[传感技术]意法半导体推出40V STripFET F8 MOSFET晶体管，具备更好的节能降噪特性
? ? 意法半导体40V MOSFET晶体管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低导通电阻和开关损耗，同时优化体寄生二极管特性，降低功率转换、电机控制和配电电路的能耗和噪声。 ? ? 新型 40V N 沟道增强型 MOSFET 利用最新一代 STPOWER STripFET F8 氧化物填充沟槽技术实现卓越的品质因数。在栅源电压 (VGS)为 10V 时，STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG的最大导通电阻 (Rds(on))分别为 0.8毫欧和和0.75毫欧。新MOSFET的裸片单位面积(Rds(on))电阻非常低，因此可以采用节省空间且热效率高的
[传感技术]意法半导体推出40V STripFET F8 MOSFET晶体管，具备更好的节能降噪特性
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202206/435479.htm意法半导体40V MOSFET晶体管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低导通电阻和开关损耗，同时优化体寄生二极管特性，降低功率转换、电机控制和配电电路的能耗和噪声。新型 40V N 沟道增强型 MOSFET 利用最新一代 STPOWER STripFET F8 氧化物填充沟槽技术实现卓越的品质因数。在栅源电压 (VGS)为 10V 时，STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG的最大导通电阻 (Rds(on))分别为 0.8毫欧和和0.75毫欧。新MOSFET的裸片单位面积(Rds(on))电阻非常低，因此可以采用节省空
[传感技术]马来西亚缺工1.5万！功率元件大厂被迫停工，订单流失
随着疫情影响层面不断扩大，马来西亚大闹缺工，当地芯片业人力缺口更高达1.5万人，厂商被迫停接新订单，MOSET等功率元件供应更吃紧。路透报导．由于严重缺工，马来西亚芯片业人力缺口估计达1.5万人，对全球芯片短缺情况有如雪上加霜。相关业者和外交人员则说，马来西亚因新冠肺炎疫情而缓召外借劳工的禁令，虽已于2月解除，但政府核准进度迟缓，与印尼和孟加拉就劳工保障的谈判又一再拖延，外借移工迟迟无法大量回流，导致马来西亚大缺工。业界周知，马来西亚是全球半导体生产重镇，英飞凌、安森美及意法半导体、恩智浦
[传感技术]碳化硅“上车”，究竟有多“卷”？
? ? 如今，碳化硅“上车”已成为新能源汽车产业难以绕开的话题，而这要归功于搭载意法半导体碳化硅器件的特斯拉Model 3的问世，使诸多半导体企业在碳化硅上“卷”了起来。? ? 2021年9月，特斯拉宣布旗舰车型Model 3将搭载意法半导体的碳化硅功率器件，此举奠定了碳化硅“上车”的里程碑。意法半导体作为第一个吃螃蟹的占尽先机，成为当前碳化硅功率器件市场的主要玩家。? ? 汽车功率半导体领域龙头老大英飞凌，凭借其广阔的车企朋友圈，抢下大量碳化硅功率器件订单，已成为意法半导
[传感技术]碳化硅“上车”，究竟有多“卷”？
如今，碳化硅“上车”已成为新能源汽车产业难以绕开的话题，而这要归功于搭载意法半导体碳化硅器件的特斯拉Model 3的问世，使诸多半导体企业在碳化硅上“卷”了起来。2021年9月，特斯拉宣布旗舰车型Model 3将搭载意法半导体的碳化硅功率器件，此举奠定了碳化硅“上车”的里程碑。意法半导体作为第一个吃螃蟹的占尽先机，成为当前碳化硅功率器件市场的主要玩家。汽车功率半导体领域龙头老大英飞凌，凭借其广阔的车企朋友圈，抢下大量碳化硅功率器件订单，已成为意法半导体的头号劲敌。Wolfspeed、罗姆、安森
[传感技术]碳化硅“上车”，究竟有多“卷”？
如今，碳化硅“上车”已成为新能源汽车产业难以绕开的话题，而这要归功于搭载意法半导体碳化硅器件的特斯拉Model 3的问世，使诸多半导体企业在碳化硅上“卷”了起来。2021年9月，特斯拉宣布旗舰车型Model 3将搭载意法半导体的碳化硅功率器件，此举奠定了碳化硅“上车”的里程碑。意法半导体作为第一个吃螃蟹的占尽先机，成为当前碳化硅功率器件市场的主要玩家。汽车功率半导体领域龙头老大英飞凌，凭借其广阔的车企朋友圈，抢下大量碳化硅功率器件订单，已成为意法半导体的头号劲敌。Wolfspeed、罗姆、安森美等“后起之
[传感技术]贸泽备货UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET 为各类电源应用提供更好的支持
2022年6月9日 – 提供超丰富半导体和电子元器件?的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始分销UnitedSiC(现已被Qorvo?收购)的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作为广泛的高性能SiC FET系列产品，此第四代器件具有出色的导通电阻特性，适用于主流800V总线架构中的电源解决方案，如电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC-DC太阳能逆变器等应用。贸泽电子分销的UF4C/SC SiC FET为设计人员提供了多种导通电阻和封装选项。1200 V SiC FET的导通电阻 (RDS(on)) 值为
