[传感技术]庆祝NAND诞生35周年：铠侠放出2022闪存峰会活动预告
通过推出创新的外形尺寸和解决方案，铠侠希望持续引领并定义行业的下一步发展方向。在闪存峰会上，该公司将重点介绍其如何使用闪存来推动各领域的进步，并且涵盖了移动计算、边缘、云、数据中心、以及车载等应用场景。此外铠侠执行副总裁兼首席营销官 Scott Nelson 和 SSD 应用工程技术主管 Shigeo（Jeff）Ohshima 将共同发表题为《KIOXIA：35 Years of Flash & Beyond》的主题演讲。除了回顾闪存发明 35 年来的历史进程，我们还可期待该公司描绘如何推动这项改变游
[传感技术]美国考虑打击中国存储芯片制造商 或将禁止出口部分NAND芯片制造设备
C114讯 北京时间8月2日消息（艾斯）据路透社报道，四名知情人士透露，美国正在考虑限制向长江存储技术有限公司以及其他存储芯片厂商在中国大陆的工厂出口美国芯片制造设备，此举意在阻止中国半导体行业发展，并保护美国公司。消息人士称，如果拜登政府采取上述行动，有可能会对韩国存储芯片巨头三星电子和SK海力士产生不利影响。三星在中国有两家大型工厂，而SK海力士正在收购英特尔在中国的NAND闪存芯片制造业务。如果这一打击行动获得批准，举措将包括禁止向中国生产先
[传感技术]SK海力士成功研发全球最高层238层４D NAND闪存
韩国首尔2022年8月3日 /美通社/ --?SK海力士（或‘公司'，www.skhynix.com）于8月3日宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存。 图1. SK海力士成功研发全球最高层238层4D NAND闪存 近日，SK海力士向客户发送了238层 512Gb TLC(Triple Level Cell)* 4D NAND闪存的样品，并计划在2023年上半年正式投入量产。公司表示："自2020年12月完成176层NAND闪存研发以来，时隔仅1年7个月，SK海力士全球首次成功完成了新一代技术的研发。此次238层NAND闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球
[传感技术]创见推出112层3D NAND嵌入式宽温固态硬盘
这一高可靠性的解决方案最大提供单片4TB的容量，可以克服极端工业环境的挑战，为智能工厂、现代基础设施和物联网时代的监控等应用提供支持。创见采用112层3D NAND闪存来构建宽温固态硬盘，支持主流的SATA III接口和高速PCIe接口。由于采用了内部分拣工艺和严格的温度测试，确保了固态硬盘能够适应快速的温度变化和热冲击，其容量高达4TB，在-40°C和85°C之间的性能得到了验证。同时，抗硫技术、Corner Bond和30μ"金手指的加入，加强了对关键部件的保护，有效延长了
[传感技术]SK海力士成功开发出238层4D NAND闪存 明年上半年量产
SK海力士准备于2023年上半年开始大规模生产新芯片。英特尔NAND业务被SK海力士收购后更名为Solidigm，它与SK海力士合计占有全球NAND闪存市场的18%，仅次于三星的35.3%和Kioxia的18.9%。以下为官方新闻稿全文：SK海力士于8月3日宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存。近日，SK海力士向客户发送了238层 512Gb TLC(Triple Level Cell)* 4D NAND闪存的样品，并计划在2023年上半年正式投入量产。公司表示：“自2020年12月完成176层NAND闪存研发以来，时隔仅1年7个
[传感技术]SK海力士开发出238层NAND闪存芯片 明年上半年量产
北京时间8月3日消息，韩国SK海力士（SK Hynix）已经开发出238层NAND闪存芯片，它可以用于PC存储设备、智能手机和服务器。上周美光也开始出货232层NAND闪存芯片。 SK海力士宣称新的238层芯片是最小的NAND闪存芯片，数据传输速度相比上代产品提升50%，读取数据消耗的能量降低21%。SK海力士准备于2023年上半年开始大规模生产新芯片。 英特尔NAND业务被SK海力士收购后更名为Solidigm，它与SK海力士合计占有全球NAND闪存市场的18%，仅次于三星的35.3%和Kioxia的18.9%。
[传感技术]闪存界跟层数杠上了？SK海力士发布全球首款238层4D NAND闪存
8月3日，韩国知名存储芯片厂商SK海力士宣布成功研发了全球首款业界最高层数的238层NAND闪存，并且在美国圣克拉拉举行的2022闪存峰会上亮相了首款238层4DNAND闪存新产品。SK海力士表示：“此次238层NAND闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球最小的面积。”SK海力士自2020年12月完成176层NAND闪存研发以来，时隔仅1年7个月，就将层数突破到了238层的新高度。据悉，SK海力士已经开始向客户发送238层 512Gb TLC(Triple Level Cell)4D NAND闪存的样品，并计划在2023年上半年正式投入量产。SK海力士NAND闪存开发担当崔
