[RF/微波]精密低功耗：了解生物电位信号链中的CMRR和RLD
【导读】首先，我们谈谈第三个电极在偏置中的用途。由于生物电势信号和干扰源是完全差分的，理想情况下，测量电极的电路需要偏置在接近中间电源的某个地方。还应考虑电路的共模输入范围。在双电极溶液中，主体浮动到某个未知电位，因此必须添加电阻以向输入提供直流偏置以及输入偏置电流返回路径。在上一篇博文中，我们展示了使用AD4130-8的直流耦合生物电位配置，并参考了用于将主体偏置至中间电源的第三个电极。我们提到这不是真正的右腿驱动（RLD），这对于电池供电的解决方案可能是可以接受的。今天的帖子将阐明为什么会这样，以及使用
[电路保护]细说Semtech SurgeSwitch保护器件
【导读】随着集成电路技术的发展，越来越多的功能集中到尺寸越来越小的芯片中。绝大部分产品接口必须满足抗浪涌的国际标准，如IEC 61000-4-5浪涌保护。而在一些工业系统中有着更长的产品寿命和在更恶劣的环境下工作的需求，因此一个好的浪涌保护方案是非常必要的。 多年来，行业中浪涌保护的主要选择是SMA/SMB离散TVS二极管。尽管TVS二极管功率大，成本低，但因其随温度变化电特性改变和钳位效率不高等因素，可能会导致整体的售后或品牌的损失，从而进一步提升系统的成本。 为了克服这些缺点，同时保证系统的安全性和可靠性，Semtech公司
[电路保护]热环路 PCB ESR 和 ESL 与去耦电容器位置的关系
【导读】LTM4638 是一款集成的 20 V IN、15 A 降压转换器模块，采用微型 6.25 mm × 6.25 mm × 5.02 mm BGA 封装。它具有高功率密度、快速瞬态响应和高效率。该模块内部集成了一个小型高频陶瓷C IN，但受模块封装尺寸的限制，还不够。LTM4638 是一款集成的 20 V IN、15 A 降压转换器模块，采用微型 6.25 mm × 6.25 mm × 5.02 mmBGA封装。它具有高功率密度、快速瞬态响应和高效率。该模块内部集成了一个小型高频陶瓷C IN，但受模块封装尺寸的限制，还不够。图 2 至图 4 显示了带有附加外部 C IN的演示板上的三种不同热环路。个是垂直热环
[电路保护]串行器应用之如何将摄像头的RGB或YUV输出转换成RGB数据？
【导读】串行器可以连接并控制摄像头IC，ADI的这类器件包括MAX9257 (带有半双工UART/I2C控制通道)、MAX9259和MAX9263 (两款均带有全双工同步控制通道)，MAX9263还支持宽带数字内容保护(HDCP)。本应用笔记介绍如何将摄像头的RGB或YUV输出转换成标准显示器接受的RGB数据。串行器可以连接并控制摄像头IC，ADI的这类器件包括MAX9257 (带有半双工UART/I2C控制通道)、MAX9259和MAX9263 (两款均带有全双工同步控制通道)，MAX9263还支持宽带数字内容保护(HDCP)。本应用笔记介绍如何将摄像头的RGB或YUV输出转换成标准显示器接受的RGB数据。摄像头输
[电源管理]RS瑞森半导体在LED驱动电源上的应用
【导读】LED驱动电源是把电源供应转换为特定的电压电流以驱动LED发光的电压转换器，通常情况下：LED驱动电源的输入包括高压工频交流（即市电）、低压直流、高压直流、低压高频交流（如电子变压器的输出）等。而LED驱动电源的输出则大多数为可随LED正向压降值变化而改变电压的恒定电流源。一、前言LED驱动电源是把电源供应转换为特定的电压电流以驱动LED发光的电压转换器，通常情况下：LED驱动电源的输入包括高压工频交流（即市电）、低压直流、高压直流、低压高频交流（如电子变压器的输出）等。而LED驱动电源的输出则大多数为可随LED正向
