[传感技术]意法半导体推出全新MDmesh MOSFET,提高功率密度和能效
意法半导体的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N沟道超结多漏极功率MOSFET晶体管非常适用于设计数据中心服务器、5G基础设施、平板电视机的开关式电源 (SMPS)。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202205/434197.htm首批上市的两款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。两款产品的单位面积导通电阻(RDS(on))都非常低，可以极大程度提高功率密度，并有助于缩减系统尺寸。两款产品的最大导通电阻(RDS(on)max)都处于同类领先水平，STP65N045M9 为 45mΩ，STP60N043DM9 为 43mΩ。由于栅极电荷 (Qg)非常低，在
[传感技术]UnitedSiC宣布推出行业先进的高性能 1200 V 第四代 SiC FET
5 月 17 日 – 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo?（纳斯达克代码：QRVO）今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 系列，该系列具有出色的导通电阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常适用于主流的 800V 总线架构，这种架构常见于电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC/DC 太阳能逆变器、焊接机、不间断电源和感应加热等应用。 UnitedSiC/Qorvo 功率器件总工程师 Anup Bhalla 表
[传感技术]Nexperia推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合
? ? 基础半导体器件领域的zhuan家Nexperia推出了用于自动化安全气囊应用的专用MOSFET (ASFET)新产品组合，重点发布的BUK9M20-60EL为单N沟道60 V、13 mOhm导通内阻、逻辑控制电平MOSFET，应用于LFPAK33封装。ASFET是专门为用于某一应用而设计并优化的MOSFET。此产品组合是Nexperia为电池隔离、电机控制、热插拔和以太网供电(PoE)应用提供的一系列ASFET中的zui新产品。 ? ? BUK9M20-60EL采用Nexperia的新型增强安全工作区(SOA)技术，此技术是专为提供出色的瞬态线性模式性
[传感技术]UnitedSiC(现名Qorvo)宣布推出具有业界出众品质因数的1200V第四代SiC FET
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中?RF?解决方案的领先供应商?Qorvo?近日宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）系列，这些产品在导通电阻方面具备业界出众的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常适合主流的800V总线结构，这种结构常见于电动车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、直流太阳能逆变器、焊机、不间断电源和感应加热应用。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202205/433999.htmUnitedSiC（即Qorvo）功率器件总工程师Anup Bhalla称：“性能较高的第四代产品
[传感技术]UnitedSiC（现名Qorvo）宣布推出具有业界出众品质因数的1200V第四代SiC FET
2022年5月11日 – 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo?（纳斯达克代码：QRVO）宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）系列，这些产品在导通电阻方面具备业界出众的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常适合主流的800V总线结构，这种结构常见于电动车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、直流太阳能逆变器、焊机、不间断电源和感应加热应用。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202205/434003.htm图：TO-247-4LUnitedSiC（即Qorvo）功率
[传感技术]SN74CB3T3383 是具有电平转换器的 3.3V、交叉点/交换、10 通道 FET 总线开关
产品详情描述：SN74CB3T3383 是一款高速 TTL 兼容 FET 总线交换开关，具有低导通电阻 (ron)，可实现最小传播延迟。该器件通过提供跟踪 VCC 的AD5555CRU电压转换器，完全支持所有数据 I/O 端口上的混合模式信号操作。 SN74CB3T3383 支持使用 5V TTL、3.3V LVTTL 和 2.5V CMOS 开关标准以及用户定义的开关电平的系统。SN74CB3T3383 被组织为一个 10 位总线开关或一个具有启用 (BE)\ 输入的 5 位总线交换。当用作 5 位总线交换时，该器件提供四个信号端口之间的数据交换。当 BE\ 为低电平时，总线交换开关打开，选择输
