[传感技术]安森美推出采用创新Top Cool封装的MOSFET
领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布推出新系列MOSFET器件，采用创新的顶部冷却，帮助设计人员解决具挑战的汽车应用，特别是电机控制和DC-DC转换。?新的Top Cool器件采用TCPAK57封装，尺寸仅5mm x 7mm，在顶部有一个16.5?mm2的热焊盘，可以将热量直接散发到散热器上，而不是通过传统的印刷电路板（以下简称“PCB”）散热。采用TCPAK57封装能充分使用PCB的两面，减少PCB发热，从而提高功率密度。新设计的可靠性更高从而增
[传感技术]通过转向1700V SiC MOSFET，无需考虑功率转换中的权衡问题
高压功率系统设计人员努力满足硅MOSFET和IGBT用户对持续创新的需求。基于硅的解决方案在效率和可靠性方面通常无法兼得，也不能满足如今在尺寸、重量和成本方面极具挑战性的要求。不过，随着高压碳化硅（SiC）MOSFET的推出，设计人员现在有机会在提高性能的同时，应对所有其他挑战。?在过去20年间，额定电压介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越来越高，如今的1700V?SiC产品便是在其成功的基础上打造而成。技术的进步推动终端设备取得了极大的发展；如今，随着额
[传感技术]对“碳化硅JFETs原子探针层析成像”探讨
去年TechInsights通过一系列博客展示了电气特性的力量，对于揭示碳化硅器件规格书远远不能提供的碳化硅器件特性。分析半导体掺杂的技术多种多样，例如： 扫描式电容显微镜（SCM?），我们经常将它包含在我们的功耗报告中，这为我们提供了大面积的相对掺杂物分析。 扫描式电阻测定（SRP）和二次离子质谱（SIMS）可以给出定量分析，但是尺寸有限。宽度小于1μm的掺杂浓度的绝对值很难辨别。 原子探针层析成像（APT）是一种非常适合小面积分析的技术，它允许在原子
[传感技术]车规碳化硅功率模块——衬底和外延篇
中国汽车工业协会最新数据显示，2022年1月至11月，新能源汽车产销分别完成625.3万辆和606.7万辆，同比均增长1倍，市场占有率达到25%。由此可见新能源汽车的发展已经进入了快车道。在这里我们注意到，由于里程焦虑和快速充电的要求，800V 电池母线系统获得了不少的OEM或者Tier1的青睐。谈到800V母线系统，让我们聚焦到其中的核心功率器件碳化硅功率模块，由于碳化硅得天独厚的优势，使得它非常适合用来制造高耐压、高结温、高速的MOSFET，这三高恰好契合了800V母线系统对于核心的功率器件的要求。安森美(onsemi)非常看好
[传感技术]如何为汽车智能配电系统选择功率开关管
今天，车企正在加快汽车技术创新步伐，开发出了电动汽车、网联汽车、自动驾驶汽车、共享汽车等全新的汽车概念。汽车电动化和数字化的大趋势包括区域控制架构、功率芯片驱动数字化、电池管理系统、功率电子和电源/能源管理。电控单元 (ECU)对更大功率、更高安全性的需求日益增长，推动系统设计人员去开发智能配电解决方案。智能配电概念是一项非常成熟的技术，已经被传统燃油车配电解决方案所采用。智能配电子系统开始用于开发高可靠性、高能效的配电解决方案，这极大地影响了 ECU电控单元中的配电概念，意味
[电源管理]Transphorm推出六款可与e－mode设备实现引脚对引脚兼容的SuperGaN FET产品
【导读】Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)是一家提供高可靠性、高性能氮化镓（GaN）功率转换产品的领军企业和全球供应商。公司宣布推出六款表面贴装器件（SMD），采用行业标准PQFN 5x6和8x8封装。这些SMD提供Transphorm专利SuperGaN? d-mode双开关常闭式平台所带来的可靠性和性能优势，并采用为竞品e-mode GaN器件常用的封装配置。因此，这六款设备可在e-mode GaN解决方案中轻松用作第一设计源，或用作引脚对引脚兼容的插拔式替换和/或第二来源。 Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)是一家提供高可靠性、高性能氮化镓（GaN）
[电源管理]Nexperia推出支持低压和高压应用的E-mode GAN FET
【导读】基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode（增强型）功率GaN FET。Nexperia在其级联型氮化镓产品系列上增加了七款新型E-mode器件，从GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia丰富的产品组合能为设计人员提供最佳的选择。 Nexperia的新产品包括五款额定电压为650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至190 mΩ之间），提供DFN 5x6 mm和DFN 8x8 mm两种封装。这些产品可在高电压(<650 V)、低功率的数据通讯/电信、消费类充
[电源管理]EPC新推基于GaN FET的150 ARMS电机驱动器参考设计
