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[通用技术]恩智浦针对8/16位应用推出低成本Cortex-M0微控制器

产品特性: 具备脉宽调制/匹配/捕捉功能的2个16位时钟和2个32位时钟 12MHz内部RC振荡器,在全温度及电压范围可精确到1% 电源复位(POR)、多级掉电检测(BOD)、10-50MHz锁相环 具备±1LSB DNL的8通道高精度10位ADC应用范围: 能满足所有那些寻求用可扩展ARM架构来进行整个产品开发过程的8/16位用户恩智浦半导体(NXP Semiconductors)近日宣布,旗下基于ARM? Cortex?-M0的LPC1100微控制器系列产品将于12月分销上市。恩智浦LPC1100是市场上定价最低的32位微控制器解决方案,其价值和易用性比现有的8/16位微控制器更胜一筹。该

[通用技术]坚固耐用支持2.5GHz到2.7GHz的高能效功率晶体管

产品特性: 高效率 优异的耐用性 较低的输出电容,提高了 Doherty 应用中性能 记忆效应低,提供优良的预失真能力 内部匹配,易于使用适用范围: 多载波应用,频率范围在 2.5GHz 到2.7GHz 之间 用于 W-CDMA 和 LTE 基站的射频功率放大器NXP 半导体推出了一款新的 90W LDMOS 功率晶体管,BLG7G27LS-90P,应用于基站,工作频率从 2.5GHz到 2.7GHz。BLF7G27LS-90P 是推挽晶体管,采用 NXP 的第七代 LDMOS 技术,采用热增强型陶瓷封装。在单载波W - C D M A 信号的A B类电路中, 平均输出功率2 5 W时,BLF7G27LS-90P 可提

[通用技术]NXP推出FlatPower,TVS二极管产品线

产品特性: TVS新产品采用2引脚FlatPower SOD128封装 提供600W额定峰值脉冲功率 符合苛刻的AEC-Q101标准 新型600W产品系列PTVS*P1UP采用尺寸更小的FlatPower SOD123W封装应用范围: 敏感器件保护 汽车电子和工业应用 电池供电的移动应用恩智浦半导体(NXP Semiconductors)宣布推出35个采用2引脚FlatPower SOD128封装(3.8 x 2.5 x 1 mm)的TVS新产品,进一步丰富了瞬变电压抑制(TVS, Transient Voltage Suppressor)二极管的产品组合。恩智浦是业界首个采用这种小型塑料SMD封装来提供600W额定峰值脉冲功率(10/100

[通用技术]NXP 2mmx2mm 采用可焊性镀锡侧焊盘的MOSFET

恩智浦半导体推出业内首款2 mm x 2 mm、采用可焊性镀锡侧焊盘的超薄DFN (分立式扁平无引脚)封装MOSFET。这些独特的侧焊盘提供光学焊接检测的优势,与传统无引脚封装相比,焊接连接质量更好。新型 PMPB11EN和 PMPB20EN 30V N沟道MOSFET是采用恩智浦 DFN2020MD-6 (SOT1220) 封装的20多类器件中率先推出的两款产品。这两款MOSFET的最大漏极电流(ID)大于10A,10V时的超低导通电阻Rds(on)分别为12 mOhm(典型值)和16.5 mOhm(典型值),因此导通损失小,功耗更低,电池使用寿命更长。图题:NXP推出业内2 mm x 2 mm、采用可焊性镀锡侧焊盘的M

[通用技术]NXP全新汽车级功率MOSFET采用Trench 6技术具出色可靠性

产品特性: 具有极低导通电阻(RDSon) 极高的开关性能以及出色的品质和可靠性 已取得AEC-Q101认证 具有极低PPM水平适用范围: 汽车电子恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. 日前宣布推出全新汽车级功率MOSFET器件系列,该系列采用恩智浦的Trench 6技术,具有极低导通电阻(RDSon)、极高的开关性能以及出色的品质和可靠性。恩智浦新型汽车级MOSFET已取得AEC-Q101认证,成功通过了175℃高温下超过1,600小时的延长寿命测试(性能远超Q101标准要求),同时具有极低PPM水平。恩智浦这一全新车用MOSFET系列中的首批产品将采用

