[电源管理]使用开尔文连接提高 SiC FET 的开关效率
【导读】碳化硅 (SiC) 等宽带隙器件可实现能够保持高功率密度的晶体管，但需要使用低热阻封装，比如 TO-247。然而，此类封装的连接往往会导致较高的电感。阅读本博文，了解如何谨慎使用开尔文连接技术以解决电感问题。 这篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 发布，该公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家领先的碳化硅 (SiC) 功率半导体制造商，它的加入促使 Qorvo 将业务扩展到电动汽车 (EV)、工业电源、电路保护、可再生能源和数据中心电源等快速增长的市场。 物理现象既会带来优势，也会产生弊端
[互连技术]三极管用饱和Rce，而MOSFET用饱和Vds？
【导读】MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而MOSFET用饱和Vds呢？MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而MOSFET用饱和Vds呢？三极管ON状态时工作于饱和区，导通电流Ice主要由Ib与Vce决定，由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能简单的仅 由Vce来决定，即不能采用饱和Rce来表示（因Rce会变化）。由于饱和状态下Vce较小，所以三极管一般用饱和Vc
[EMI/EMC]尽可能地降低 SiC FET 的电磁干扰和开关损耗
【导读】您如何在提高开关速度和增加设计复杂度之间寻求平衡？本博客文章将讨论此类权衡考量，并提供了一种更高效的方法，有助于您克服设计挑战并充分发挥 SiC 器件潜力。 这篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 发布，该公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家领先的碳化硅 (SiC) 功率半导体制造商，它的加入促使 Qorvo 将业务扩展到电动汽车 (EV)、工业电源、电路保护、可再生能源和数据中心电源等快速增长的市场。 随着人们对高效率、高功率密度和系统简单性的需求不断增长，碳化硅 (SiC) FET 因其
[传感技术]LM25183-Q1是具有 65V、2.5A 集成 MOSFET 的汽车 42VIN 无光反激式转换器
产品详情描述：LM25183-Q1 是一款初级侧稳压 (PSR) 反激式转换器，在 4.5V 至 42V 的宽输入电压范围内具有高效率。隔离输出电压从初级侧反激电压采样。高集成度实现了简单、可靠和高密度的设计，只有一个组件穿过隔离栅。边界导通模式 (BCM) 开关可实现紧凑的磁性解决方案以及优于 ±1.5% 的负载和线路调节性能。一个集成的 65V 功率 MOSFET 提供高达 10W 的输出功率，并为线路瞬态提供了增强的裕量。LM25183-Q1 通过可选功能简化了隔离式 DC/DC 电源的实施，以优化目标终端设备的性能。输出电压由一个电阻器设置，
[传感技术]OPA817是800MHz、高精度、单位增益稳定、FET 输入运算放大器
产品详情描述：OPA817 是一款单位增益稳定的电压反馈运算放大器，适用于高速、高精度和宽动态范围应用。OPA817 具有低噪声结型栅极场效应晶体管 (JFET) 输入级，具有 390MHz 的宽增益带宽和 6V 至 12.6V 的电源范围。当在高速数字化仪、有源探头和其他测试和测量应用中用作高阻抗缓冲器时，970V/μs 的快速压摆率允许宽大信号带宽和低失真。OPA817 提供 ±250μV 的极低输入失调电压和 ±4μV/°C 的失调电压漂移。皮安级的输入偏置电流和低输入电压噪声 (4.5nV/√Hz) 相结合，使 OPA817 成为光学测试和通信设备以
[传感技术]三安光电：碳化硅MOSFET车规级与新能源汽车重点客户的合作已取得重大突破
三安光电在互动平台表示，目前公司碳化硅MOSFET工业级产品已送样客户验证，车规级产品正配合多家车企做流片设计及测试，碳化硅MOSFET车规级与新能源汽车重点客户的合作已经取得重大突破，各种产品的出货客户在持续增加，公司相信随着业务的快速发展，股价也将会随之上涨。
[传感技术]UnitedSiC（现已被 Qorvo收购）为功率设计扩展高性能且高效的750V SiC FET产品组合
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo?, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表贴 D2PAK-7L 封装的 750V 碳化硅 (SiC) FET。凭借该封装方案，Qorvo 的 SiC FET 针对快速增长的车载充电器、软开关 DC/DC 转换器、电池充电（快速 DC 和工业）和 IT/服务器电源应用实现量身定制。它们采用热性能增强型封装，为需求最大效率、低传导损失和高性价比的高功耗应用提供理想解决方案。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202208/436988.htm在 650/750V 状态下，第四
