[电源管理]ZXMS6004FF：Diodes自保护式MOSFET
产品特性： 采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封装 提供三倍于同类较大封装元件的封装功率密度 集成了ESD、过压、过流及过温保护 导通电阻仅为500m? 逻辑电平输入为3.3V或5V应用范围： 便携应用 消费电子应用Diodes公司扩展其IntelliFET产品系列，推出体积最小的完全自保护式低压侧MOSFET。该ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封装，与正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封装的元件相比节省了85%的占板空间。虽然SOT23F的扁平封装体积小巧，但其卓越的散热性能可使ZXMS6004FF提供三倍于同类较大封装
[电源管理]OptiMOS,P2：英飞凌推出高能效单P沟道40V汽车电源MOSFET
产品特性： 无需额外的电荷泵器件，可大幅节约成本 低栅极电荷、低电容、低开关损耗、大电流、高能效 多种标准封装，符合RoHS标准的无铅电镀的要求应用范围： 汽车电源管理应用领域英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用先进沟道工艺制造的全新单P沟道40V汽车电源MOSFET产品系列。全新的40V OptiMOS P2产品为能效改进、碳减排和成本节约树立了行业新标杆，从而进一步巩固英飞凌在新一代汽车电源管理应用领域的领导地位。新推出的器件系列采用多种标准封装，电流范围为50A至180A，囊括30多个器件型号，
[电源管理]Diodes推出超小型DFN封装的MOSFET双器件
产品特性： 用于这些封装的MOSFET均具有低栅电荷 在 1.8V VGS下的典型R DS(ON)为86毫欧，以确保开关及导通损耗最小 SBR的功率损耗远低于传统肖特基二极管应用范围： 用于传统便携式应用设计Diodes公司应用的高热效率、超小型DFN封装的双器件组合技术,推出便携式充电设备的开关。Diodes 亚太区技术市场总监梁后权先生指出，DMS2220LFDB和 DMS2120LFWB把一个20V的P沟道增强模式MOSFET与一个配套二极管组合封装，提供2mm x 2mm DFN2020及3mm x 2mm DFN3020两种封装以供选择。DMP2160UFDB则把两个相同的M
[电源管理]IRFP4XXXPBF：IR工业用高性能TO-247封装MOSFET
产品特性： 通态电阻能效比同类产品高出达50% 采用TO-247封装 N沟道MOSFET系列可提供40V至200V电压 符合工业级及MSL1要求 不含铅并符合RoHS应用范围： 同步整流、动态ORing 高功率DC马达、DC-AC转换器 电动工具等工业应用国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布推出具有基准低通态电阻(RDS (on))的沟道型HEXFET功率MOSFET系列。这些采用TO-247封装的MOSFET适用于同步整流、动态ORing及包括高功率DC马达、DC-AC转换器及电动工具等工业应用。新MOSFET的通态电阻 (RDS
[电源管理]安森美半导体推出高压MOSFET系列
产品特性： 推出高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管 是500 V和600 V器件是单N沟道MOSFET 提供有竞争力的低导通阻抗实现极低的功率耗散应用范围： 非常适合用于游戏机、打印机和笔记本电源适配器等应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)扩充公司市场领先的功率开关产品阵容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)系列。这些新方案的设计适合功率因数校正(PFC)和脉宽调制(PWM)段等高压、节能应用的强固要求，在
[电源管理]FDMA1027/2P853：飞兆半导体最薄MicroFET,MOSFET
产品特性： FDMA1027是20V P沟道PowerTrench MOSFET FDFMA2P853则是20V P沟道PowerTrench MOSFET，带有肖特基二极管 采用2mm x 2mm x 0.55mm MLP封装 提供卓越的功率消耗和降低传导损耗 能够耗散1.4W功率 符合RoHS和无铅回流焊的要求应用范围： 便携应用飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新超薄的高效率MicroFET产品FDMA1027，满足现今便携应用的尺寸和功率要求。FDMA1027是20V P沟道PowerTrench MOSFET，FDFMA2P853则是20V P沟道PowerTrench MOSFET，带有肖特基二极管，并
[电源管理]AON7423：AOS推出高功率密度、高能效的功率MOSFET用于便携式应用
产品特性： 高功率密度、高能效 DFN3X3封装，0.8毫米超薄厚度 同类型产品中最低的RDS(ON)应用范围： 平板电脑、智能手机、电子书等便携式产品日前，集设计，开发和全球销售的功率半导体供应商AOS半导体有限公司（AOS），发布了具有行业领先标准的高功率密度和高效能的功率MOSFET，它们的DFN3X3封装厚度只有超薄的0.8毫米。新的产品上应用了AOS的AlphaMOS专利技术。这些技术的好处在于它可以延长电池的使用寿命，还可以使设计变的更简单紧凑，适用于便携式产品，例如：平板电脑、智能手机,电子书、笔记本电脑、数码
