[传感技术]宽带间隙设备提高了电动汽车和机器人的移动性和自主性
近年来，随着氮化镓成本的下降，（GaN）和碳化硅（SiC）在这些应用中，设备等宽带间隙半导体已成为越来越流行的硅开关替代品。碳化硅技术被广泛认为是硅的可靠替代品，通常被使用TO-247和TO-现有项目中的220封装可直接更换MOSFET和IGBT。汽车和工业电子产品需要高性能的解决方案，在提供能源效率和可靠性的同时降低设备尺寸。近年来，随着氮化镓成本的下降，（GaN）和碳化硅（SiC）在这些应用中，设备等宽带间隙半导体已成为越来越流行的硅开关替代品。GaN逆变器、电压转换器和快速充电设备是开关最流行的应用。GaNF
[传感技术]Diodes 公司的 40V 额定电压符合汽车规格的同步降压转换器支持高效运行并降低 EMI
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布其符合汽车规格的 DC-DC 转换器系列又添新成员。 AP64060Q 是一款 600mA 的同步降压转换器器件，输入电压范围为 4.5V 至 40V。它集成了了 600mΩ 的高侧功率 MOSFET 和 300mΩ 的低侧功率 MOSFET，可提供高效的降压转换 (效率达 90%)，且占用的 PCB 机板空间最小。AP64060Q 专门设计用于汽车动力系统、信息娱乐系统和仪表组件，以及用于车辆的外部照明。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202208/437620.htmAP64060Q 具有非常低的静态电流 (IQ)，通常仅为 90μA，
[传感技术]碳化硅的谎言与真相
本文来自微信公众号：金捷幡（ID：jin-jiefan），作者：金捷幡，头图来自：视觉中国都说买股票买的是预期，其实通常买的是故事。老话说，Buy the rumor， sell the news。也就是，有故事的时候买，消息落地（故事结局）赶紧卖掉。注意，上述谚语中即使故事成真，如果没有新的故事了，股票也不再涨了。和量子计算很像（旧文：《量子计算的谎言与真相》），碳化硅（SiC）的故事也很漂亮：有深度有门槛有前景有震撼，大家都有美好的未来。那么，碳化硅和大众曾经喜欢的石墨烯、纳米管、钠电池等等宏大的故事有没有相似处呢
[传感技术]瑞能半导体以效率优势探索，凭新一代碳化硅MOSFET定义性能新高度
“目前，全球推进“双碳”目标，缓解日益严重的温室效应的过程将带来更多清洁能源发电、新能源汽车、充电桩和储能等全新的需求。显而易见，功率半导体会成为绿色能源和高效负载能源网络的关键驱动力。根据 Yole 预测，全球功率半导体器件市场将有望从 2020 年的175 亿美元增长至 2026 年 的 262 亿美元，年均复合增长率为 6.9%。 ” 瑞能半导体CEO Markus Mosen先生受邀出席
[传感技术]东芝推出面向更高效工业设备的第三代SiC MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品，已于今日开始出货。?? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ??新产品的单位面积导通电阻（RDS(ON)A）下降了大约43%[3]，从而使“漏源导通电阻×栅漏电荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大约80%[4]，这是体现导通损耗与开关损耗间关系的重要指标。这
[传感技术]LM5180是具有 100V、1.5A 集成 MOSFET 的 65VIN 无光反激式转换器
产品详情描述：LM5180 是一款初级侧稳压 (PSR) 反激式转换器，在 4.5V 至 65V 的宽输入电压范围内具有高效率。隔离输出电压从初级侧反激电压采样，无需光耦合器，电压参考，或来自ATMEGA16A-MU变压器的第三绕组用于输出电压调节。高集成度实现了简单、可靠和高密度的设计，只有一个组件穿过隔离栅。边界导通模式 (BCM) 开关可实现紧凑的磁性解决方案以及优于 ±1.5% 的负载和线路调节性能。一个集成的 100V 功率 MOSFET 提供高达 7W 的输出功率，并为线路瞬态提供了增强的裕量。LM5180 反激式转换器采用 8 引脚、4
[传感技术]碳化硅与车载充电器(OBC)
国内新能源汽车始终保持着高速发展趋势，从而不断寻求更高的提升与改进，而提升续航里程最直接的办法就是尽可能地提高电池的能量密度。但电池能量密度不能持续增加的时候，降低车用部件的重量成为另一个方向的选择。而碳化硅功率器件有利于OBC功率密度的提升和重量的降低。OBC重要性OBC（车载充电器），作为新能源汽车核心零件，它直接决定了新能源汽车的安全性及稳定性。同时OBC作为新能源汽车的核心器件之一，它的功率密度直接影响整车的重量，续航里程、充电时间等。 碳化硅功率器件与OBC当前，智能化、轻量化
[传感技术]功率半导体，不相信下行周期