【导读】宜普电源转换公司(EPC)新推EPC9186，这是一款采用EPC2302 eGaN?FET的三相BLDC电机驱动逆变器。EPC9186支持14 V~ 80 V的宽输入直流电压。大功率EPC9186支持电动滑板车、小型电动汽车、农业机械、叉车和大功率无人机等应用。 基于氮化镓器件的EPC9186逆变器参考设计增强了高功率应用的电机系统性能、精度、扭矩和可实现更长的续航里程。 宜普电源转换公司(EPC)新推EPC9186，这是一款采用EPC2302 eGaN?FET的三相BLDC电机驱动逆变器。EPC9186支持14 V~ 80 V的宽输入直流电压。大功率EPC9186支持电动滑
[电源管理]三菱电机开始提供集成SBD的SiC-MOSFET模块样品
【导读】三菱电机宣布将于5月31日开始提供一款新型集成SBD*1的SiC*2-MOSFET*3模块样品，该半桥模块额定电压为3.3kV，绝缘耐压为6.0kVrms。将有助于为铁路、电力系统及大型工业变流系统提供更大功率密度、更高效率和可靠性。该产品正在PCIM Europe 2023（5月9-11日，德国纽伦堡）上展出。 3.3kV 集成SBD SiC-MOSFET 模块 近年来，为降低全球社会范围内的碳排放，功率半导体器件正越来越多地被用于高效电力变换场合，特别是在重工业中，这些器件被用于变流器设备，如轨道牵引中的变流系统和直流输电系
[电源管理]基本半导体发布第二代碳化硅MOSFET系列新品
【导读】5月9-11日，基本半导体再度亮相全球最大功率半导体展会——PCIM Europe 2023，在德国纽伦堡正式发布第二代碳化硅MOSFET新品。新一代产品性能大幅提升，产品类型进一步丰富，助力新能源汽车、直流快充、光伏储能、工业电源、通信电源等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。 碳化硅MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能，是目前电力电子领域最受关注的宽禁带功率半导体器件。在电力电子系统中应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件，可提高功率回路开关频率，提升系统效率及功率密度，降低
[电源管理]英飞凌推出面向汽车应用的新型 OptiMOS 7 40V MOSFET系列
【导读】英飞凌科技股份公司推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作为英飞凌最新一代面向汽车应用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多种无引脚、坚固的功率封装。该系列产品采用了 300 毫米薄晶圆技术和创新的封装，相比于其它采用微型封装的器件，具有显著的性能优势。 英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作为英飞凌最新一代面向汽车应用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多种无引脚、坚固的功率封装。该系列产品采用了 300 毫米薄晶圆技术和创
[电源管理]EPC GaN FET配以ADI控制器可实现最高功率密度稳压DC/DC转换器
【导读】宜普电源转换公司(EPC)和Analog Devices(ADI)公司携手新推的参考设计采用经过全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC的氮化镓场效应晶体管，可实现超过96.5%的效率。 宜普电源转换公司(EPC)宣布新推EPC9158，这是一款工作在500 kHz开关频率的双输出同步降压转换器参考设计，可将48 V~54 V的输入电压转换为12 V稳压输出，可提供高达每相25 A电流或50 A总连续电流。ADI的新型LTC7890同步氮化镓降压控制器与EPC的超高效GaN FET相结合，可为高功率密度应用提供占板面积小且非常高效的解决方案。该解决方案
[电源管理]东芝推出具有更低导通电阻的小型化超薄封装共漏极MOSFET
【导读】中国上海，2023年5月18日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”，该器件可用于移动设备锂离子（Li-ion）电池组中的电池保护电路。该产品于今日开始支持批量出货。 锂离子电池组依靠高度稳定的保护电路来减少充放电时产生的热量，以提高安全性。这些电路必须具有低功耗和高密度封装的特性，同时要求MOSFET小巧纤薄，且具有更低的导通电阻。 SSM14N956L采用东芝专用的微加工工艺，已经发布的SSM10N954L也采
[电源管理]意法半导体发布100V工业级STripFET F8晶体管