[生产测试]EM773:丰宝开发精简的NXP电能计量芯片用于电能计量

产品特性: 支持最高48 MHz工作频率 低成本优势 更加容易嵌入到各类产品中应用范围: 覆盖从智能插座、智能家用电器 节能电子产品到电力测量仪表 数据中心的机架式服务器集群随着智能电力管理要求越来越高和全球对绿色能源的重视,电力企业和管理部门纷纷采用先进计量基础设施和智能仪表来推行更为精确合理的计价模式和资费标准,鼓励用户相应调整其能源消耗方式。无论是普通消费者还是企事业单位,现在节能都是一项非常重要的工作;但对于目前大多数电器设备,要想知道自己详细的实际用电量并不容易。因此,能够测量并

[通用技术]NXP SSL2102 30W反激式TRIAC调光LED驱动电源设计指南

导读:SSL2102 IC是为闪烁调光设计的LED驱动电源,SSL2102 IC可以用在降压或反激变换器的拓扑结构中,反激拓扑结构在电器输出隔离上是必须的。当考虑到效率和开关尺寸而选择输出电压额定值时,他可以提供很大的自由度。这份应用指南描述怎样提高基本的双向可控硅调光电路实现高性能的设计。SSL2102是SSL210x调光驱动系列的一部分,好包括:1.SSL2101: SO16封装, 集成mosfet和泄放开关2.SSL2102: SO20封装, 集成mosfet和泄放开关3.SSL2103: SO14封装,外部MOSFET和泄放开关1.1 The application requirementWhen designing an application t

[通用技术]恩智浦新一代低VCEsat双极晶体管

中心议题: 新型双极性晶体管具备低VCEsat 双极性晶体管在温度稳定性、ESD强度和反向阻断方面具备优势 近年来,中功率双极晶体管在饱和电阻和功率范围上的重大突破,极大地拓宽了此类器件的应用领域。恩智浦最新推出的SMD封装中功率晶体管(BISS 4)再次显现出双极晶体管的技术优势,在为开关应用带来了开关损耗更小,效率更高的同时,也赢得了更多的市场空间。简介近年来双极晶体管复苏势头强劲。一直由MOSFET器件控制的大功率开关领域也出现了变化,在消费电子和通信便携式设备中,越来越多的充电电路和负载开关开始采用双极晶体管。

[互连技术]PCx966x:NXP 5Mb/s高性能超大缓存I2C总线控制器面世

产品特性: 全新I2C UFm和Fm+的技术 发送数据传输速率最高可达5 Mb/s 每个通道提供4.25-kB的超大数据缓存应用范围: 极大地提升高级游戏系统的性能 为大型LED显示器提供新的架构方案 恩智浦半导体(NXP)近日推出业界首款高性能I2C总线控制器,该控制器可以同时支持快速模式Plus (Fm+) 和全新的超快速模式 (UFm) 规格,新规格的发送数据传输速率最高可达5 Mb/s。PCx966x系列产品为每个通道提供4.25-kB的超大数据缓存,可以大幅减少主机处理器的中断,并专门针对重复性、数据密集型LED控制器和步进马达 (如游戏行业)

[互连技术]NXP新推支持Thunderbolt接口的低功耗开关

英特尔高管9月12日表示,由于能耗问题尚未得到解决,Thunderbolt互连技术现在还不能被用于智能手机和平板电脑。但NXP最新推出了CBTL05024高性能开关,具备10 Gbps的高性能和优异的信号完整性。此外,在低功耗的表现上,此开关产品的功耗大大低于目前新的总线供电的Thunderbolt雷电设备对功耗的要求。恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)日前宣布其新一代高性能开关CBTL05024,此新产品支持英特尔公司开发的Thunderbolt技术。 CBTL05024具备10 Gbps的高性能和优异的信号完整性。此外,在低功耗的表现上,此开关产品的功耗大大低于目前新