[传感技术]贸泽备货UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET
? ? 提供超丰富半导体和电子元器件?的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始分销UnitedSiC（现已被Qorvo?收购）的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作为广泛的高性能SiC FET系列产品，此第四代器件具有出色的导通电阻特性，适用于主流800V总线架构中的电源解决方案，如电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC-DC太阳能逆变器等应用。 ? ? 贸泽电子分销的UF4C/SC SiC FET为设计人员提供了多种导通电阻和封装选项。1200 V SiC
[传感技术]展商|真茂佳携MOSFET产品系列助力电机产业
随着充电桩、光伏逆变、电机控制等领域的大功率应用，MOSFET产品的要求被大大提高。真茂佳作为深耕功率半导体器件领域的企业，其产品的主要应用领域包括汽车、电机驱动、大功率电源、新能源逆变、BMS等。即将在6月10日举行的2022’中国电机智造与创新应用暨电机产业链交流会(春季)上，真茂佳将会带来四个系列的可应用于电机领域MOSFET产品方案亮相。届时，欢迎到真茂佳展台就MOSFET产品方案进行交流。真茂佳展示产品一览关于真茂佳深圳真茂佳半导体有限公司是一家以技术、市场为导向技术领先的功率半导体国家高新技术
[传感技术]贸泽备货UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET，为各类电源应用提供更好的支持
提供超丰富半导体和电子元器件?的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始分销UnitedSiC（现已被Qorvo?收购）的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作为广泛的高性能SiC FET系列产品，此第四代器件具有出色的导通电阻特性，适用于主流800V总线架构中的电源解决方案，如电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC-DC太阳能逆变器等应用。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202206/434994.htm?贸泽电子分销的UF4C/SC SiC FET为设计人员提供了多种导通电阻和封装选项
[传感技术]台积电确认：2nm转向纳米片，未来看好CFET
据外媒eetimes报道，台积电早前与少数几家媒体分享了其工艺路线图。按照他们所说，台积电将在2025年推出使用纳米片晶体管的2nm工艺。而展望未来，代工厂正在评估CFET等工艺技术，以将其当作纳米片的“接班人”。按照台积电业务发展副总裁 Kevin Zhang介绍，CFET是一个选择，且目前还处于研发阶段，所以他也不能提供其任何时间表。台积电的技术路线图显示，他们正在研究的新材料包括二硫化钨等。Kevin Zhang则指出，这种材料提供了更好的传导性和更节能的计算。他同时还补充说，台积电还在评估中的是碳纳米管，
[传感技术]台积电确认：2nm转向纳米片，未来看好CFET
据外媒eetimes报道，台积电早前与少数几家媒体分享了其工艺路线图。按照他们所说，台积电将在2025年推出使用纳米片晶体管的2nm工艺。而展望未来，代工厂正在评估CFET等工艺技术，以将其当作纳米片的“接班人”。 按照台积电业务发展副总裁 Kevin Zhang介绍，CFET是一个选择，且目前还处于研发阶段，所以他也不能提供其任何时间表。 台积电的技术路线图显示，他们正在研究的新材料包括二硫化钨等。Kevin Zhang则指出，这种材料提供了更好的传导性和更节能的计算。他同时还补充说，台
[传感技术]东芝推出五款新型MOSFET栅极驱动IC，助力移动电子设备小型化
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在其TCK42xG系列MOSFET栅极驱动IC产品中新增五款适用于可穿戴设备等移动电子设备的产品。该系列的新产品配备了过电压锁定功能，能根据输入电压控制外部MOSFET的栅极电压。?? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202206/434900.htm?新产品具体包括：用于24V电源线的“TCK420G”；用于12V电源线的“TCK422G”和“TCK423G”；用于9V电源线的“TCK424G”；以及用于5V电源线的“TCK425G”。与已经推出的用于
