Diodes-第6页-品慧电子网

[光电显示]Diodes新型LED驱动器可将外围元件减少到2个

产品特性：采用SOT26封装可在1.1V至100V电压下操作可支持常用的12V、24V和48V 导电轨操作温度范围宽达-40°C至+150°C适用范围：汽车内部、指示牌及一般照明控制电路Diodes公司推出AL5801线性发光二极管（LED）驱动器，仅需两个外加组件，就可以为设计人员简化汽车内部、指示牌及一般照明控制电路。这款占位小、采用SOT26封装的器件，把一个100V额定N通道MOSFET集成于一个经过预先偏置的NPN晶体管，能驱动由多达三十个20mA至350mA低功率串联LED组成的链路。AL5801的开放漏极 (open-drain) 输出可在1.1V至100V电

[光电显示]Diodes推出六款新型高侧电源开关AP21x2A

产品特性：耐受高电容负载及短路而设计两极都有启动输入(Enable input)功能可提供0.5A、1.0A 及1.5A的最大额定负载电流可提供2微秒 (2µs) 的快速瞬态响应应用范围：自供电和总线供电USB 应用其它热插拔 (Hot-swap) 应用Diodes公司推出六款新型高侧电源开关，为广泛的自供电和总线供电USB 应用及其它热插拔 (Hot-swap) 应用提供全面的端口保护。该款 AP21x2A 双通道器件专为耐受高电容负载及短路而设计，两极都有启动输入(Enable input)功能，可提供0.5A、1.0A 及1.5A的最大额定负载电流。这些电源开关可提供

[整流滤波]SBR10U200P5：Diodes推出高压超势垒整流器第一款器件

产品特性：业界体积最小的引线式10A整流器，额定电压高达200V 在10A额定电流和125℃的结温下提供业内领先的低至0.7V的正向电压降 (VF) 具有卓越的超低热阻，使SBR10U200P5能以减少40%的占位面积，实现双倍的功率密度应用范围：笔记本电脑电源适配器、通用充电器和电信电源等终端应用Diodes公司推出高压超势垒整流器 (Super Barrier Rectifier，简称SBR)系列的第一款器件SBR10U200P5。该系列采用热效率和紧凑的专有PowerDI5封装，具有卓越的超低热阻，使SBR10U200P5能以减少40%的占位面积，实现双倍的功率密度。Diodes 亚太区

[整流滤波]Diodes推出六款新型高侧电源开关AP21x2A

[整流滤波]DSR6V600P5|DSR6U600P5：Diodes为功率因子校正应用提供崭新高电压整流器

产品特性： powerDI?5 封装典型软度因子均为0.7 降低软开关所引致的电气噪音降低EMI屏蔽与缓冲电路应用范围： LED电视及转接器等高密度的开关模式电源高强度气体放电照明应用Diodes公司针对功率因子校正 (Power Factor Correction，简称PFC) 升压二极管应用，推出一对崭新的600V DiodeStar 整流器，以扩展其DiodeStar产品系列。DSR6V600P5及DSR6U600P5以Diodes专有的powerDI?5 封装。该封装具备高热效能及厚度薄的特性，从而能使用之设计的产品更薄、热效能更显著。超小型powerDI5封装的离板高度为1.1毫米，比业内的

[整流滤波]SBR12U45LH：Diodes推出超薄型整流器简化太阳能电池板设计

产品特性：超薄型PowerDI-5SP封装操作温度介于-65°C至200 °C，额定电流12A 出色的稳定性能应用范围：太阳能电池板Diodes推出SBR12U45LH超级势垒整流器 (SBR) ，额定电流为12A，以超薄型PowerDI-5SP封装，为生产新一代太阳能光电模块 (PV module) 的太阳能电池板制造商，解除设计和生产方面的主要顾虑。这款最新的SBR可作为一个高效光电模块旁路二极管，并发挥关键的作用。其最大的封装高度只有0.75毫米，可焊接于太阳能电池板内，有效免除额外接线盒的需要。PowerDI-5SP能利用封装侧的引线，安装在后层的凹槽，太阳

