[传感技术]长江存储或将提高NAND闪存出货量 但只是缓慢提高
据国外媒体报道，专注于3D NAND闪存设计制造的长江存储，将提高NAND闪存芯片的出货量。外媒是援引产业链的消息，报道长江存储将提高NAND闪存的出货量的，不过是缓慢提高，不会是快速大幅提高，产业链方面也并未透露长江存储NAND闪存目前的出货量和提升的幅度。 长江存储全称为长江存储科技有限责任公司，成立于2016年7月，总部位于武汉，是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM（设计、制造及测试）集成电路企业，同时也提供完整的存储器解决方案，致力于成为全球领先的NAND闪存解决方案提供商。 长江存
[传感技术]研究机构：二季度全球NAND闪存销售额环比增长6.5%
在宅经济的推动下，相关电子产品在今年二季度都有不错的销量，也拉升了处理器、存储等各类零部件的需求，进而提升了相关产品的销售额。市场研究机构的数据显示，在今年二季度，全球NAND闪存的销售额达到了145亿美元，环比增长6.5%。 从研究机构的报告来看，二季度全球NAND闪存的销售额环比增长，既有出货量增加的因素，也有价格提升的因素，由于需求增加，二季度全球NAND闪存的平均价格较一季度增长3%。 研究机构在报告中表示，二季度全球NAND闪存出货量增加，主要是居家办公及学习等各种居家活动增加，对个
[传感技术]长江存储开始大规模量产 NAND闪存报价大跌10%
今年以来的经济形势大变，NAND闪存上半年的合约价还在走强，但是现在已经转变风向了，Q3季度开始正式跌价，Q4季度还会继续扩大。 根据集邦科技旗下半导体研究中心的报告，今年Q1、Q2季度闪存合约价格还是微幅上涨的，分别涨了0-5%、5-10%，但是Q3季度开始就掉头向下，开始供过于求，Q3季度预计供应量超过2.6%，Q4季度预计供过于求幅度扩大到7.8%，进一步拉低闪存价格。 根据集邦科技的报告，往年第3季是传统旺季，但今年第3季受上半年疫情冲击使终端销售库存堆积，加上厂商良率提升增加产出，导致NAND市况旺
[传感技术]三星电子拟投资8万亿韩元建NAND闪存生产线
6月2日消息，据国外媒体报道，三星电子日前表示，计划投资8万亿韩元（约合人民币466亿元）在韩国平泽工业园区建NAND闪存生产线。 生产线建设上月已经开始，预计2021年下半年开始生产三星最先进的V-NAND产品。 三星电子表示，此次投资旨在应对随着人工智能、物联网等第四次工业革命，以及5G普及而来的NAND需求。 5月，三星电子还透露，已在平泽投资建设生产线，新产线专注于基于极紫外光刻（EUV）技术的5nm、及以下制程。新产线已开始建设，预计明年下半年开始量产5nm芯片。 三星电子表示，加上平泽生产
[传感技术]第一季度NAND Flash营收增长8.3%
根据集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）调查，2020年第一季NAND Flash（闪存）位元出货量较前一季大致持平，加上平均销售单价上涨，带动整体产业营收季成长8.3%，达136亿美元。 延续去年第四季开始的数据中心强劲采购力道，第一季Enterprise SSD仍是供不应求。此外，自年初起，各供应商当时的库存水位多已恢复至正常，也带动主要产品合约价呈现上涨。随后在农历春节期间爆发新冠肺炎疫情，根据集邦咨询当时的调查，服务器供应链的恢复状况优于笔记本电脑及智能手机，也因此对于数据中心需求影响有限。笔电
[传感技术]韩媒：4月DRAM价格飙升 NAND闪存价格无变化
据韩媒BusinessKorea报道，新冠肺炎的蔓延致使远程办公、教学等线上活动增加，从而服务器需求激增，因此DRAM的合约价格在4月份飙升。 据市场研究公司DRAMeXchange 的最新数据，截至4月底，用于个人电脑的DDR4 8GB DRAM合约价格平均为3.29美元，较3月的2.94美元上涨11.9%，此为2017年4月以来DRAM价格首次呈现两位数的月度涨幅。 据悉，DRAM的价格自今年1月以来一直在上涨，此前全球半导体市场的放缓一直持续到2019年底，而这种上升趋势是由新冠肺炎的蔓延引起的。由于数据中心安装了更多的服务器，以满足远程
[传感技术]东芝宣布全面停工 NAND现货价格尚未产生波动
4月16日，日本最大的半导体制造商东芝传出全面停工的消息。东芝是闪存技术的缔造者，亦是全球存储芯片龙头企业，不过，东芝此前已将存储业务独立注入铠侠，目前NAND产品的生产暂未受到影响。 据悉，东芝在4月15日宣布了停工的消息，范围包括营业据点和工厂，影响员工多达76000人，暂定的停工期限为4月20起至5月6日。 东芝是目前日本最大的半导体制造商，其在1989年最早研制出了NAND闪存，是闪存技术的缔造者。东芝最早提出架构，并于2012年成功研发出16层3D NAND实验品，3D NAND目前已被行业视为最新技术工艺