[互连技术]NXP业界首款60V FlexRay收发器支持48V供电系统

产品特性: 符合EPL V3.0.1和JASPAR标准 无缝隙低压规格 优化EMC,符合OEM规格 带休眠功能 应用范围: 汽车行业恩智浦半导体近日宣布推出全新FlexRay收发器系列,以支持汽车行业在未来的车型中采用48V供电电压。新型48V FlexRay产品无需加装昂贵的外部解耦器件即可支持即将普及的48V标准,在待机和休眠模式下功耗极低,在降低二氧化碳排放的同时还具有出色的ESD保护功能,并且耐压性能可以达到+/-60V的产品。由于车内原本的机械功能正逐步实现电气化,标准12V车载网络在电动转向、动力总成及车载动态系统的运用上已达到极限

[光电显示]NXP看涨可调光CFL、LED照明需求

随着各国白炽灯陆续禁用、禁产,势将激励调光节能萤光灯(CFL)、发光二极体(LED)需求,由于配备交流矽控闸流体(TRIAC)可增加产品附加价值,以提高毛利率,遂使内建TRIAC的CFL、LED照明前景备受瞩目。恩智浦大中华区照明产品高级市场经理陈嵘表示,北美、欧盟CFL标准不同,恩智浦旗下产品均可符合此两大规格的要求。恩智浦(NXP)大中华区照明产品高级市场经理陈嵘表示,传统白炽灯的结构均可支援调光功能,以及各国白炽灯正式禁用、禁产后,中短期、中长期将可望分别带动CFL、LED的市场规模扩大,尤其是整合TRIAC的CFL、LED可增强产品

[光电显示]DFN1608D-2:NXP推出低VF肖特基整流器用于小型便携式设备

产品特性: 低VF、业界领先的功率特性 支持最高1.5A电流 厚度仅为0.37 mm,尺寸为1.6 x 0.8 mm应用范围: 小型便携式设备、平板电脑等恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.近日宣布推出面向移动设备市场的新一代低VF肖特基整流器,标志着其为小型化发展设立了新的重要基准。新款DFN1608D-2 (SOD1608) 塑料封装典型厚度仅为0.37 mm,尺寸为1.6 x 0.8 mm,是市场上支持最高1.5A电流的最小器件。DFN1608D-2共包括六个型号的肖特基势垒整流器:其中三款为针对极低正向电压的20V型号,另外三款为针对极低反向电流的40V型号。平均正

[整流滤波]EMI:恩智浦推出超薄无铅封装ESD保护滤波器

产品特性: 超薄无引脚封装,集ESD保护和EMI滤波两项功能于一体 根据IEC61000-4-2标准,恩智浦静电保护解决方案最大接触放电保护电压高达30kV 能过滤800MHz-3GHz手机频率产生的EMI辐射,最大插入损耗30dB 采用业界标准的0.4mmPin间距,厚度不超过0.5mm适用范围: 便携式电子产品便携式设备可在各种环境中使用,因此产品需要坚固耐用。静电放电(ESD)是指存储的静电通过不可见的线路对周围电子设备释放的情形。触碰设备时静电放电可随时发生,遇到干燥空气如冷空气或在空调环境中更为明显。便携式设备还容易受到电磁干扰(EMI),

[整流滤波]PMEG系列:恩智浦FlatPower封装MEGA Schottky整流器

产品特性: 包括SOD123W和SOD128两种小封装 与SMA和SMB封装的焊盘兼容 50A的峰值电流 高至1W的Ptot功率耗散应用范围: 广泛的低压和移动应用 汽车、工业应用恩智浦半导体近日宣布推出全新FlatPower封装的MEGA Schottky整流器,包括SOD123W和SOD128。因为"金属板绑定"的封装成果,新的MEGA产品带来可媲美标准SMA封装的高功率性能。新产品以其卓越的前向压降,可以允许50A的峰值电流和高至1W的Ptot功率耗散。同时,两种封装相较SMA封装高度减小了50%,因而能够支持更加小型超薄设计。SOD123W以2.6 mm x 1.7 mm