[电源管理]Diodes,推出适合LCD背光应用的新型MOSFET,器件
产品特性： 采用业界标准的TO252和SO8 封装 具有高功率处理和快速开关功能 可满足高效CCFL驱动器架构的要求 包括15款不同液晶背光应用的新型器件应用范围： LCD 电视和显示器背光应用Diodes 公司进一步扩展其多元化的MOSFET 产品系列，推出15款针对 LCD 电视和显示器背光应用的新型器件。新器件采用业界标准的TO252和SO8 封装，具有高功率处理和快速开关功能，可满足高效CCFL驱动器架构的要求。Diodes 亚太区技术市场总监梁后权表示：“30V 额定双N沟道DMN3024LSD 采用SO8 封装，适用于推挽式逆变器，可比分立
[Vishay威世]Si8422DB：Vishay采用MICRO FOOT封装的MOSFET
产品特性： 器件具有背面绝缘的特点 1.55mm ×1.55mm的超小尺寸及0.64mm的超薄厚度 VGS 1.8V时0.043? 至4.5V时0.037?的低导通电阻 最大栅源电压为 ±8 V应用范围： 手机、PDA、数码相机 MP3 播放器及智能电话等便携设备日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH） 宣布推出业界首款采用 MICRO FOOT芯片级封装的 TrenchFET功率 MOSFET --- Si8422DB，该器件具有背面绝缘的特点。Si8422DB 针对手机、PDA、数码相机、MP3 播放器及智能电话等便携设备中的功率放大器、电池和负载切换进行了优化
[电源管理]IR推出新系列逻辑电平栅极驱动沟道HEXFET功率MOSFET
产品特点： 该器件具有基准通态电阻和高封装电流额定值 在4.5V Vgs下实现非常低的RDS(on) 电压范围为40V至100V 已获得工业级和MSL1潮湿敏感度认证应用领域： 高功率DC电机和电动工具、工业电池及电源应用国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新系列逻辑电平栅极驱动沟道HEXFET功率MOSFET。该器件具有基准通态电阻 (RDS(on)) 和高封装电流额定值，适用于高功率DC电机和电动工具、工业电池及电源应用。新系列基准MOSFET采用了IR最新的沟道技术，可在4.5V Vgs下实现非常低的RDS(o
[Vishay威世]SiR870DP/Si4190DY：Vishay推出100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET
SiR870DP和Si4190DY的产品特性： 采用新型ThunderFET®技术 SO-8/PowerPAK® SO-8封装 在4.5V下具有业内最低导通电阻SiR870DP和Si4190DY的应用范围： 电源日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出两款新的100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型 ThunderFET®技术，在具有4.5V电压等级的100V MOSFET中具有业内最低的导通电阻。此外，该器件的导通电阻与栅极电荷乘积也是同类产品中最佳的，该数值是衡量DC/DC转换器应用中MOSFET性能的优值
[电源管理]STx7N95K3:ST推出全新系列功率MOSFET晶体管
产品特性： 950V的击穿电压级别 可以使用一个单一950V MOSFET取代双晶体管电路 能够承受高于击穿电压的电涌 额定雪崩电流为9A 导通电阻RDS(ON)被降至1.35欧姆以下应用范围： 液晶显示器 电视机 节能灯镇流器等产品日前，意法半导体推出全新系列功率MOSFET晶体管，新产品的击穿电压更高，抗涌流能力更强，电能损耗更低，特别适用于设计液晶显示器、电视机和节能灯镇流器等产品的高能效电源。 STx7N95K3系列为功率MOSFET新增一个950V的击穿电压级别产品，此一新级别的产品特别适用于
[电源管理]FDZ391P：Fairchild最新CSP封装P沟道MOSFET
产品特性： 采用1 x 1.5 x 0.4mm WL-CSP封装 侧高比标准P沟道MOSFET降低40% 具有低RDS(ON) (74mOhm typical @ -4.5V VGS) 出色的功耗性能1.9W 符合RoHS，适应无铅回流焊要求应用范围： 下一代手机、MP3播放器 其它便携应用飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出采用1 x 1.5 x 0.4mm WL-CSP封装的单一P沟道MOSFET器件FDZ391P，能满足便携应用对外型薄、电能和热效率高的需求。FDZ391P采用飞兆半导体的1.5V额定电压PowerTrench工艺设计，结合先进的WL-CSP封装，将RDS(ON) 和所需的
[电源管理]NVTFS系列：安森美半导体推出6款功率MOSFET用于汽车模块