[传感技术]SK海力士官宣238层NAND闪存芯片出世
智通财经APP获悉，世界第二大存储芯片制造商韩国SK海力士周三表示，已开发出其最先进的NAND闪存芯片，该芯片由238层存储单元组成，将用于个人电脑存储设备，以及智能手机和服务器。SK海力士称新的238层芯片是最小的NAND闪存芯片，数据传输速度相比上代产品提升50%，读取数据消耗的能量降低21%。此外，该公司准备于2023年上半年开始大规模生产新芯片。据了解，英特尔(INTC.US)NAND业务被SK海力士收购后更名为Solidigm，它与SK海力士合计占有全球NAND闪存市场的18%，仅次于三星的35.3%和Kioxia的18.9%。值得一提的是，此
[传感技术]NAND闪存芯片进入革新时代
? ? ? ?近日，美光和SK海力士相继官宣，其NAND闪存芯片对堆叠层数突破200层限制。 其中，美光的闪存芯片由232层存储单元组成，数据传输速度将比其上一代176层的芯片快50%，且封装尺寸比前几代产品还要小28%，预计2022年底开始量产232层NAND;而SK海力士的闪存芯片由238层存储单元组成，数据传输速度和功率比上一代提高了50%，读取数据消耗的能量也减少了21%，预计2023年上半年开始量产。 层数越高越好 NAND闪存几乎应用于所有主要的电子终端之中，智能手机、电脑、USB驱动器等都
[传感技术]TrendForce 预计 NAND 闪存需求明年增长 28.9%，供给增长 32%
据国外媒体报道，研究机构 TrendForce?预计，DRAM 供过于求的状况在明年将会更严重，预计市场规模增长 8.5%，首次低于 10%，但供给预计增长 14%，价格预计会继续下滑。而从外媒的报道来看，研究机构预计供给增速超过需求增速的，不只是 DRAM，NAND 闪存预计也会供过于求。外媒在报道中表示，研究机构预计 NAND 闪存的市场需求在明年增长 28.9%，供给增长 32.1%。不过与 DRAM 供过于求更严重，可能导致价格下滑不同，研究机构认为 NAND 闪存有更好的价格弹性，在连续多个季度下滑之后，在企业
[传感技术]TrendForce 预计 NAND 闪存需求明年增长 28.9%，供给增长 32%
? ? 据国外媒体报道，研究机构 TrendForce 预计，DRAM 供过于求的状况在明年将会更严重，预计市场规模增长 8.5%，首次低于 10%，但供给预计增长 14%，价格预计会继续下滑。? ? 而从外媒的报道来看，研究机构预计供给增速超过需求增速的，不只是 DRAM，NAND 闪存预计也会供过于求。? ? 外媒在报道中表示，研究机构预计 NAND 闪存的市场需求在明年增长 28.9%，供给增长 32.1%。? ? 不过与 DRAM 供过于求更严重，可能导致价格下滑不同，研究机构认为 NAND 闪存有更好的价格弹性，在连
[传感技术]SK海力士推出238层4D NAND，暂列世界第一
日前，美光宣布开始生产 232 层 3D NAND。如今，SK海力士则声称其开发了238层4D NAND，成为全球第一。随着对更高密度和性能的需求增长，内存市场在过去一年升温。就在上周，美光宣布生产其 232 层 NAND 闪存技术——据称是业内密度最高的 NAND 芯片。SK 海力士的 4D NAND 产品。图片由 SK 海力士提供?4D NAND 与 3D NAND 相比究竟如何？ SK hynix 最新的NAND与其他最近在内存密度方面取得的进展相比如何？3D NAND 人气飙升随着 NAND 闪存的扩展和性能需求的增加，该技术的发展已陷入僵局。NAND 器件现在非常小
[传感技术]三星宣布即将推出236层V-NAND 3D内存
除了美光和SK海力士宣布了200+层的NAND之后，三星也宣布正准备开始量产其第 8 代 236层V-NAND 3D内存，并为固态存储设备带来更高的性能和密度。三星在 2013 年凭借 24 层 V-NAND 闪存领先竞争对手数年，其他公司也花了相当长的时间才赶上。但从那以后，这家韩国巨头变得更加谨慎，因为构建数百层的 NAND 变得越来越困难。今年，美光和 SK 海力士凭借 232 层和 238 层 3D TLC NAND 设备击败了三星。但据韩国商业报道，三星并没有停滞不前，正准备开始批量生产 236 层的 3D NAND 存储器（当然，将被命名为 V-NAN
[传感技术]外媒：三星计划本月开设NAND闪存新研发中心