【导读】意法半导体的STL120N10F8 N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on)，优值系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40% 2023年5月24日， 意法半导体的STL120N10F8 N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on)，优值系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40%。 新推出的MOSFET利用ST的STPOWER STripFET F8先进技术，引入氧化物填充沟槽工艺，集极低的导通损耗和低栅极电荷于一身，实现高效的开关性能。因此，STL120N10F8的最大导通电阻 RDS(on)为
[电源管理]SMPD先进绝缘封装充分发挥SiC MOSFET优势
【导读】SMPD可用于标准拓扑结构，如降压、升压、桥臂(phase-leg)，甚至是定制的组合。它们可用于各种技术产品，如Si/SiC MOSFET、IGBT、二极管、晶闸管、三端双向可控硅，或定制组合，具有从40V到3000V不同电压等级。 ISOPLUS - SMPD 及其优势 SMPD代表表面安装功率器件(Surface Mount Power Device)，是先进的顶部散热绝缘封装，由IXYS（现在是Littelfuse公司的一部分）在2012年开发。SMPD只有硬币大小，具有几项关键优势： · 集成DCB绝缘，可在功率和温度循环下提供最佳的可靠性。 · IXYS专有DCB结构具有最低2.5kV绝缘电压。 ·
[电源管理]如何利用1200 V EliteSiC MOSFET 模块，打造充电更快的车载充电器？
【导读】要能快速高效地为电动车更大的电池充电，电动车才能在市场普及并发展。2021 年，市场上排名前 12 位的电动汽车的平均电池容量为 80 kW-hr。消费者主要在家中使用车辆的车载充电器(OBC) 进行充电。为确保合理的车辆充电时间，OEM 还将 OBC 的功率容量从 6.6 kW 提高到 11 kW，甚至高达 22 kW。使用 6.6 kW OBC 时，这些电动汽车需要 12.1 小时才能充满电。而将 OBC 功率增加到 11 kW 后，充电时间缩短至 7.3 小时，而使用 22 kW OBC 时，只需 3.6 小时即可充满电。 早期的电动汽车 (EV) 由于难以存储足够的能量来驱动强大的主驱电机
[互连技术]采用增强互连封装技术的1200 V SiC MOSFET单管设计高能效焊机
【导读】近年来，为了更好地实现自然资源可持续利用，需要更多节能产品，因此，关于焊机能效的强制性规定应运而生。经改进的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200 V采用基于.XT扩散焊技术的TO-247封装，其非常规封装和热设计方法通过改良设计提高了能效和功率密度。 “引言” 近年来，为了更好地实现自然资源可持续利用，需要更多节能产品，因此，关于焊机能效的强制性规定应运而生。经改进的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200 V采用基于.XT扩散焊技术的TO-247封装，其非常规封装和热设计方法通过改良设计提高了能效和功率密度。 文：英飞凌科技高级应用工
[电源管理]MOSFET电路不可不知
【导读】MOSFET已成为最常用的三端器件，给电子电路界带来了一场革命。没有MOSFET，现在集成电路的设计似乎是不可能的。 它们非常小，制造过程非常简单。由于MOSFET的特性，模拟电路和数字电路都成功地实现了集成电路，MOSFET电路可以从大信号模型小信号模型两种方式进行分析。 大信号模型是非线性的。它用于求解器件电流和电压的de值。小信号模型可以在大信号模型线性化的基础上推导出来。截止区、三极管区和饱和区是MOSFET的三个工作区。当栅源电压(VGS)小于阈值电压(Vtn)时，器件处于截止区。当MOSFET用作放大器时，它工作在饱和区。
[电源管理]采用SiC MOSFET的3kW图腾柱无桥PFC和次级端稳压LLC电源
【导读】节能标准和客户需求正在推动更高效率和更小尺寸的电源解决方案，对标准ACDC电源进行功率因数校正 (PFC) 的要求日益普遍，通过减少谐波含量引起的电力线损耗，从而降低对交流电网基础设施的压力。而设计紧凑高效的 PFC 电源是一个复杂的开发挑战。 节能标准和客户需求正在推动更高效率和更小尺寸的电源解决方案，对标准ACDC电源进行功率因数校正 (PFC) 的要求日益普遍，通过减少谐波含量引起的电力线损耗，从而降低对交流电网基础设施的压力。而设计紧凑高效的 PFC 电源是一个复杂的开发挑战。 本文将讨论3kW PFC单相交流输入电源的
[电源管理]Nexperia推出首批80 V和100 V热插拔专用MOSFET(ASFET)
【导读】基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V热插拔专用MOSFET(ASFET)，该系列产品采用紧凑型8x8 mm LFPAK88封装，且具有增强安全工作区(SOA)的特性。这些新型ASFET针对要求严格的热插拔和软启动应用进行了全面优化，可在175°C下工作，适用于先进的电信和计算设备。 凭借数十年开发先进晶圆和封装解决方案所积累的专业知识，Nexperia推出的这款PSMN2R3-100SSE（100 V，2.3 m N沟道ASFET）作为其产品组合中的首选，在紧凑的8x8 mm封装尺寸中兼顾低RDS(on)和强大线性模