产品特性： 采用小型扁平引脚封装 兼具大额定电流及低导通阻抗 为汽车模块节省珍贵空间并提供强固性能应用范围： 用于汽车模块六款新的逻辑电平功率MOSFET通过AEC-Q101认证，采用小型扁平引脚封装，兼具大额定电流及低导通阻抗，针对汽车要求2011年2月9日，应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体推出6款新的通过AEC-Q101认证逻辑电平单通道功率MOSFET，用于汽车模块，采用小型扁平引脚(FL)封装。这些器件采用5 mm x 6 mm SO-8FL封装及3.3 mm x 3.3 mm WDFN-8封装，占位面积比业
[Vishay威世]SiA850DJ：Vishay集成190V功率二极管的MOSFET
产品特性： MOSFET及功率二极管整合到同一封装 小体积，低成本 在1.8V 时便可达到导通电阻额定值 无需使用电平位移电路 导通电阻:介于1.8V VGS时17?～4.5V VGS时3.8? 无铅，无卤素，并且符合 RoHS规范应用范围： 面向高压压电电动机的升压直流到直流转化器 手机、PDA、MP3 播放器及智能电话等便携式设备日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布推出业界首款带有同体封装的 190V 功率二极管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，该器件具有 2mm×2mm 的较小占位面积以及 0.7
[电源管理]STY112N65M5：ST太阳能电池功率调节器用MOSFET
产品特性： 耐压650V STY112N65M5:最大导通电阻为0.022Ω（漏极电流为93A） STW77N65M5:最大导通电阻0.038Ω（漏极电流为66A） 采用了改进Super Junction结构应用范围： 太阳能电池功率调节器意法半导体（ST）开发出了用于配备太阳能电池功率调节器的MOSFET。耐压650V，有最大导通电阻为0.022Ω（漏极电流为93A）的“STY112N65M5”和最大导通电阻0.038Ω（漏极电流为66A）的“STW77N65M5”。此前，太阳能电池功率调节器一直使用IGBT，但由于MOSFET的导
[电源管理]NP110NXXPUJ：NEC低电压PowerMOSFET系列
产品特点： 新产品采用NEC电子的SuperJunction技术 可最小化开关损耗并提高系统效率 SuperJunction技术可减少超过30%的栅电荷和输入电容 保持极低的导通电阻应用范围： 适用于高效率大电流开关应用 汽车工程中的EPS（电子动力转向）或ABS 低电压工业驱动技术中的叉车驱动或其他由电池驱动的设备近日，NEC电子（欧洲）推出两款新品NP110N04PUJ和NP110N055PUJ，以扩展其低电压PowerMOSFET系列产品。新产品采用NEC电子的SuperJunction技术，具有杰出的优值系数（FOM），可最小化开关损耗并提
[Vishay威世]Vishay推出三款采用不同封装的的500V功率MOSFET
产品特性： 在10V栅极驱动下的最大导通电阻仅有0.27Ω 栅电荷只有65nC，品质因数仅为17.75 可处理72A的脉冲电流和18A的连续电流应用范围： LCD TV、PC机、服务器、通信系统和焊接机器日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型500V电压的功率MOSFET --- SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)、SiHG20N50C，将该公司的6.2代N沟道平面FET技术延伸到TO-220、TO-220F和TO-247封装上。新的SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)和SiHG20N50C具有500V的额定电压，在
[电源管理]IR推出车用DirectFET?2功率MOSFET芯片组适合电动车,DC-DC,应用
产品特性： 包含 AUIRL7732S2 / AUIRL7736M2 MOSFET 可最大限度减少 DC-DC 转换器的开关和传导损耗 低电阻及低于 D2Pak 10 倍的寄生电感应用范围： 内燃机、混合动力和电动车中的 DC-DC 应用 泵和风扇的变频驱动器 替代接线盒应用中的继电器国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出了一款优化版车用 DirectFET®2 功率 MOSFET 芯片组，适合内燃机、混合动力和电动车中的 DC-DC 应用。新型 40V 逻辑电平栅极驱动芯片组包含 AUIRL7732S2 MOSFET 和 AUIRL7736M2 MOSFET
[Vishay威世]SiB800EDK：Vishay新款超小MOSFET＋SBD器件
产品特性： 采用1.6mm×1.6mm 的热增强型PowerPAK SC-75 封装 肖特基二极管在100 mA 时具有 0.32V 低正向电压 将两个元件整合到一个封装中节省了空间 较低的正向电压，降低了电平位移应用中的压降 具有0.960?～0.225?的低导通电阻范围 1.5 V 时的低导通电阻额定值 具有ESD保护，并且无铅，无卤素，符合RoHS应用范围： 手机、PDA、数码相机 MP3 播放器及智能电话等便携式设备日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布推出业界最小的20V n 通道功率