[传感技术]西线无战事，碳化硅五巨头的硝烟
毋庸置疑，碳化硅已经成为了半导体行业，特别是功率半导体细分市场的那个“远方”。行业老对手和新玩家纷纷涌入，加倍下注（double down）这个新兴市场。其中不但有射频大厂Qorvo跨界收购UnitedSiC，还有三安、露笑等投资百亿试图赶超。如火如荼的场景不禁让人联想到百年前列强签订《五国关于限制海军军备条约》前的场景。 前有美英法意日五大强国的海军博弈，今有意（法半导体 STMicroelectronics）、英（飞凌科技 Infineon）、美（国Wolfspeed）、日（本罗姆 Rohm）和安（森美 onse
[传感技术]Diodes 公司 PowerDI8080 封装的 MOSFET 提升现代汽车应用功率密度
? ? Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布推出创新高电流、高热效率且符合电动车 (EV) 产品应用需求的功率封装 PowerDI?8080-5。PowerDI8080-5 封装的首款产品为 DMTH4M70SPGWQ，在 10V 闸极驱动下，此款符合汽车规格的 40V MOSFET 典型 RDS(ON) 仅为 0.54mΩ，闸极电荷为 117nC。如此领先业界的效能使汽车高功率 BLDC 马达驱动器、DC-DC 转换器及充电系统的设计人员能大幅提升系统效率，同时确保将功耗维持在绝对最低水平。 ? ? PowerDI?8080-5 封装的 PCB 面积为 64mm
[传感技术]不用第三代半导体，如何实现更高的功率密度？
1984 年，我有幸与尊敬的 Rudy Severns 一起环游了欧洲，为 Siliconix 传授新技术。我是一名年轻的应用工程师，当时的新技术是硅功率 MOSFET。工程师那时在他们的开关电源中使用双极晶体管，Rudy 在他的“先进功率 MOSFET 研讨会”上指出了硅 (Si) MOSFET 的许多优点，它可提高开关频率并降低功耗。Rudy 讨论了如何正确使用和应用它们，以及在切换电感负载时如何处理各种 dV/dt 故障模式。 那是 37 年前的事了。快进到 2021 年：我们也遇到了类似的情况，多家初创型公司和大型
[传感技术]HDPlex发布全球最小GaN FET ATX电源 只比iPhone大一丢丢
这主要得益于内部电路使用了独特、高效的车规级GaN FET(氮化镓场效应晶体管)，同时还有一体化平板变压器、9000uF固态电容、150uF红宝石电容。如果觉得不够用，还可以两个并联起来，输出500W。接口也不少，包括一个24针ATX、一个8针EPS、三个SATA、一个MOLEX、两个6+2针PCIe。价格145美元，约合人民币980元。
[传感技术]不用第三代半导体，如何实现更高的功率密度？
1984 年，我有幸与尊敬的 Rudy Severns 一起环游了欧洲，为 Siliconix 传授新技术。我是一名年轻的应用工程师，当时的新技术是硅功率 MOSFET。工程师那时在他们的开关电源中使用双极晶体管，Rudy 在他的“先进功率 MOSFET 研讨会”上指出了硅 (Si) MOSFET 的许多优点，它可提高开关频率并降低功耗。Rudy 讨论了如何正确使用和应用它们，以及在切换电感负载时如何处理各种 dV/dt 故障模式。 那是 37 年前的事了。快进到 2021 年：我们也遇到了类似的情况，多家初创型公司和大型
[传感技术]意法半导体推出全新MDmesh MOSFET，提高功率密度和能效
? ? 意法半导体的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N沟道超结多漏极功率MOSFET晶体管非常适用于设计数据中心服务器、5G基础设施、平板电视机的开关式电源 (SMPS)。 ? ? 首批上市的两款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。两款产品的单位面积导通电阻(RDS(on))都非常低，可以极大程度提高功率密度，并有助于缩减系统尺寸。两款产品的最大导通电阻(RDS(on)max)都处于同类领先水平，STP65N045M9 为 45mΩ，STP60N043DM9 为 43mΩ。由于栅极电荷 (Qg)非常低，在 400V 漏极电压
[传感技术]UnitedSiC推出第四代1200V碳化硅FET，实现全方位FoM领先
2021年底，Qorvo收购了碳化硅(SiC)供应商UnitedSiC，并进入包括电动汽车 (EV)、工业电源控制、可再生能源和数据中心电源系统市场。彼时，UnitedSiC刚刚推出第四代750V SiC FET，拥有业界最低RDS(on)以及超强的短路耐受能力。日前，UnitedSiC扩充了其第四代SiC产品线，推出1200V系列产品，从而应对用户的新需求。UnitedSiC FAE经理Richard Chen表示，随着功率不断提高，并且还要保持较低损耗，汽车电子和工业应用的母线电压正越来越多的从400V向800V迁移，这给了SiC更好的发展空间。根据咨询机构Yole Developpe