IC insights表示，功率半导体销售额的持续增长，主要是因为这一细分市场产品的平均销售价格(ASP)达到了近十多年来的最高涨幅，功率半导体的平均销售价格在2021年同比增长了8%，预计2022年将同比增长11%，这是自2010年从2007-2008年金融危机引发的经济衰退中复苏以来的最高增长率。 预计至2026年，功率半导体市场年销售额将稳步增长，达到289亿美元，复合年增长率(CAGR)为5.5%。 相比之下，当前半导体下行周期的冷风吹向了行业的方方面面。 台积电不久前声称，预计2023年芯
[传感技术]Vishay推出薄型PowerPAK 600V EF系列快速体二极管MOSFET，其RDS(ON)*Qg FOM创业界新低
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用薄型PowerPAK??10 x 12封装的新型第四代600 V EF系列快速体二极管MOSFET---SiHK045N60EF。Vishay Siliconix n沟道 SiHK045N60EF导通电阻比前代器件降低29 %，为通信、工业和计算应用提供高效、高功率密度解决方案，同时栅极电荷下降60 %，从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中600 V MOSFET的重要优值系数（FOM）创业界新低。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202210/438992.htmVishay提供丰富的MOSFET技术以支持各级功率转换，涵盖高压输
[传感技术]Vishay推出薄型PowerPAK? 600 V EF系列快速体二极管MOSFET，其RDS(ON)*Qg FOM创业界新低
宾夕法尼亚、MALVERN?—?2022年10月12日?— 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用薄型PowerPAK??10 x 12封装的新型第四代600 V EF系列快速体二极管MOSFET---SiHK045N60EF。Vishay Siliconix n沟道 SiHK045N60EF导通电阻比前代器件降低29 %，为通信、工业和计算应用提供高效、高功率密度解决方案，同时栅极电荷下降60 %，从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中600 V MOSFET的重要优值系数（FOM）创业界新低。?Vish
[传感技术]这一类芯片卖出百亿美元！电动汽车、工控和通讯需求高涨
这一类芯片卖出百亿美元！电动汽车、工控和通讯需求高涨 MOSFET全称为金属-氧化物半导体场效应晶体管，由于具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，目前已广泛使用在电力电子电路中。| MOSFET百亿美元市场，主要厂商交期和价格依然保持在高位从市场规模来看，据Omdia统计，2020年全球MOSFET市场规模达80.67 亿美元，其中中国占比43.65%，约为35.21亿美元。据其预测，未来在5G、服务器、电动汽车、新基建等市场的推动下，全球MOSFET将以将不低于6.7%较高
[传感技术]国星光电推出 KS 系列 SiC MOSFET 产品：可用于移动储能、光伏逆变、新能源汽车充电桩等
IT之家 11 月 7 日消息，近日，国星光电研究院推出以 TO-247-4L 为封装形式的 NSiC-KS 系列产品，可应用于移动储能、光伏逆变、新能源汽车充电桩等场景。IT之家获悉，随着工业 4.0 时代及新能源汽车的快速普及，工业电源、高压充电器对功率器件开关损耗、功率密度等性能的要求也不断提高，新型高频器件 SiC MOSFET 因其耐压高、导通电阻低、开通损耗小等优异特点，正在抢占新能源市场。国星光电的封装技术通过科学系统的设计，采用带辅助源极管脚的 TO-247-4L 作为 NSiC-KS 系列产品的封装形
[传感技术]清纯半导体推出新能源车主驱用SiC芯片
近日，国内SiC功率器件企业清纯半导体推出了1200V/14mΩ SiC MOSFET产品——S1M014120H，并通过了车企和tier1厂商的测试。 ? 1200V/14mΩ SiC MOSFET晶圆采用S1M014120H的1200V/800A功率模块，可以在更大的栅极驱动电压范围内工作，以适应不同驱动电路的开发需求。其最高允许工作结温为175℃，进一步提升了器件的载流能力，有助于实现更高的功率密度。 ? （JSSIA整理）
[传感技术]安森美推出采用创新Top Cool封装的MOSFET