据外媒《BusinessKorea》8月17日报道，三星预计将在今年内发布236层NAND闪存产品。此外，三星还计划在本月开设一个新的研发中心，该中心将负责开发更先进的NAND闪存产品。自2020年三星推出176层第七代V-NAND闪存之后，三星目前的层数记录是176层。NAND厂商们正在竞相增加其层数。SK海力士于今年8月初完成了业界最高238层4D NAND闪存研发，并计划在2023H1量产。美光科技于今年7月宣布，公司已开发出232层NAND闪存产品，产品现已在美光新加坡工厂量产。未来，美光还将发力2YY、3XX与4XX等更高层数。西部数据与铠侠于
[传感技术]三星正准备量产第8代V-NAND闪存 持续改进存储密度与传输性能
三星正准备量产第 8 代 V-NAND 闪存，包括即将推出的 PCIe 5.0 SSD 在内的产品，都有望为用户带来巨大的存储容量和性能体验提升。随着 V-NAND 升级到 236 层，同等存储容量的体型也可变得更加紧凑。作为参考，去年发布的第 7 代 V-NAND 已提供 176 层、且支持高达 2.0 GT/s 的传输速率。除了台式机和笔记本电脑，智能手机也有望迎来基于最新一代 V-NAND 的 UFS 3.1（以及最新的 UFS 4.0）标准的高速闪存。不过想要堆砌更多层的 3D-NAND 也并非易事，尽管三星早在 2013 年就率先发布了初代 V-NAND，但实际推行仍
[传感技术]这家半导体大厂消息不断：扩产4纳米，236层NAND在路上
? ? ? ?近日，三星在半导体制程工艺和NAND Flash闪存领域消息不断。 扩产4纳米，Q4每月新增产能2万片 继今年6月抢先宣布量产3纳米工艺之后，市场又有消息称三星计划在第四季度扩产4纳米制程。 据韩国媒体infostockdaily报道，三星4纳米在良率显著提升下，正着手扩产，预计今年第4季每月新增上看2万片产能。 报道称，三星晶圆代工4纳米制程因为良率提升至约六成，因此随客户需求提升而决议扩产，并规划在4纳米豪掷约5万亿韩元投资，欲争取更多高通、超威、英伟达等大厂代工订
[传感技术]东芯股份：19nm 工艺 NAND Flash 产品完成首轮流片，正在调试过程中
8 月 19 日，东芯股份在投资者互动平台表示，公司 19nm 先进制程的 NAND Flash 产品已完成了首轮流片，目前正在产品调试的过程中。东芯股份称，公司在更新工艺方面不断钻研，从 38nm、24nm，再到现在正在开发的 19nm 的工艺。通过更新工艺来为客户带来更具性价比、更高容量的产品。关于 3D?NAND 芯片的研发，东芯股份透露，公司目前聚焦于中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售，暂不涉及 3D?NAND 业务。车规级芯片方面，东芯股份表示，车规级存储器产品对产品各项指标都有更高的要求，
[传感技术]又一家国产先进NAND闪存即将量产！工艺：19纳米
说到国产NAND闪存，大家肯定第一个想到长江存储，但在这一行业努力的还有很多家。8月19日，东芯半导体在回答投资者提问时透露，该公司采用19nm先进工艺的NAND Flash闪存产品已完成了首轮流片，目前正在产品调试的过程中。东芯称，公司在更新工艺方面不断钻研，从38nm、24nm再到正在开发的19nm的工艺，通过更新工艺来为客户带来更具性价比、更高容量的产品。对于是否会进军3D NAND闪存，东芯回应称，目前聚焦于中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售，暂不涉及3D
[传感技术]超1000亿，三星加码NAND闪存、晶圆代工等新技术研发
? ? ? ?近日，市场传出，半导体大厂三星电子将在本月开设一个新的研发中心，负责更先进NAND Flash产品研发。 最新消息是，三星电子已于8月19日在韩国京畿道器兴园区举行了下一代半导体研发(R&D)园区动工仪式。 据韩联社报道，该研发园区总面积约10.9万平方米，将主管NAND闪存、晶圆代工、系统芯片等新技术研发。三星电子计划到2028年对该园区投资约20万亿韩元(约合人民币1030亿元)。 据悉，这是三星电子自2014年以来时隔8年在国内新建研发中心。三星电子相关人士表示，若建
[传感技术]传NAND闪存价格将在下半年进一步下跌 季度降幅达近20%
消息人士称，NAND 闪存价格可能会在 2023 年上半年继续下滑。目前，供应商对数据中心需求转趋谨慎，终端市场整体需求依然低迷。此外，消息人士指出，SSD的库存在整个PC供应链中堆积。华硕电脑等品牌厂商自二季度以来库存居高不下，并继续向下调整SSD和其他组件的订单。据消息人士称，尽管客户订单迅速放缓，但NAND闪存芯片供应商仍然不愿意限制产量或调整即将到来的产能扩张计划。这是因为NAND闪存的价格尚未低于它们的可变成本，而且各自经营规模和产量表现也不相同。不
