[场效应管]场效应管mosfet的工作原理
要使增强型N沟道MOSFET工作，要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压VDS，则产生正向工作电流ID。改变VGS的电压可控制工作电流ID。如图3所示（上面↑）。若先不接VGS(即VGS=0)，在D与S极之间加一正电压VDS，漏极D与衬底之间的PN结处于反向，因此漏源之间不能导电。如果在栅极G与源极S之间加一电压VGS。此时可以将栅极与衬底看作电容器的两个极板，而氧化物绝缘层作为电容器的介质。当加上VGS时，在绝缘层和栅极界面上感应出正电荷，而在绝缘层和P型衬底界面上感应出负电荷(如图3)。这层感应的负电荷和P型衬底中的多数载流子(空穴)的
[场效应管]mosfet和igbt的区别
mosfet和igbt的主要区别MOSFET全称功率场效应晶体管，它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。MOSFET的优点：热稳定性好、安全工作区大。MOSFET的缺点：击穿电压低，工作电流小。IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。IGBT的主要优点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。
[Vishay威世]Vishay推出业内最小-20V P沟道Gen III MOSFET
日前，Vishay宣布，推出业界首款采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT®封装尺寸的-20V器件---Si8851EDB，扩展其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix Si8851EDB是为在移动计算设备中提高效率和节省空间而设计的，在-4.5V和-2.5V栅极驱动下分别具有8.0mΩ和11.0mΩ的极低导通电阻。 Si8851EDB把P沟道Gen III技术与MICRO FOOT的无封装CSP技术，以及30pin设计和引脚布局结合在一起，在给定的面积内提供了尽可能低的导通电阻。与最接近的2mm x 2mm x 0.8mm器件相比，S
[Vishay威世]Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻
日前，Vishay宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET可提高便携式计算和工业控制设备中的电源效率，是-4.5V和-2.5V栅极驱动下具有业内最低导通电阻的-12V和-20V器件，占位面积为3.0mm x 1.9mm x 3.3mm。 Si5411EDU、Si5415AEDU和SiSS23DN适用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、工业传感器和POL模块里的电源管理等各种应用中的负载、电池和监控开关。器件的低导通电阻使设计者能够在其电路里
[电源管理]Vishay 首款通过AEC-Q101认证的非对称封装双芯片MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通过AEC-Q101认证的采用非对称PowerPAK® SO-8L封装的新款40V双芯片N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的这两款器件可用于车载应用，把高效同步DC/DC降压转换器所需的高边和低边MOSFET都组合进小尺寸5mm x 6mm封装里，比使用分立MOSFET的方案节省空间，低边MOSFET的最大导通电阻低至6.4mΩ。今天发布的这些MOSFET是业内首批通过汽车级认证的采用非对称封装的双芯片MOSFET，为降低传导损耗，增大了低边MOSFET的尺寸。器件可在+175℃高温下工作，具有
[动态•观察]优化变换器的FET开关以改善能量效率
在计算和消费电子产品中，很多部分的效率已经有了显著的提高，重点是AC/DC转换上。不过，随着80 PLUS，Climate Savers以及EnergyStar 5等规范的出现，设计人员开始认识到，AC/DC和DC/DC功率系统都需要改进。AC/DC平均系统效率在65%左右，而DC/DC平均系统效率为80%，所以不难理解为什么大家侧重于AC/DC系统。不过，现在应该重新检查DC/DC系统，找出改善效率的新方法。计算、通信和消费应用系统中的DC/DC负责转换、管理并分配功率，为显卡、处理器芯片以及内存等功能提供电能，而所有这些功能都面临着提高性能的需求，因此对更高的效率的需求