“领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布推出新系列MOSFET器件，采用创新的顶部冷却，帮助设计人员解决具挑战的汽车应用，特别是电机控制和DC-DC转换。 ” 顶部冷却简化设计并降低成本，实现小巧紧凑的电源方案领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布推出新系列MOSFET器件，采用创新的顶部
[传感技术]安森美推出采用创新Top Cool封装的MOSFET
2022年11月17日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布推出新系列MOSFET器件，采用创新的顶部冷却，帮助设计人员解决具挑战的汽车应用，特别是电机控制和DC-DC转换。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202211/440528.htm?新的Top Cool器件采用TCPAK57封装，尺寸仅5mm x 7mm，在顶部有一个16.5 mm2的热焊盘，可以将热量直接散发到散热器上，而不是通过传统的印刷电路板（以下简称“PCB”）散热。采用TCPAK57封装能充分使用PCB的两面，减少PCB发热，从而提高功率密
[传感技术]RS瑞森半导体超高压MOSFET 900V-1500V填补国内市场空白
一、破局进口品牌垄断现阶段半导体市场，900V-1500V的超高压MOSFET几乎被进口品牌垄断，并存在价格高、交付周期长等问题，为填补国内该项系列产品的市场空白，瑞森半导体采用新型的横向变掺杂技术，利用特殊的耐压环和晶胞设计，研发出电压更高、导通内阻更低的超高压系列MOS管，打破了进口品牌垄断的局面 。二、产品应用及特点超高压的器件主要应用场景为音响电源、变频器电源、逆变器、DC-DC转换、工业三相智能电表、LED照明驱动等辅助电源。产品特点：1.新型的横向变掺杂技术、超高电压，超小内阻；2.散
[传感技术]安森美：聚焦SiC产能扩建，推出最新MOSFET产品
?近日，安森美公布了2022年第三季度业绩，其三季度业绩直线上扬，总营收21.93亿美元，同比增长25.86%；毛利10.58亿美元，同比增长46.82%。财报数据显示，其三大业务中，智能电源组营收为11.16亿美元，同比增长25.1%；高级解决方案组营收7.34亿美元，同比增长19.7%；智能感知组营收为3.42亿美元，同比增长44.7%，三大业务全线保持增长。自安森美总裁兼首席执行官Hassane El-Khoury加入安森美后，安森美执行了一系列的战略转型，聚焦于智能电源和智能感知两大领域，从传统的IDM向轻量灵活型Fab-Liter
[传感技术]Nexperia推出用于热插拔的全新特定型应用MOSFET (ASFET)，SOA性能翻倍
2022年11月18日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布扩展其适用于热插拔和软启动的ASFET产品组合，推出10款全面优化的25V和30V器件。新款器件将业内领先的安全工作区(SOA)性能与超低的RDS(on)相结合，非常适合用于12V热插拔应用，包括数据中心服务器和通信设备。?多年来，Nexperia致力于将成熟的MOSFET专业知识和广泛的应用经验结合起来，增强器件中关键MOSFET的性能，满足特定应用的要求，以打造市场领先的ASFET。自ASFET推出以来，针对电池隔离(BMS)、直流电机控制、以太
[传感技术]Nexperia推出用于热插拔的全新特定型应用MOSFET (ASFET)，SOA性能翻倍
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布扩展其适用于热插拔和软启动的ASFET产品组合，推出10款全面优化的25V和30V器件。新款器件将业内领先的安全工作区(SOA)性能与超低的RDS(on)相结合，非常适合用于12V热插拔应用，包括数据中心服务器和通信设备。 本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202211/440601.htm?多年来，Nexperia致力于将成熟的MOSFET专业知识和广泛的应用经验结合起来，增强器件中关键MOSFET的性能，满足特定应用的要求，以打造市场领先的ASFET。自ASFET推出以来，针对电池隔离(BM
[传感技术]安森美推出采用创新Top Cool封装的MOSFET
领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布推出新系列MOSFET器件，采用创新的顶部冷却，帮助设计人员解决具挑战的汽车应用，特别是电机控制和DC-DC转换。?新的Top Cool器件采用TCPAK57封装，尺寸仅5mm x 7mm，在顶部有一个16.5?mm2的热焊盘，可以将热量直接散发到散热器上，而不是通过传统的印刷电路板（以下简称“PCB”）散热。采用TCPAK57封装能充分使用PCB的两面，减少PCB发热，从而提高功率密度。新设计的可靠性更高从而增
