[EMI/EMC]Diodes推出六款新型高侧电源开关AP21x2A
产品特性： 耐受高电容负载及短路而设计 两极都有启动输入(Enable input)功能 可提供0.5A、1.0A 及1.5A的最大额定负载电流 可提供2微秒 (2µs) 的快速瞬态响应应用范围： 自供电和总线供电USB 应用 其它热插拔 (Hot-swap) 应用Diodes公司推出六款新型高侧电源开关，为广泛的自供电和总线供电USB 应用及其它热插拔 (Hot-swap) 应用提供全面的端口保护。该款 AP21x2A 双通道器件专为耐受高电容负载及短路而设计，两极都有启动输入(Enable input)功能，可提供0.5A、1.0A 及1.5A的最大额定负载电流。这些电源开关可提供
[EMI/EMC]Diodes推出减少,IGBT,开关损耗的40V,闸极驱动器
ZXGD3006E6新品特性： 操作范围涵盖 40V，可全面改善开关器件 允许从 +20V 至 -18V 的闸极驱动ZXGD3006E6应用范围： 太阳能逆变器、电机驱动和电源Diodes 公司推出专为开关高功率 IGBT 设计的 ZXGD3006E6 闸极驱动器（gate driver） ，有助于提高太阳能逆变器、电机驱动和电源应用的功率转换效率。当输入电流为 1mA 时，该闸极驱动器通常可提供 4A 的驱动电流，使其成为控制器的高输出阻抗和 IGBT 的低输入阻抗之间高增益缓冲级的最佳选择。ZXGD3006E6 拥有一个发射极跟随器配置，可防止闩锁效应（latch-up）及贯通问题（shoot-t
[通用技术]PowerDI5：Diodes推出双极型晶体三极管产品
产品特性： 采用Diodes的第五代矩阵射极工艺 占板空间仅有26 mm² 最小的铜板电功率额定值为0.74W应用范围： 数据通信、电信、电机驱动及电池充电器应用Diodes公司推出首款采用其微型PowerDI5表面贴装封装的双极型晶体三极管产品。新产品采用Diodes的第五代矩阵射极工艺，率先面世的12款NPN及PNP晶体管有助于设计人员大幅提高功率密度并缩减解决方案的尺寸。PowerDI5的占板空间仅有26 mm²，比SOT223小47%，比DPAK小60%;板外高度仅为1.1mm，远薄于1.65mm高的SOT223和2.3mm高的DPAK 封装。PowerDI5最小的铜板电功率额定
[通用技术]Diodes推出SOT963封装器件适用于超便携式电子产品
SOT963封装器件的产品特性： 占板面积仅有0.7 mm2 引脚封装支持手焊及目测SOT963封装器件的应用范围： 适合低功耗应用 能够满足各种超便携式电子产品的要求Diodes 公司推出采用超小型 SOT963封装的双极晶体管 (BJT)、MOSFET和瞬态抑制二极管 (TVS) 器件，性能可媲美甚至超过采用更大封装的器件。Diodes SOT963的占板面积仅有0.7 mm2，比SOT723封装少30%，比SOT563封装少60%，适合低功耗应用。占板面积节省加上0.5 mm的离板高度，让Diodes 的 SOT963 封装器件能够满足各种超便携式电子产品的要求。现阶段推出的SOT963封装产品线
[通用技术]Diodes低压降稳压器提升系统稳定性及瞬态响应
产品特性： 2V 至 6V的宽输入电压范围 LDO 的范围为1.0V 至3.3V 规定输出精确度为2% –40oC 至 +85oC的整个工业温度范围应用范围： XDSL 路由器、无线局域网卡、台式及笔记本电脑、鼠标、键盘产品以及电池驱动设备Diodes 公司推出专为驱动低等效串联电阻（ESR）1μF MLCC电容器设计的一系列全新低压降线性稳压器 (LDO) ，用于降低系统级制造成本，并改善控制回路稳定性和瞬态响应。 AP731x 和 AP733x 分别为 150mA 和 300mA 的CMOS LDO，2V 至 6V的宽输入电压范围能满足固定或可调输出电压要求。固定输出电压 LDO 的范围为