[传感技术]Nexperia推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合
2022年5月12日：基础半导体器件领域的专家Nexperia推出了用于自动化安全气囊应用的专用MOSFET (ASFET)新产品组合，重点发布的BUK9M20-60EL为单N沟道60 V、13 mOhm导通内阻、逻辑控制电平MOSFET，应用于LFPAK33封装。ASFET是专门为用于某一应用而设计并优化的MOSFET。此产品组合是Nexperia为电池隔离、电机控制、热插拔和以太网供电(PoE)应用提供的一系列ASFET中的最新产品。?BUK9M20-60EL采用Nexperia的新型增强安全工作区(SOA)技术，此技术是专为提供出色的瞬态线性模式性能（安全气囊应用中
[传感技术]安森美推出quan球首款TOLL封装650 V碳化硅MOSFET
? ? ling先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，在PCIM Europe展会发布quan球首款To-Leadless (TOLL) 封装的碳化硅 (SiC) MOSFET。该晶体管满足了对适合高功率密度设计的高性能开关器件迅速增长的需求。直到zui近，SiC器件一直采用明显需要更大空间的D2PAK 7引脚封装。 ? ? TOLL 封装的尺寸仅为 9.90 mm x 11.68 mm，比 D2PAK 封装的PCB 面积节省30%。而且，它的外形只有 2.30 mm，比 D2PAK 封装的体积小 60%。? ? 除了更小尺寸之外，TOL
[传感技术]安森美推出全球首款TOLL封装650 V碳化硅MOSFET
安森美推出全球首款TOLL封装650 V碳化硅MOSFET 5月11日，领先于智能电源和智能感知技术的安森美，在PCIM Europe展会发布全球首款To-Leadless (TOLL) 封装的碳化硅?(SiC) MOSFET。该晶体管满足了对适合高功率密度设计的高性能开关器件迅速增长的需求。直到最近，SiC器件一直采用明显需要更大空间的D2PAK 7引脚封装。TOLL封装的尺寸仅为?9.90 mm x 11.68 mm，比?D2PAK 封装的PCB 面积节省30%。而且，它的外形只有?2.30 mm，比?D2PAK 封装的体积小?60%。除
[传感技术]捷捷微电：部分车规级SGT MOSFETs产品已在已实现车用
捷捷微电：部分车规级SGT MOSFETs产品已在已实现车用 5月10日，捷捷微电在投资者互动平台表示，公司聚焦新能源汽车和智能电网等应用，推出多款MOSFET新产品，在新能源汽车、光伏及储能等新能源行业市场空间巨大。目前公司有近50款车规级SGT MOSFETs产品，部分产品已在新能源车上实现车用，另外，部分MOSFET产品也可应用于光伏逆变器及BMS电源管理领域，未来公司将重点拓展三大市场：汽车电子、电源类及工业类，努力提高这几个领域的产品占比。捷捷微电
[传感技术]UnitedSiC（现名Qorvo）宣布推出具有业界出众品质因数的1200V第四代SiC FET
2022年5月11日 – 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中?RF?解决方案的领先供应商?Qorvo?（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）系列，这些产品在导通电阻方面具备业界出众的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常适合主流的800V总线结构，这种结构常见于电动车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、直流太阳能逆变器、焊机、不间断电源和感应加热应用。UnitedSiC（即Qorvo）功率器件总工程师Anup Bhalla称：“性能较高的第四代产
[传感技术]英飞凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片，以增强特性进一步提高系统能效
英飞凌科技股份公司近日发布了一项全新的CoolSiC?技术，即CoolSiC? MOSFET 1200 V M1H。这款先进的碳化硅（SiC）芯片用于颇受欢迎的Easy模块系列，以及采用基于.XT互连技术的分立式封装，具有非常广泛的产品组合。M1H芯片具有很高的灵活性，适用于必须满足峰值电力需求的太阳能系统，如光伏逆变器。同时，这款芯片也是电动汽车快充、储能系统和其他工业应用的理想选择。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202205/433905.htmCoolSiC技术取得的最新进展使得栅极驱动电压窗口明显增大，从而降低了既定芯片面积
[传感技术]安森美推出全球首款TOLL封装650 V碳化硅MOSFET
2022年5月11日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，在PCIM Europe展会发布全球首款To-Leadless (TOLL) 封装的碳化硅 (SiC) MOSFET。该晶体管满足了对适合高功率密度设计的高性能开关器件迅速增长的需求。直到最近，SiC器件一直采用明显需要更大空间的D2PAK 7引脚封装。TOLL 封装的尺寸仅为9.90 mm x 11.68 mm，比 D2PAK 封装的PCB 面积节省30%。而且，它的外形只有 2.30 mm，比 D2PAK 封装的体积小 60%。 除了更小尺寸之外，TOLL 封装还提供比D2PAK 7 引脚更好的热性能