[整流滤波]NXP高效能低VF肖特基整流器锁定行动装置

产品特性: 采用1.0毫米(mm)×0.6毫米×0.37毫米超小扁平SMD塑胶封装 在0.5安培正向电流下的最大正向电压为390毫伏特(mV) 是目前市场上尺寸最小的产品 可显著提升电池寿命和性能适用范围: 智慧型手机、平板电脑等恩智浦(NXP)推出采用1.0毫米(mm)×0.6毫米×0.37毫米超小扁平SMD塑胶封装DFN1006D-2(SOD882D)的肖特基整流器。该款20伏特(V)、0.5安培(A)PMEG2005BELD萧特基势垒整流器,是目前市场上尺寸最小的产品,在0.5安培正向电流下的最大正向电压为390毫伏特(mV),可显著提升电池寿命和性能。恩智浦二极体产品市场行销经

[整流滤波]DFN1608D-2:NXP推出低VF肖特基整流器用于小型便携式设备

产品特性: 低VF、业界领先的功率特性 支持最高1.5A电流 厚度仅为0.37 mm,尺寸为1.6 x 0.8 mm应用范围:小型便携式设备、平板电脑等恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.近日宣布推出面向移动设备市场的新一代低VF肖特基整流器,标志着其为小型化发展设立了新的重要基准。新款DFN1608D-2 (SOD1608) 塑料封装典型厚度仅为0.37 mm,尺寸为1.6 x 0.8 mm,是市场上支持最高1.5A电流的最小器件。DFN1608D-2共包括六个型号的肖特基势垒整流器:其中三款为针对极低正向电压的20V型号,另外三款为针对极低反向电流的40V型号。平均正向电

[RF/微波]BLL6H1214-500:NXP L波段雷达应用RF输出功率器件

产品特性: 漏极效率大于50% 增益:17dB 达500W的耐用度 无毒封装、符合ROHS标准应用范围: L波段雷达应用恩智浦半导体(NXP Semiconductors)扩张其业界领先的RF Power 晶体管产品线,近日推出最新的针对L波段雷达应用的横向扩散金属氧化物半导体(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,以下简称LDMOS)晶体管,该晶体管在1.2GHz到1.4GHz的频率之间带来达500W的突破性的RF输出功率。针对大范围的L波段雷达应用,恩智浦的LDMOS L波段RF功率晶体管设置了新的效率标准(漏极效率大于50%)、增益(17dB)和达500W的耐

[电路保护]NXP“矮个子”成为保护微型高速互连的理想之选

导言:NXP Semiconductors 推出的IP4294CZ10-TBR 为两个差分通道提供高速 ESD 保护, 并具有独特的配置和二极管结构。它能提供高达 ±10kV 的接触放电保护,同时仅为每个通道增加 0.5pF的电容负载。本器件采用具有友好设计的直铺线(pass-thru routing)功能的超小型无管脚DFN2510A (XSON10) 10pin 封装。 数据连接允许匹配的0.5mm线宽度,匹配电容在信号对之间优于 0.05pF,以达到最佳精准度。凭借 1.0mm x 2.5mm 的外形,此封装仅需占用最小的 PCB 空间,而 0.5mm的“ 矮个子” 允许在超低外壳中使用。 集成的保护二极管利用独特的折返(sn

[电路保护]NXP超小型SOT883B封装中双线路的低电容ESD保护

产品特性: 超小尺寸,标准值 0.37mm 最高 15kV 的 ESD 保护 符合 IEC 61000-4-2 标准;4 级 (ESD) 2.5A 额定峰值脉冲电流 (I)适用范围: 计算机及外围设备 便携式电子产品等NXP Semiconductors PESD5V0L2UMB 是一种单向二极管阵列,可为超小型扁平 SOT883B SMD 塑料封装(测量尺寸1.0mm x 0.6mm)中的最多两条数据线提供静电释放 (ESD) 保护。该设备的电容为1 6 p F , 对高速数据线施加的负载小, 因此可最大限度地降低对信号完整性的影响。PESD5V0L2UMB的钳位电压也很低,只有10V,从而可在不中断有效信号的同时提供