[通用技术]74LVCxx：Diodes扩展通用低压CMOS逻辑器件系列
产品特性： 以14脚TSSOP封装 工作电压范围从1.65V到5.5V 在多种应用中电源电流少于1μA 具备输出阻流电路适用范围： 应用于台式电脑、笔记本电脑、硬盘和光驱等计算机外设产品Diodes公司扩展其低压通用CMOS逻辑器件产品系列，除单门及双门产品之外，将再新增十款备受欢迎的功能器件。这些新产品均以14脚TSSOP封装。 这一全新74LVCxx逻辑集成电路系列专为广泛的运算应用而设计，包括台式电脑、笔记本电脑、硬盘和光驱等计算机外设产品，以及路由器和集线器等网络设备。同时，这些器件还适用于一系列消费类电子产品，例如电视
[通用技术]ZXMN15A27K/ZXMN20B28K：Diodes推出两款N沟道MOSFET
产品特性： 两款新器件的击穿电压(BVDSS)分别为150V及200V 能够承受SLIC环境下的高脉冲雪崩能量和通信模式，不需要额外的保护电路 其低输入电容使其易于以很少或没有缓冲直接从SLIC控制IC进行驱动 采用TO252-3L封装适用范围： 宽带语音系统、PBX系统、有线和DSL网关Diodes公司推出两款N沟道MOSFET，为网络电话 (VoIP) 通信设备的设计人员带来一种更坚固的解决方案，极大地降低了电路的复杂性和成本。ZXMN15A27K及ZXMN20B28K经过特别设计，能满足各种VoIP应用中基于用户线接口电路(SLIC)DC/DC转换器对变压器中初级开关位置的
[通用技术]Diodes推出操作运行温度低于大型封装器件的MOSFET用于消费电子
新品特性： 仅占用0.6平方毫米的PCB面积 其结点至环境热阻(ROJA)为256ºC/W应用范围： 超薄便携式消费电子产品Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封装的高性能MOSFET产品线。该封装仅占用0.6平方毫米的PCB面积，较同类SOT723封装器件节省一半以上的占板空间，其结点至环境热阻 (ROJA) 为256ºC/W，在连续条件下功耗高达1.3W，而同类产品的功耗则多出一倍。 因此，该MOSFET的运行温度更低，并可节省空间，加上离板高度仅为0.4毫米，尤其适用于超薄便携式消费电子产品，包括平板电脑及智能手机。Diodes 率先提供额定
[通用技术]Diodes为业界推出标准的555定时器集成电路
新闻事件： Diodes公司推出555定时器集成电路事件影响： 提供直接替代元件 是首款作为商业用途的定时器 满足商业及工业级产品标准的要求Diodes公司推出一系列价格实惠的555定时器集成电路，以继续扩充其标准线性产品组合。Diodes推出的首批三款定时器，专为直接替换经久不衰的业界标准元件而设计。其操作温度范围宽广，满足商业及工业级产品标准的要求，包括适用温度介于0ºC和+70ºC 的NE555、介于-40ºC和+85ºC 的SA555，以及介于-40ºC和+105ºC 的NA555。 555定时器最初开发于四十多年前，是首款
[通用技术]Diodes推出六款新型高侧电源开关AP21x2A
产品特性： 耐受高电容负载及短路而设计 两极都有启动输入(Enable input)功能 可提供0.5A、1.0A 及1.5A的最大额定负载电流 可提供2微秒 (2µs) 的快速瞬态响应应用范围： 自供电和总线供电USB 应用 其它热插拔 (Hot-swap) 应用Diodes公司推出六款新型高侧电源开关，为广泛的自供电和总线供电USB 应用及其它热插拔 (Hot-swap) 应用提供全面的端口保护。该款 AP21x2A 双通道器件专为耐受高电容负载及短路而设计，两极都有启动输入(Enable input)功能，可提供0.5A、1.0A 及1.5A的最大额定负载电流。这些电源开关可提供
[生产测试]DFN3020:Diodes全新封装MOSFET应用于平板电脑