[传感技术]长江存储推出128层3D NAND闪存芯片 占据三项世界之最
4月13日，长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC 3D NAND闪存（型号：X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。 作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度、最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量。 据悉，每颗X2-6070 QLC闪存芯片拥有128层三维堆栈，共有超过3,665亿个有效的电荷俘获型（Charge-Trap）存储单元，每个存储单元可存储4字位（bit）的数据，共提供1.33Tb的存储容量。打一个形象的比喻，如果将
[传感技术]长江存储：128层3D NAND技术会按计划在今年推出
据证券时报消息，长江存储CEO杨士宁在接受采访时谈及了该公司最先进的128层3D NAND技术的研发进度。杨士宁表示，128层3D NAND技术研发进度短期确实会有所波及。但目前长江存储已实现全员复工，从中长期来看，这次疫情并不会影响总体进度。128层技术会按计划在2020年推出。今年早些时候，长江存储市场与销售资深副总裁龚翔表示，接下来，长江存储将跳过如今业界常见的96层，直接投入128层闪存的研发和量产工作。▲长江存储64层3D NAND闪存晶圆了解到，长江存储科技有限责任公司成立于2016年7月，总部位于武汉，是一家专
[传感技术]长江存储今年将推出128层3D NAND技术
武汉因疫情影响封城长达76天后，于近日正式解禁。位于武汉的国家存储器基地长江存储的动态进展以及受疫情影响情况受到业内的高度关注。疫情爆发之前，长江存储正以全球最闪亮的“存储生力军”之姿，加入全球3DNAND存储芯片供应之列，包括三星、SK海力士、美光等企业，都紧紧盯着长江存储的每一个举动。 回顾长江存储发展历程，长江存储成立于2016年7月，肩负国家存储器芯片生产重任，负责3DNAND闪存设计制造一体化。2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3DNAND闪存
[传感技术]美光科技将量产基于RG架构的128层3D NAND闪存
美光科技在二季度财报电话会议上透露，该公司即将开始基于全新 RG 架构的第四代 3D NAND 存储器的量产工作。按照计划，美光将于 2020 Q3 采集开始生产，并于 Q4 像商业客户发货。作为这家硬件制造商的一次重大技术转型，第四代 3D NAND 存储器的层数达到了 128 层。资料图（来自：Micron） 此外，作为美光长期技术演进计划的核心，该公司将用替换门（RG）技术来取代与英特尔合作时期使用了多年的传统浮栅技术。 美光拥有 RG 技术的完整设计，且希望本次技术转型能够减小管芯尺寸、降低成本、提高性能，以及更
[电源管理]ADALM2000实验：TTL逆变器和NAND门
品慧电子讯：自20世纪60年代首次生产出集成逻辑门以来，各种数字逻辑电路技术层出不穷。本次实验将研究晶体管-晶体管逻辑(TTL)电路逆变器（非门）和2输入NAND门配置。背景知识TTL逆变器的原理图如图1所示。此电路克服了单晶体管逆变器电路的局限性。基本TTL逆变器由三级组成：电流导引输入、分相级和输出驱动级。 图1. TTL逆变器输入级晶体管Q1执行电流导引功能，可以将它视为背靠背二极管布置。晶体管以正向或反向模式工作，使电流流入或流出第二级晶体管的基极Q2。正向电流增益?F远大于反向电流增益?R。关断时，它提供更高的放电电流来
[通用技术]KIOXIA铠侠庆祝NAND闪存发明35周年
2022年4月25日，中国上海 — 20世纪90年代的MP3播放器与如今的智能手机有什么共同之处？如果没有NAND闪存这一影响力贯穿几十年的创新技术，这两者都将不会存在。全球存储器解决方案领导者KIOXIA铠侠近日宣布，其已达成一座新的里程碑——2022年是公司发明NAND闪存的35周年。回溯到1987年，人们很难想象这项当时的全新技术会以何种方式影响世界。NAND闪存开创了一个崭新的技术时代，并淘汰了使用多年的技术和产品——在不同方面改变了人们的生活。自35年前从零开始，NAND闪存市场现已发展到700亿美元的规模。在容量方面，NAND闪存已经从4Mb
[互连技术]适用于工业应用的 NAND 闪存