[电源管理]高能效、小外形的240W USB PD3.1 EPR适配器的参考设计
【导读】更大容量电池需具备相同或更快充电时间的趋势正在加速USB-C PD采用更大的功率及更高的输出电压， USB PD组织发布了最新的USB PD3.1 EPR规范，使得最大的输出达到48V 5A, 240W的功率。在设计USB PD适配器和充电器时，要满足COC V5 Tier2 等最新的能效标准，并考虑小型化设计以配合移动便携式设备等轻薄短小但功能丰富多样的趋势。 安森美(onsemi)最新推出的240 W图腾柱PFC配合最新的高频准谐振 (QR)控制器所构成的双管反激变换器 USB PD3.1 EPR适配器和快充参考设计，模拟协议控制板支持所有PD 3.1 EPR固定输出，在230Vac和48V输出
[互连技术]确定电容器的等效串联电阻 (ESR)
【导读】随着工作频率的增加和电子系统变得越来越复杂和越来越小，设计人员必须密切关注电容器 ESR，因为它会影响功率使用和效率。随着工作频率的增加和电子系统变得越来越复杂和越来越小，设计人员必须密切关注电容器 ESR，因为它会影响功率使用和效率。了解预期工作条件下的 ESR 值可以极大地帮助确定特定电容器是否适合执行给定功能。一些制造商指定特定频率和工作条件下的 ESR，一些只定义耗散因数，而其他制造商既不提供 ESR 也不提供耗散因数。等效串联电阻 (ESR) 是电容器的非理想特性之一，可能会导致电子电路出现各种性能问题。由
[互连技术]2024 武汉国际电子元器件、材料及生产设备展览会（Electrontech China）
主题：创“芯”未来 中国中西部领先的电子技术博览会 专业的电子设计、研发与制造技术展览会！同期展览会：武汉国际工业博览会2024武汉国际电子元器件、材料及生产设备展览会展区分布如下：◆电子元器件/材料展区◆5G和物联网技术应用区◆PCBs/PWBs展区◆电子测试测量技术展览区◆线束加工和连接器制造展区◆电子智能制造展区近年来，得益于中国产业转型升级的大趋势和中西部地区加速开放，电子集群在中西部地区不断崛起，电子信息产业已经成为中西部地区多省市的支柱产业。经过多年的发展，形成了分布在湖北、四川、重庆、湖南、安徽、河
[互连技术]5G VoNR Vs. 4G VoLTE ! 5G双连接下的载波聚合是怎样的？
【导读】5G的网络架构其实承袭自4G，只支持分组交换，不支持电路交换，也就是说自身的5GC核心网是没法支撑语音业务的，必须依赖于一个叫做IMS的系统。 一、5G VoNR Vs. 4G VoLTE ! 5G的网络架构其实承袭自4G，只支持分组交换，不支持电路交换，也就是说自身的5GC核心网是没法支撑语音业务的，必须依赖于一个叫做IMS的系统。 跟IMS结合之后，独立打电话的问题完美解决。因此基于5G的语音业务就叫做VoNR (Voice over NR)。而4G在IMS支持下的语音业务就叫VoLTE（Voice over LTE）。在无NR覆盖时系统间切换回落到VoLTE，甚至3G和2G支持的电路
[互连技术]2023 SiFive RISC-V中国技术论坛即将盛大开幕，北上深再掀开源风暴
【导读】指令精简、模块化、可扩展……已于2022年利用7年时间达成出货量100亿颗的里程碑，RSIC-V正在充分发挥自身的开放开源优势，一路开疆拓土。身为RISC-V的发明者与领导厂商，SiFive正发挥开源生态叠加未来计算新范式的“链主”效应，致力于将RISC-V的无限潜力引领至高性能处理器与高算力场景应用中。同时，100亿颗RISC-V处理器芯片中，近一半产自中国的亮眼数据有目共睹，RISC-V在中国市场信心持续走高，在此大环境背景下，SiFive亲自运营中国市场与业务，希望和中国一起见证RISC-V和生态的腾飞。由RISC-V主要发明人、SiFive共同创办人