Diodes公司推出旗下有助节省空间的DFN3020封装分立式产品系列的首批MOSFET。这三款双MOSFET组合包含了20V和30V N沟道及30V互补器件。这些双DFN3020 MOSFET的电学性能与较大的SOT23封装器件不相上下，可以替代两个独立的SOT23封装MOSFET，节省七成的电路板空间。DFN3020 MOSFET系列的占位面积只有6平方毫米，离板高度为0.8毫米，较采用SOT23或TSOP-6封装的器件低四成，适用于平板电脑或上网本等空间有限、体积小巧的消费电子产品的负载开关或升压转换电路。这款互补型DFN3020 MOSFET还可用作半桥 (half bridge) 来驱动工业应用中的电机负载
[生产测试]Diodes推出六款新型高侧电源开关AP21x2A
产品特性： 耐受高电容负载及短路而设计 两极都有启动输入(Enable input)功能 可提供0.5A、1.0A 及1.5A的最大额定负载电流 可提供2微秒 (2µs) 的快速瞬态响应应用范围： 自供电和总线供电USB 应用 其它热插拔 (Hot-swap) 应用Diodes公司推出六款新型高侧电源开关，为广泛的自供电和总线供电USB 应用及其它热插拔 (Hot-swap) 应用提供全面的端口保护。该款 AP21x2A 双通道器件专为耐受高电容负载及短路而设计，两极都有启动输入(Enable input)功能，可提供0.5A、1.0A 及1.5A的最大额定负载电流。这些电源开关可提供
[生产测试]BAV99BRV/LP：Diodes推出微型高速开关二极管
产品特性： 有助减小电路板尺寸、采用低剖面封装 具备75V、80V及85V的额定击穿电压 总电容性能从2pF到最高4pF适用范围： 手机、平板电脑和笔记本电脑等Diodes Incorporated 推出一系列占板面积小、采用低剖面封装的高速开关二极管，有助大幅降低器件数量及电路板面积。新品系列除具备75V、80V及85V的额定击穿电压 (Breakdown Voltage) 外，更采用微型塑料SOT563、DFN1006-3及DFN2020-6封装，以供顾客选择。这些单二极管、双二极管和双双（串联及共阴极）二极管配置能发挥多种功能，包括交流信号整流、数据线保护、反向电池保护
[生产测试]ZXGD3104N8：Diodes MOSFET控制器有助提升PSU效率
产品特性： 额定电压为25V 可由适配器的19V供电轨直接供电 拥有180V的 MOSFET漏极感应功能应用范围： 适用于90W及以上的笔记本和便携式电脑的电源设计Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其额定电压为25V，适用于90W及以上的笔记本和便携式电脑的电源设计。这款新品能取代返驰式转换器内效率较低的肖特基二极管，并通过减少多达70%的整流器损耗，有效提升最高达3.5%的电源效率。因此，该器件有助电源供应系统更容易达到能源之星V2.0所规定的电源平均效率需达到87%的评级要求。这款采用SO8封装的MOSFET控制器操作电压范
[耦合技术]DMN60xx：Diodes推出60V N沟道MOSFET用于IP电话通信设备
DMN60xx 的产品特性： 低栅极电荷和输入电容 简化了SLIC 电路设计 平衡了栅极电荷和导通电阻性能DMN60xx 的应用范围： IP电话通信设备 有线和数字用户线路调制解调器 模拟终端适配器 专用交换机Diodes 公司推出专为IP电话(VoIP)通信开发的新型60V N沟道器件，扩展了其MOSFET产品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列专为处理产生正极线和负极线换行线路馈电 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脉冲电流，以及抵挡电源开关时引起的雪崩能量而设计。该器件能够满足基于变压器的用户线路接口电路 (SLIC) 直流/直流转换器对基