[传感技术]LM66100-Q1是具有集成 FET 的汽车类 1.5V 至 5.5V、1.5A、0.5μA IQ 理想二极管
产品详情描述：LM66100-Q1 是一款单输入、单输出 (SISO) 集成理想二极管，非常适合各种应用。该器件包含一个 P 沟道 MOSFET，可在 1.5 V 至 5.5 V 的输入电压范围内工作，并可支持 1.5 A 的最大连续电流。芯片使能通过将CE引脚电压与输入电压进行比较来工作。当CE引脚电压高于 VIN 时，器件禁用，MOSFET 关闭。当CE引脚电压较低时，MOSFET 导通。LM66100-Q1 还带有反极性保护 (RPP)，可以保护设备免受错误接线输入的影响，例如电池反接。两个 LM66100-Q1 器件可用于类似于双二极管 ORing 实施的 ORing 配置。在这种
[传感技术]Cloud-Based IoT Technology For Added School Safety
Illustration: ? IoT For All The safety of students, teachers, and faculty members has become a priority nationwide, and IoT technology provides ways that educational campuses can improve their security measures while addressing the unique difficulties of school safety. For example, visitors, paren
[传感技术]宽带间隙设备提高了电动汽车和机器人的移动性和自主性
近年来，随着氮化镓成本的下降，（GaN）和碳化硅（SiC）在这些应用中，设备等宽带间隙半导体已成为越来越流行的硅开关替代品。碳化硅技术被广泛认为是硅的可靠替代品，通常被使用TO-247和TO-现有项目中的220封装可直接更换MOSFET和IGBT。汽车和工业电子产品需要高性能的解决方案，在提供能源效率和可靠性的同时降低设备尺寸。近年来，随着氮化镓成本的下降，（GaN）和碳化硅（SiC）在这些应用中，设备等宽带间隙半导体已成为越来越流行的硅开关替代品。GaN逆变器、电压转换器和快速充电设备是开关最流行的应用。GaNF
[传感技术]力拚台积电押宝3纳米GAAFET技术，三星3年内良率成关键
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202208/437338.htm韩国媒体表示，韩国三星计划3年内创建GAAFET技术3纳米节点，成为芯片代工业界的游戏规则破坏者，追上全球芯片代工龙头台积电。《BusinessKorea》指出，GAAFET技术是新时代制程，改善半导体晶体管结构，使栅极接触晶体管所有四面，而不是目前FinFET制程三面，使GAAFET技术生产芯片比FinFET更精确控制电流。市场研究调查机构TrendForce报告指出，2021年第四季台积电全球芯片代工产业以高达52.1%市场占有率狠甩韩国三星，为了追上台积电，三星押注GAAFET技
[传感技术]Diodes 公司的 40V 额定电压符合汽车规格的同步降压转换器支持高效运行并降低 EMI
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布其符合汽车规格的 DC-DC 转换器系列又添新成员。 AP64060Q 是一款 600mA 的同步降压转换器器件，输入电压范围为 4.5V 至 40V。它集成了了 600mΩ 的高侧功率 MOSFET 和 300mΩ 的低侧功率 MOSFET，可提供高效的降压转换 (效率达 90%)，且占用的 PCB 机板空间最小。AP64060Q 专门设计用于汽车动力系统、信息娱乐系统和仪表组件，以及用于车辆的外部照明。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202208/437620.htmAP64060Q 具有非常低的静态电流 (IQ)，通常仅为 90μA，
[传感技术]用于汽车负载应用的上桥 SmartFET 驱动器
上桥 SmartFET 因其易于使用和高水平的保护而越来越受欢迎。与标准 MOSFET 一样，SmartFET 非常适合各种汽车应用。它们的区别在于内置在上桥 SmartFET 器件中的控制电路。控制电路持续监控输出电流和器件温度，同时针对电压瞬变和其他意外应用条件提供被动保护。这种主动和被动保护功能的结合确保了稳定可靠的应用方案，延长了器件本身及其所保护的应用负载的使用寿命。安森美(onsemi)现在提供从45 mΩ到160 mΩ的上桥 SmartFET系列?。这些器件是受保护的单通道上桥驱动器，可切换各种负载，如灯泡、螺线管和其