品慧电子讯如今，在 NAND 闪存行业中，随处可见存储密度又达到新高的各种新闻。闪存早已实现了 100 层以上的技术，并且在短期内似乎并没有遇到瓶颈的迹象。 伪SLC如何兼顾耐用性和经济性？ 如今，在 NAND 闪存行业中，随处可见存储密度又达到新高的各种新闻。闪存早已实现了 100 层以上的技术，并且在短期内似乎并没有遇到瓶颈的迹象。 目前的趋势是随着层数稳步提高的同时在每个单元中存储更多位元。目前的主流技术是TLC（三层单元，Triple Level Cell），每个单元存储 3 位元，其中的“层”指的是比特数，而不是内部状态。需要存储和读取
[互连技术]威刚工控领先推出112层BiCS5 3D NAND固态硬盘
品慧电子讯2021年7月22日 – 全球工业级嵌入式存储领导品牌ADATA威刚科技(3260)，领先业界推出新一代112层堆栈BiCS5 3D NAND固态硬盘，以容量更高、效能更佳的优势，强力助攻5G、物联网、AI(人工智能)、网通、服务器等应用的发展！根据GSA报告显示，截至2021年5月底，全球已有70国169家业者提供5G商用服务；随着未来5G布建更加完整，与商用5G相关的智能物流、远程医疗、自动驾驶、安防监控等应用也将更为蓬勃。2021年7月22日 – 全球工业级嵌入式存储领导
[电源管理]DRAM与NAND差别这么大，存储之争在争什么？
DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。（关机就会丢失数据）工作原理动态RAM的工作原理，动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列地址引脚复用来组成的。DRAM数据线3管动态RAM的基本存储电路如图所示。在这个电路中，读选择线和写选择线是分开的，读数据线和写数据线也是分开的。写操作时，写选择线为“1”，所以Q1导通，要写入的数据通
[电路保护]拆解谷歌媒体设备：35美元的硬件到底有何乾坤？
本文就跟随小编一起拆解谷歌Chromecast流媒体设备，看看里面35美元的硬件到底有何乾坤。随着把小编的介绍，我们会看到谷歌Chromecast流媒体设备的后盖板、金属屏蔽罩、铝片散热器、PCB上层发热IC以及Chromecast的存储器。 我那个一直上电的Chromecast时不时会用一下，最近几周前还在用，没出现过任何问题。因此，前几天当我的安卓平板电脑找不到它时，我就感到非常困惑了。我的iPad和Mac也不能在网络上检测到它，尽管我重新启动了许多次也不管用。Chromecast上集成的LED只发出稳定的白光，尽管我多次用按钮进行恢复出厂设置的操作，也不能
[贴片电容]东芝推出全球最小级别嵌入式NAND闪存产品
东芝推出全球最小级别 [1]嵌入式NAND闪存产品，这些产品整合了采用尖端的15纳米工艺技术制造的NAND芯片。新产品符合最新的e?MMCTM[2]标准，适用于各种广泛的数字消费产品，包括智能手机、平板电脑和可穿戴设备。16GB产品样品出货即日启动，8GB、32GB、64GB和128GB产品将稍后出货。 新产品在单一封装内整合了采用东芝新一代先进的15纳米工艺技术制造的NAND芯片，以及用于管理NAND应用基本控制功能的控制器。 与同类东芝产品相比[4]，通过采用15纳米NAND芯片，封装面积缩小了约26%[3]。由于改进了基本芯片性能，优化了控制器，
[通用技术]专业SSD厂商处境艰难，NAND闪存后来居上
股价下跌，专业SSD厂商面临着更大的内部挑战与市场难题，SSD产业正在进入强调规模、质量和效率的时代，而不是依靠单个产品的性能。NAND供应增加和争夺超级本设计订单的竞争加剧，促使今年SSD价格大幅下降，这将让自身存在局限的专业SSD厂商处境更加艰难，尤其是面对规模较大的存储领域竞争对手的时候。据IHS iSuppli公司的NAND闪存动态简报，尽管超级本领域使用的固态硬盘(SSD)不断增加，但与NAND闪存供应商相比，专门生产快速SSD的厂商却处于劣势。NADN闪存供应商拥有广阔的市场以及令人生畏的内部产能。今年专业SSD厂商的营业支出不断上
[通用技术]Spansion与SK海力士宣布NAND战略合作
新闻事件： Spansion针对嵌入式市场发布SLC NAND产品 Spansion与SK海力士宣布NAND战略合作事件影响： 双方达成专利交互授权协议 Spansion公司计划在未来几个季度陆续发布一系列NAND产品 将凭借最新的SLC NAND产品进一步扩大在嵌入式市场的领先地位Spansion公司与SK海力士公司近日宣布结成战略同盟，并针对嵌入式应用市场发布4x、3x、2x节点Spansion SLC NAND产品。基于双方合作开发的首款Spansion® SLC NAND产品将于2012年第二季度面世。作为合作的一部分，双方将同时签订专利交互授权协议。Spansion与SK海力士宣布NAN