[互连技术]在通信系统应用中使用抖动改进 ADC SFDR
【导读】我们讨论了如何使用抖动来通过打破量化误差和输入信号之间的统计相关性来提高理想量化器的性能。所谓理想，是指 ADC 传递函数具有统一的阶跃。换句话说，理想的 ADC 具有零 DNL 误差。这种抖动应用在需要高SFDR 的无线电接收器中尤为重要。我们讨论了如何使用抖动来通过打破量化误差和输入信号之间的统计相关性来提高理想量化器的性能。所谓理想，是指 ADC 传递函数具有统一的阶跃。换句话说，理想的 ADC 具有零 DNL 误差。这种抖动应用在需要高SFDR 的无线电接收器中尤为重要。在本文中，我们将讨论抖动的另一个重要应用，即改进
[互连技术]线边缘粗糙度(LER)如何影响先进LER的性能？
【导读】由后段制程(BEOL)金属线寄生电阻电容(RC)造成的延迟已成为限制先进节点芯片性能的主要因素[1]。减小金属线间距需要更窄的线关键尺寸(CD)和线间隔，这会导致更高的金属线电阻和线间电容。图1对此进行了示意，模拟了不同后段制程金属的线电阻和线关键尺寸之间的关系。即使没有线边缘粗糙度(LER)，该图也显示电阻会随着线宽缩小呈指数级增长[2]。为缓解此问题，需要在更小的节点上对金属线关键尺寸进行优化并选择合适的金属材料。介绍由后段制程(BEOL)金属线寄生电阻电容(RC)造成的延迟已成为限制先进节点芯片性能的主要因素[1]。减小
[电路保护]汽车LiDAR GaN的Design Win——高效功率转换引领市场
【导读】光探测与测距(LiDAR)是一项具有巨大发展潜力的技术。首个概念是在激光发明后不久的20世纪60年代提出的，随后在测量，航空航天和自动驾驶汽车方面的机会真正推动了增长。光探测与测距(LiDAR)是一项具有巨大发展潜力的技术。首个概念是在激光发明后不久的20世纪60年代提出的，随后在测量，航空航天和自动驾驶汽车方面的机会真正推动了增长。LiDAR系统的测绘和应用范围各不相同，但它们的工作原理是相同的。他们将激光指向目标，并利用激光反射到光源所需的时间来测量距离。“点云”也可以用来生成3D图像。激光脉冲速率越高，激光雷达
[电路保护]RS瑞森半导体500V高压MOS在高速吹风机上的应用
【导读】一般来说，高速吹风机采用高速直流无刷马达，转速在10万rpm以上，风速20m/s以上（主要是40m/s以上），而普通吹风机采用传统有刷马达，转速在20000转左右，风速低于20m/s。一、前言一般来说，高速吹风机采用高速直流无刷马达，转速在10万rpm以上，风速20m/s以上（主要是40m/s以上），而普通吹风机采用传统有刷马达，转速在20000转左右，风速低于20m/s。高速吹风机的工作原理：通过高转速马达以及风道设置产生高速气流，加大与发丝摩擦，形成康达效应，使气流随着发丝移动，从而更快速吹干头发。高速吹风机的优点：具备智能温控，内
[电源管理]如何使用单电源供电的NRZ到AMI转换器
【导读】在经过电缆的数字数据传输中经常使用交替传号反转(AMI)编码，因为这种编码没有直流分量。除此之外，AMI信号的带宽也要比等效的归零(RZ)码低。正常情况下，为了产生诸如AMI这样的双极波形，需要使用正负两个电源。在经过电缆的数字数据传输中经常使用交替传号反转(AMI)编码，因为这种编码没有直流分量。除此之外，AMI信号的带宽也要比等效的归零(RZ)码低。正常情况下，为了产生诸如AMI这样的双极波形，需要使用正负两个电源。另外，双极波形产生电路可能要用到模拟元件。然而，本设计实例取消了所有这些要求，只使用一些门、一个触
[电源管理]TLVR高压考虑事项