[整流滤波]Diodes推出新型MOSFET,半桥器件

产品特性：包含两对互补N型和P型MOSFET 简化了直流风扇和 CCFL 逆变器电路设计应用范围：适用于12V直流风扇和逆变器应用Diodes 公司推出四款半桥MOSFET 封装，为空间受限的应用减少了元件数量和PCB尺寸，极大地简化了直流风扇和 CCFL 逆变器电路设计。Diodes 亚太区技术市场总监梁后权指出：“ZXMHC 元件为SO8封装，包含两对互补N型和P型MOSFET，可取代四个分立式SOT23封装的MOSFET或两个SO8 互补MOSFET 封装。对于现有不同类型的电机或其它感性负载驱动装置来说，这意味着可节省至少一半的PCB占板面积，同时大幅降低整体

[整流滤波]Diodes推出额定12A和15A器件适用于开关模电源

产品特性：采用紧凑PowerDI5封装具备超低正向压降特性应用范围：开关模电源设计的输出整流器超薄笔记本电脑上网本适配器 LCD及LED电视应用Diodes公司推出采用紧凑PowerDI5封装的额定12A和15A器件，扩展了其专利的超势垒整流器（SBR）系列。新器件可用作空间有限的开关模电源设计的输出整流器，具备超低正向压降特性，无论在效率或冷却运行方面都超过了标准肖特基二极管。最新的额定12A的SBR12U100P5和SBR12U120P5器件分别提供100V和120V的阻断电压能力，适用于超薄笔记本电脑、上网本适配器、LCD及LED电视应用。额

[传感技术]AH1802/88：Diodes公司新增两款低压全极性元件

产品特点：可检测地球南北极产生的磁场可在宽泛的电源电压下工作敏感度极高对物理应力的敏感度较低应用范围：适用于笔记本电脑、移动电话、数码相机及便携式摄像机对器件高度要求严格的滑盖式电话适用于枢轴或转动式显示器或键盘Diodes公司在霍尔效应传感器开关系列中新增两款低压全极性元件，可大大减少电池供电和手持设备的功耗，同时显著简化生产工艺，适用于笔记本电脑、移动电话、数码相机及便携式摄像机的非接触式盖或显示方向和位置检测任务。微功耗AH1802和AH1888霍尔效应传感器开关可在宽泛的电源电

[传感技术]Diodes推出六款新型高侧电源开关AP21x2A

[RF/微波]Diodes推出六款新型高侧电源开关AP21x2A

[马达控制]ZXGD3104N8：Diodes,MOSFET控制器有助提升PSU效率

产品特性：额定电压为25V 可由适配器的19V供电轨直接供电拥有180V的 MOSFET漏极感应功能应用范围：适用于90W及以上的笔记本和便携式电脑的电源设计Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其额定电压为25V，适用于90W及以上的笔记本和便携式电脑的电源设计。这款新品能取代返驰式转换器内效率较低的肖特基二极管，并通过减少多达70%的整流器损耗，有效提升最高达3.5%的电源效率。因此，该器件有助电源供应系统更容易达到能源之星V2.0所规定的电源平均效率需达到87%的评级要求。这款采用SO8封装的MOSFET控制器操作电压范

[马达控制]ZXMS6004FF：Diodes自保护式MOSFET

产品特性：采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封装提供三倍于同类较大封装元件的封装功率密度集成了ESD、过压、过流及过温保护导通电阻仅为500m? 逻辑电平输入为3.3V或5V应用范围：便携应用消费电子应用Diodes公司扩展其IntelliFET产品系列，推出体积最小的完全自保护式低压侧MOSFET。该ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封装，与正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封装的元件相比节省了85%的占板空间。虽然SOT23F的扁平封装体积小巧，但其卓越的散热性能可使ZXMS6004FF提供三倍于同类较大封装元件的封装功

[马达控制]Diodes推出实现低温操作的低导通电阻微型MOSFET用于便携消费电子

产品特性：采用微型DFN1212-3封装结点至环境热阻为130oC/W 低导通电阻，低传导损耗，低功率耗散应用范围：数码相机、平板电脑及智能手机等高便携式消费电子产品Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封装的MOSFET。该器件的结点至环境热阻 (Rthj-a) 为130oC/W，能于持续状态下支援高达1W的功率耗散，相比于占位面积相同、Rthj-a性能为280oC/W的SOT723封装，能实现更低温度运行。这款无铅DFN1212-3封装MOSFET与采用SOT723 封装的MOSFET一样，印刷电路板 (PCB) 面积为1.44mm2，并具备0.5mm的狭小离板高度，但后者的热力效能则较低