[传感技术]碳化硅的谎言与真相
本文来自微信公众号：金捷幡（ID：jin-jiefan），作者：金捷幡，头图来自：视觉中国都说买股票买的是预期，其实通常买的是故事。老话说，Buy the rumor， sell the news。也就是，有故事的时候买，消息落地（故事结局）赶紧卖掉。注意，上述谚语中即使故事成真，如果没有新的故事了，股票也不再涨了。和量子计算很像（旧文：《量子计算的谎言与真相》），碳化硅（SiC）的故事也很漂亮：有深度有门槛有前景有震撼，大家都有美好的未来。那么，碳化硅和大众曾经喜欢的石墨烯、纳米管、钠电池等等宏大的故事有没有相似处呢
[传感技术]外资法人预计台积电 2nm 采用 GAAFET 路线，此前宣布 2025 年量产
IT之家 9 月 4 日消息，3nm 时代，三星选择采用环绕栅极?(GAAFET)?晶体管架构打造 3nm 芯片，而台积电则延续了鳍式场效应管（FinFET）的方案，预计台积电?3nm（N3）芯片将于今年下半年投产。台湾《经济日报》称，虽然在 3nm 世代略有保守，但无论如何，鳍片 (Fin) 宽度都已经接近实际极限，再向下就会遇到瓶颈，所以外资法人预估台积电 2nm 先进制程将采用环绕式闸极场效电晶体 GAAFET 高端架构生产 2nm 芯片。根据台积电官网显示，台积电将持续与全球 16 家 EDA 厂商组成电子设计自动化联盟
[传感技术]瑞能半导体以效率优势探索，凭新一代碳化硅MOSFET定义性能新高度
“目前，全球推进“双碳”目标，缓解日益严重的温室效应的过程将带来更多清洁能源发电、新能源汽车、充电桩和储能等全新的需求。显而易见，功率半导体会成为绿色能源和高效负载能源网络的关键驱动力。根据 Yole 预测，全球功率半导体器件市场将有望从 2020 年的175 亿美元增长至 2026 年 的 262 亿美元，年均复合增长率为 6.9%。 ” 瑞能半导体CEO Markus Mosen先生受邀出席
[传感技术]东芝推出面向更高效工业设备的第三代SiC MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品，已于今日开始出货。?? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ??新产品的单位面积导通电阻（RDS(ON)A）下降了大约43%[3]，从而使“漏源导通电阻×栅漏电荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大约80%[4]，这是体现导通损耗与开关损耗间关系的重要指标。这
[传感技术]LM5180是具有 100V、1.5A 集成 MOSFET 的 65VIN 无光反激式转换器
产品详情描述：LM5180 是一款初级侧稳压 (PSR) 反激式转换器，在 4.5V 至 65V 的宽输入电压范围内具有高效率。隔离输出电压从初级侧反激电压采样，无需光耦合器，电压参考，或来自ATMEGA16A-MU变压器的第三绕组用于输出电压调节。高集成度实现了简单、可靠和高密度的设计，只有一个组件穿过隔离栅。边界导通模式 (BCM) 开关可实现紧凑的磁性解决方案以及优于 ±1.5% 的负载和线路调节性能。一个集成的 100V 功率 MOSFET 提供高达 7W 的输出功率，并为线路瞬态提供了增强的裕量。LM5180 反激式转换器采用 8 引脚、4
[传感技术]OPA858-Q1是具有 FET 输入的汽车类 5.5GHz 增益带宽、去补偿跨阻放大器
产品详情描述：OPA858-Q1 是一款具有 CMOS 输入的宽带、AOZ1014DI低噪声运算放大器，适用于宽带跨阻和电压放大器应用。当器件配置为跨阻放大器 (TIA) 时，5.5GHz 增益带宽积 (GBWP) 可在数十至数百 kΩ 范围内的跨阻增益下实现高闭环带宽。当放大器配置为 TIA 时 OPA858-Q1 的带宽和噪声性能与光电二极管电容的关系。总噪声沿从 DC 延伸到左侧刻度上的计算频率 ( f ) 的带宽范围计算。OPA858-Q1 封装具有一个反馈引脚 (FB)，可简化输入和输出之间的反馈网络连接。OPA858-Q1 经过优化，可在光学飞行时间 (ToF) 系统
[传感技术]Using Vertical Location in Public Safety IoT
Illustration: ? IoT For All On a recent trip using my phone to navigate, my Google map was showing buildings in 3D – a wonderful tool to showcase the relative height of buildings around me and ensure that I had a better sense of where I was. This feature was introduced back in 2021, and now they
