述：OPA1641-Q1（单路）和 OPA1642-Q1（双路）系列是 JFET 输入、超低失真、低噪声AD8015AR运算放大器 (op amps)，完全适用于音频应用。轨到轨输出摆幅允许增加动态余量，使这些器件非常适合用于任何音频电路。特性包括 5.1nV/ √Hz噪声、低总谐波失真 + 噪声 (THD+N) (0.00005%)、2 pA 的低输入偏置电流和每通道 1.8 mA 的低静态电流。这些器件在 ±2.25V 至 ±18V 的极宽电源电压范围内工作。OPA164x-Q1 系列运算放大器具有单位增益稳定性，并在各种负载条件下提供出色的动态行为。双版本具有完全独立
[传感技术]豪威集团发布业内最低内阻双N沟道MOSFET
? ? 电源管理系统要实现高能源转换效率、完善可靠的故障保护，离不开高性能的开关器件。近日，豪威集团全新推出两款MOSFET：业内zui低内阻双N沟道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N沟道MOSFET WNM6008。? ? WNMD2196A 超低Rss(ON)，专为手机锂电池保护设计? ? 近几年，手机快充技术飞速发展，峰值充电功率屡创新高。在极大地缓解消费者电量焦虑的同时，高功率充电下的安全问题不容小觑。MOSFET在电池包装中起到安全保护开关的作用，其本身对功率的损耗也必须足够低才能满足高效、低发热
[传感技术]豪威集团发布业内最低内阻双N沟道MOSFET
电源管理系统要实现高能源转换效率、完善可靠的故障保护，离不开高性能的开关器件。近日，豪威集团全新推出两款MOSFET：业内最低内阻双N沟道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N沟道MOSFET WNM6008。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202206/435677.htm??WNMD2196A 超低Rss(ON)，专为手机锂电池保护设计近几年，手机快充技术飞速发展，峰值充电功率屡创新高。在极大地缓解消费者电量焦虑的同时，高功率充电下的安全问题不容小觑。MOSFET在电池包装中起到安全保护开关的作用，其本身对功率的损耗也必须足够低才能
[传感技术]豪威集团发布业内最低内阻双N沟道MOSFET
电源管理系统要实现高能源转换效率、完善可靠的故障保护，离不开高性能的开关器件。近日，豪威集团全新推出两款MOSFET：业内最低内阻双N沟道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N沟道MOSFET WNM6008。WNMD2196A超低Rss（ON），专为手机锂电池保护设计近几年，手机快充技术飞速发展，峰值充电功率屡创新高。在极大地缓解消费者电量焦虑的同时，高功率充电下的安全问题不容小觑。MOSFET在电池包装中起到安全保护开关的作用，其本身对功率的损耗也必须足够低才能满足高效、低发热的要求。双N沟道增强型M