[互连技术]Diodes推出六款新型高侧电源开关AP21x2A
产品特性： 耐受高电容负载及短路而设计 两极都有启动输入(Enable input)功能 可提供0.5A、1.0A 及1.5A的最大额定负载电流 可提供2微秒 (2µs) 的快速瞬态响应应用范围： 自供电和总线供电USB 应用 其它热插拔 (Hot-swap) 应用Diodes公司推出六款新型高侧电源开关，为广泛的自供电和总线供电USB 应用及其它热插拔 (Hot-swap) 应用提供全面的端口保护。该款 AP21x2A 双通道器件专为耐受高电容负载及短路而设计，两极都有启动输入(Enable input)功能，可提供0.5A、1.0A 及1.5A的最大额定负载电流。这些电源开关可提供
[互连技术]AP2331：Diodes推出单信道限流负载开关提升HDMI端口保护功能
产品特性： 采用SOT23封装，额定电流为0.2A 低至250mΩ的导通电阻，有反向电流阻断功能 快速准确的过流、过压、逆向电流、过温及短路保护特性 内置软启动功能，提供0.7毫秒标准开启时间应用范围： 机顶盒、便携式笔记本电脑及LCD液晶电视等消费电子产品Diodes公司推出AP2331单信道限流负载开关。该产品专为高清晰度多媒体接口 (HDMI) 的标准及其它监视器接口的保护功能而优化设计，适合于3V至5V的热插拔连接以及其它承受高电容性负载和可能受短路影响的应用。该负载开关采用SOT23封装，额定电流为0.2A，适用于种类繁多
[光电显示]AL8807：Diodes推出高效率降压型开关模式LED驱动器用于MR16,LED灯具
产品特性： 开关频率高达1MHz，严格控制的开关上升和下降时间 可以在6V至30V的输入电压间运行 电流精度为±5%，效率高达96%应用范围： MR16 LED灯具Diodes公司推出AL8807降压型开关模式LED驱动器。其开关频率高达1MHz，具有严格控制的开关上升和下降时间，专为减少低成本MR16 LED灯具的电磁干扰 (EMI) 而设计。为达到高输出功率的要求，该驱动器可以在6V至30V的输入电压间运行，为多达八个串联的LED提供高达1A的恒定电流。该驱动器的电流精度为±5%，能满足大多数低电压照明应用的要求，并能改善3W LED照明系统中
[光电显示]ZXLD1371：Diodes推出有助于延长LED寿命的LED驱动器控制器
产品特性： 输入工作电压范围扩展到最低的5.0V 能提供典型值为1%的输出电流容差 其直流调光比为20:1 有助于延长LED的寿命适用范围： 适用于更高要求照明应用Diodes公司推出ZXLD1371 LED驱动器控制器，通过把输入工作电压范围扩展到从60V一直到最低的5.0V，使其应用范围更为宽广，包括输入电压变异最大的汽车照明以及12V交流供电的系统。该控制器灵活多用，通过驱动外接的场效应晶体管 (FET)，可构成降压、升压及升降压的驱动器电路。在升压模式下，它可以准确地驱动多达二十个高电流的LED。ZXLD1371采用正在申请专利的控制
[光电显示]AL5802：Diodes推出低电磁干扰线性LED,驱动器用于LED显示屏
产品特性： 简单、具成本效益 低电磁干扰 预偏置NPN输出晶体管的额定电流为30V应用范围： LED显示屏、灯具及汽车内部显示Diodes公司推出AL5802线性LED 驱动器，提供简单、具成本效益及低电磁干扰的解决方案。该驱动器集成了一个高增益的NPN晶体管，其预偏置NPN输出晶体管的额定电流为30V，足以控制多达九个低功率串联LED的电流。AL5802采用SOT26封装，配有可操作于0.8V至30V电压范围的开集极式输出，能支持12V和24V的电源，提供20mA至100mA的LED电流，适于LED显示屏、灯具及汽车内部显示等应用。该驱动器唯一需要的外部元件，