[马达控制]Diodes推出全新MOSFET组合应用于直流电机

DMC4040SSD新品特性：具有互相匹配的 N 通道及 P 通道导通电阻（Rdson）性能导通电阻低至 25mΩDMC4040SSD应用范围：用于低压单相/三相无刷直流（BLDC）电机控制应用Diodes 公司推出一对互补性双 MOSFET 组合DMC4040SSD，可用于低压单相/三相无刷直流（BLDC）电机控制应用。该组合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道导通电阻（Rdson）性能，以确保平衡分配电机负载的直流损耗并将其减少到最小。这对增强模式 MOSFET 的 Vds 为 40V，使其可适用于控制冷却、排气扇、泵、压缩机及打印头的 24V 直流电机系统。当 Vgs 为 10V 时，这对

[马达控制]DMC4040SSD：Diodes推出互补性双MOSFET 组合用于直流无刷电机

产品特性：采用业界标准的SO-8封装持续电流额定值6A，脉冲电流额定值29A 增强模式MOSFET应用范围：用于低压单相/三相无刷直流电机控制应用 Diodes 公司推出一对互补性双 MOSFET 组合DMC4040SSD，可用于低压单相/三相无刷直流(BLDC)电机控制应用。该组合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道导通电阻(Rdson)性能，以确保平衡分配电机负载的直流损耗并将其减少到最小。这对增强模式 MOSFET 的 Vds 为 40V，使其可适用于控制冷却、排气扇、泵、压缩机及打印头的 24V 直流电机系统。当 Vgs 为 10V 时，这对互补MOSFET 的导通电阻低

[电路保护]AP2331：Diodes推出单信道限流负载开关提升HDMI端口保护功能

产品特性：采用SOT23封装，额定电流为0.2A低至250mΩ的导通电阻，有反向电流阻断功能快速准确的过流、过压、逆向电流、过温及短路保护特性内置软启动功能，提供0.7毫秒标准开启时间应用范围：机顶盒、便携式笔记本电脑及LCD液晶电视等消费电子产品Diodes公司推出AP2331单信道限流负载开关。该产品专为高清晰度多媒体接口 (HDMI) 的标准及其它监视器接口的保护功能而优化设计，适合于3V至5V的热插拔连接以及其它承受高电容性负载和可能受短路影响的应用。该负载开关采用SOT23封装，额定电流为0.2A，适用于种类繁多的消费电子产品，包括机顶

[电路保护]Diodes推出能够容忍电话线瞬变的高压二极管阵列

产品特性：击穿电压为400V的四开关二极管阵列更快的开关速度和低结电容应用范围：电话调制解调器等应用 Diode公司推出击穿电压为400V的四开关二极管阵列MMBD5004BRM，旨在承受DAA调制解调器正极和负极电话线接口和一般离线整流应用中最坏的线瞬变情况。MMBD5004BRM二极管阵列结合了更快的开关速度（trr=50ns）和低结电容（在VR=0V和f=1.0MHz时典型值为0.7pF），使其成为保持高速信号完整性的理想选择。其225mA的连续高额定电流和625mA的峰值电流为DAA调制解调器提供了一个安全余量。与现有的微型桥解决方案相比，MMBD5004BRM采

[电路保护]Diodes以单通道电源开关提高USB的端口保护

产品特性：专为USB端口保护及其他3-5V热插拔互连优化该电源开关完全符合USB标准提高了USB接口的稳定性应用范围：满足业内最严格的安全标准 Diodes公司推出专为USB端口保护及其他3-5V热插拔互连优化的0.5A单通道电源开关。AP2145（低激活状态）和AP2155（高激活状态）可根据高容性负载和短路的可能性，为消费、计算和通信应用提供全面的保护解决方案。该电源开关完全符合USB标准，并采用行业标准的SOP- 8L和裸露焊垫MSOP – 8L - EP封装。其快速10μs瞬态响应时间可防止不必要的系统关机或重新启动，而其精确的1