[传感技术]OPA653是500MHz、+2V/V 固定增益、JFET 输入放大器
产品详情描述：OPA653 将超宽带电压反馈运算放大器与具有内部增益设置电阻器的 JFET 输入级相结合，以实现 +2-V/V 或 –1-V/V 固定增益的超高动态范围AQW612EH放大器的应用程序。+2V/V 带宽的 500MHz 宽增益与非常高的 2675V/μs 压摆率和快速建立时间相辅相成，使其成为时域和脉冲导向应用的理想选择。10 MHz 时出色的 –72-dBc THD 失真性能使 OPA653 成为频域和 FFT 分析应用的绝佳选择。此外，凭借 6.1nV/√Hz 的低电压噪声、低偏置电流和高阻抗 JFET 输入，它支持极低噪声、宽带、高输入阻抗应用。 示例包括
[传感技术]英飞凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片，以增强特性进一步提高系统能效
英飞凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片，以增强特性进一步提高系统能效 5月10日，英飞凌科技股份公司发布了一项全新的CoolSiC?技术，即CoolSiC? MOSFET 1200 V M1H。这款先进的碳化硅（SiC）芯片用于颇受欢迎的Easy模块系列，以及采用基于.XT互连技术的分立式封装，具有非常广泛的产品组合。M1H芯片具有很高的灵活性，适用于必须满足峰值电力需求的太阳能系统，如光伏逆变器。同时，这款芯片也是电动汽车快充、储能系统和其他工业应用的理想选择。C
[传感技术]OPA818 是 2.7GHz、高电压、FET 输入、低噪声运算放大器
产品详情描述：OPA818 是一款适用于高速和宽动态范围应用的去补偿电压反馈运算ALZ11B05放大器。 OPA818 具有低噪声结型栅极场效应晶体管 (JFET) 输入级，该输入级结合了高增益带宽和 6 V 至 13 V 的宽电源范围。1400 V/μs 的快速压摆率提供了高大信号带宽和低失真。该放大器采用德州仪器 (TI) 专有的高速硅锗 (SiGe) 工艺制造，与其他高速 FET 输入放大器相比，性能显着提高。OPA818 是一款用途极其广泛的宽带 TIA 光电二极管放大器，用于光学测试和通信设备以及许多医疗、科学和工业仪器。 OPA818 展示了 2.7 GHz
[传感技术]OPA4141是四、10 mhz、单供应,低噪声,JFET精密放大器
产品详情描述：OPA2141, OPA141和OPA4141放大器的家人是一系列的低功耗JFET输入放大器特性良好的漂移和低输入偏置电流。 轨到轨输出摆和输入范围,包括V -允许设计人员利用JFET放大器的低噪声特性,同时连接到现代,单电源、精密数模转换器(adc)和AAT4900IGV-T1数模转换器(dac)。OPA141达到10 mhz单位增益带宽和20 v /μs转换速率而只消耗1.8 ma (typ)的静态电流。 它运行在一个4.5到36 v供应或双±2.25 v ±18 v供应。所有版本完全指定从-40°C到+ 125°C 在最具挑战性的环境中使用。 OPA141(单个)和OPA2141(双)版本
[传感技术]贸泽电子开售Qorvo旗下UnitedSiC的UF3N170400B7S 1700V SiC JFET
? ? 提供超丰富半导体和电子元器件的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货 UnitedSiC（现已被Qorvo?收购）的UF3N170400B7S JFET。UF3N170400B7S是一款高性能的第三代碳化硅 (SiC) 常开JFET，为过流保护电路、DC-AC逆变器、开关电源 、功率因数校正模块、电机驱动和感应加热等应用提供了理想解决方案。 ? ? 贸泽分销的UF3N170400B7S是一种开关速度超快且与温度无关的JFET，具有超低导通电阻 (RDS(ON)) 和栅极电荷 (QG)，以及低传导和开关损
[传感技术]贸泽电子开售Qorvo旗下UnitedSiC的UF3N170400B7S 1700V SiC JFET
提供超丰富半导体和电子元器件?的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货 UnitedSiC（现已被Qorvo?收购）的UF3N170400B7S JFET。UF3N170400B7S是一款高性能的第三代碳化硅 (SiC) 常开JFET，为过流保护电路、DC-AC逆变器、开关电源 、功率因数校正模块、电机驱动和感应加热等应用提供了理想解决方案。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202205/433701.htm?贸泽分销的UF3N170400B7S是一种开关速度超快且与温度无关的JFET，具有超低导通电阻 (RDS(ON)) 和栅极电荷 (QG)，以及
[传感技术]超50家芯片大厂更新Q2产品交期！含MCU、模拟芯片、存储芯片、Mosfet、连接器……
近期，智能手机、PC、笔电、电视等的需求明显降温，终端出货目标遭下调，消费电子砍单消息满天飞。砍单陆续引发产业链震动，上游面板、驱动IC、MCU、电源管理IC等一系列链条难逃冲击，甚至有消息称连经销商更是急于降价抛货清库存。?但车用等领域的需求仍十分强劲，且中国疫情反复和战争因素给产业链带来变数，如车用MCU大厂意法半导体在中国深圳的工厂因防疫封锁而损失了两周的产量，德州仪器由于市场需求受抑制、客户工厂停工，更是下调Q2收入预期10%。?可以说，当下整个大环境仍处于杂音纷扰的、不确定的状态，不少