【导读】随着设计需求越来越具有挑战性，尤其是在数据中心和AI等低电压、大电流应用领域，电压调节器(VRS)的性能改进非常重要。一种可能的性能改进是使用耦合电感[1-4]，但最近业界提出了一种类似的方法，那就是跨电感电压调节器(TLVR) [5-7]。 TLVR的原理图来自耦合电感模型，但物理行为不同。事实上，耦合电感的简单模型通常是可以轻松用于仿真以实现正确波形的东西，但它与实际物理行为并不对应。另一方面，TLVR几乎是由原理图所示的元件构建，因此在这种情况下，仿真模型更接近实际系统的物理行为。 TLVR是一个相对较新的开发，具体细
[电源管理]单个MCU即可实现多电机控制！基于RX72T的4电机控制示例
【导读】随着MCU功能和性能的提高，从单电机/单MCU到多电机/单MCU进行控制，实现了系统的小型化和系统成本的降低。尤其是在洗衣机和空调等领域，这种趋势非常明显，现在几乎所有的产品都是多电机控制。本期将介绍使用可多电机控制的RX72T对4个电机进行控制的演示。 柏崎 直人Sr Staff Product Marketing Specialist 不同的电机控制方式，MCU所需的处理性能和功能资源也不同。本期演示采用了无传感器矢量控制。无传感器矢量控制是一种高效且可降低传感器BOM成本的控制方法，但由于需要进行电机角度估计和矢量控制的运算，因此MCU需要更高的
[电源管理]1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7单管性能分析及其在T型三电平拓扑中的应用
【导读】英飞凌TRENCHSTOP? IGBT7系列单管具有两种电压等级（650V&1200V）和三个系列（T7，S7，H7）。其中，H7系列单管针对光储、UPS、EV charger、焊机等应用进行了专门的优化，并配备了全电流EC7 rapid二极管。凭借极低的开关损耗、导通损耗和丰富的产品系列，H7单管正在成为光伏和储能应用的新星。 产品特点 ● 按照应用需求去定义产品，去掉短路能力从而获得更低的开关损耗和导通损耗，如图1所示。完美适配于不需要短路能力的光储等应用。 ● 1200V H7系列有四种封装，电流规格覆盖40A-140A。其中140A的电流规格为市场首发，如图2
[互连技术]三极管用饱和Rce，而MOSFET用饱和Vds？
【导读】MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而MOSFET用饱和Vds呢？MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而MOSFET用饱和Vds呢？三极管ON状态时工作于饱和区，导通电流Ice主要由Ib与Vce决定，由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能简单的仅 由Vce来决定，即不能采用饱和Rce来表示（因Rce会变化）。由于饱和状态下Vce较小，所以三极管一般用饱和Vc
[互连技术]基于形式的高效 RISC-V 处理器验证方法
【导读】RISC-V的开放性允许定制和扩展基于 RISC-V 内核的架构和微架构，以满足特定需求。这种对设计自由的渴望也正在将验证部分的职责转移到不断壮大的开发人员社群。然而，随着越来越多的企业和开发人员转型RISC-V，大家才发现处理器验证绝非易事。新标准由于其新颖和灵活性而带来的新功能会在无意中产生规范和设计漏洞，因此处理器验证是处理器开发过程中一项非常重要的环节。RISC-V的开放性允许定制和扩展基于 RISC-V 内核的架构和微架构，以满足特定需求。这种对设计自由的渴望也正在将验证部分的职责转移到不断壮大的开发人员社群。
