[二极管]Littelfuse公司推出SR05系列瞬态抑制二极管阵列
中国，北京，2013 年4月16日 - Littelfuse公司（电路保护领域的全球领先企业）今日宣布，推出了SR05系列瞬态抑制二极管阵列——SPA®二极管，该产品专门用于保护电信和工业设备免遭静电放电（ESD）和雷击导致的浪涌现象的破坏。 每个通道或输入/输出引脚均可安全吸收高达25A的反复性ESD冲击，且性能不会下降。 由于氧化层极薄且晶体管结点较浅，现代芯片组极易受到损坏。 由于具有极低的动态电阻和箝位电压，SR05系列装置能够保护当今的小型芯片组免受瞬态现象的损害。 凭借每个输入/输出端与地面之间极低的电容，该装置可提
[二极管]Littelfuse公司推出SRDA05系列SPA瞬态抑制二极管阵列
中国，北京，2013 年4月9日 - Littelfuse公司（电路保护领域的全球领先企业）现已推出SRDA05系列SPA®瞬态抑制二极管阵列。 SRDA05系列专门用于保护电信数据线路不受静电放电（ESD）和高浪涌事故的危害，可提供比市场上同类设备高20%的功率和浪涌处理能力。通过将低电容控向二极管与一个附加的齐纳二极管整合在一起，SRDA05可提供比行业标准更高的电气威胁设计余量，同时在不降低性能的前提下提高ESD保护性能。此类设备的典型应用包括第三级（IC侧）保护电信接口，例如T1/E1/T3/E3数据线、xDSL接口、RS-232/RS-485接口、10/100/10
[二极管]Littelfuse公司推出SP3051-04HTG瞬态电压抑制二极管阵列
中国，北京，2013 年6月18日 - Littelfuse公司是电路保护领域的全球领先企业，现已推出SP3051-04HTG瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列（SPA® 二极管），此产品是该公司瞬态抑制二极管阵列产品中雷击浪涌保护器件的最新成员。 该产品将低电容轨到轨二极管和附加的齐纳二极管组合在一起，保护每根输入/输出引脚不受ESD和雷击导致的浪涌现象的危害。 这款功能强大的器件可安全地吸收20A的电流（tP=8/20μs），且性能不会下降，并可提供最小±30kV的ESD保护。 此外，低负载电容使其成为保护1Gb以太网数据线等高速信号引脚的理想选择
[二极管]Littelfuse推出SRDA3.3系列瞬态抑制二极管
中国，北京，2013年7月17日讯——Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业，现宣布推出SRDA3.3系列瞬态抑制二极管——SPA®系列二极管。 SRDA3.3系列 将低电容控向二极管与附加的齐纳二极管相结合，以保护数据线路免受静电放电（ESD）和高浪涌事故的危害。 SRDA3.3系列器件的保护能力比其他可用解决方案高40%，且性能也毫不逊色。 这些器件的瞬变功耗最高为600W，电源处理能力比市场同类解决方案高出20%。 SRDA3.3系列的低负载电容为10pF （最大值）， 比其他解决方案低50%，这使得该产品成为保护电信接
[二极管]Littelfuse宣布其瞬态抑制二极管阵列系列将ESD保护与共模EMI滤波相结合
中国，北京，2014年8月26日讯 - Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业，日前宣布推出了SP5001、SP5002和SP5003系列瞬态抑制二极管阵列（SPA®二极管）。 这些高度集成的共模滤波器（CMF）可为使用高速差分串行接口的系统同时提供静电放电（ESD）保护和共模滤波功能。 它们可以保护和过滤两个（SP5001和SP5003）或者三个（SP5002）差分线对。 上述产品采用符合RoHS规范的TDFN封装和紧凑型设计，与离散型解决方案相比可显著节约成本和空间。 这些符合AEC-Q101标准的器件非常适用于消费电子产品，如智能手机和平板电脑，也可在
[二极管]Littelfuse推出新款低电容瞬态抑制二极管阵列
超强的功率处理能力为现代电信接口提供安全保障 中国，北京，2013年9月17日 - Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业，现已推出两个系列的分散式低电容瞬态抑制二极管阵列（SPA®二极管），这两个系列均经过优化，可帮助电信电路和硬件设计师保护电信接口，以防遭受雷击感应浪涌和静电放电（ESD）的破坏。 SP4020和SP4021系列 瞬态抑制二极管阵列 通过将低电容控向二极管与一个或两个瞬态抑制二极管集成在一起，可以为3.3V（SP4020）和5V（SP4021）应用提供单向或双向电气威胁保护。 这两个系列的产品可提供比市场上其他解
[二极管]Littelfuse公司的超低正向压降肖特基势垒整流器性能优于传统的开关二极管
中国，上海，2016年3月16日讯 - 电路保护领域的全球领导者力特公司的迅速壮大的功率半导体产品组合再添新成员——专为超低正向压降（VF）设计的硅肖特基器件。 DST 系列肖特基二极管2016 年 3 月 15 至 17 日，在中国电子元器件行业的领先展览会慕尼黑上海电子展上，这种新型的 DST 系列肖特基势垒整流器将在展示产品之列。（E3 馆 3522 号展台）DST 系列肖特基势垒整流器非常适合用于高频应用（如开关式电源）以及直流应用（如太阳能电池板旁路二极管和极性保护二极管），其设计目的是为了满足商业和工业应用的要求。
[二极管]Littelfuse为AEC-Q101标准车用二极管增添两个新系列
中国，北京，2014年9月25日讯 - Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业，日前宣布新增TPSMC和TPSMD系列，进一步扩展优化其车用瞬态抑制二极管产品。 这些产品旨在保护敏感电子设备不受负载突降和其它瞬态电压现象造成的瞬态电压影响。 此类符合AEC-Q101标准的器件采用标准DO-214AB封装，提供1500W（TPSMC）或3000W（TPSMD）的额定脉冲峰值功率耗损。 这两个系列都非常适合汽车电子元件的直流电源保护和ESD保护，比如电子控制单元、感应器和娱乐系统，以及需要高可靠性的便携设备等应用。Littelfuse公司产品营销经理Charles Cai表
[二极管]Littelfuse瞬态抑制二极管阵列产品系列新增两个系列以增强ESD和雷击保护
中国，北京，2015年9月24日讯 - Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业，日前宣布推出SP4044和SP4045两个系列的瞬态抑制二极管阵列（SPA®二极管），旨在保护敏感的电子设备免遭破坏性静电放电 （ESD）以及雷击导致的浪涌现象的破坏。 低电容二极管另增了一个齐纳二极管，以保护每个输入/输出引脚不受ESD和高浪涌现象的危害。 这类强大设备可提供堪比基准的浪涌保护/电容比；安全吸收高达24A雷击感应浪涌电流，同时每个I /O对地连接仅为1.5pF。 这有助于确保将信号损失降至最低。 该阵列还可处理至少±30kV ESD，因而电子
[二极管]Littelfuse新推小尺寸、超小型400W瞬态抑制二极管
Littelfuse公司作为全球领先的电路保护方案供应商，日前宣布推出SMF4L系列400W小尺寸封装瞬态抑制二极管，专门设计用于保护敏感的电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的瞬态电压损害。 它提供小型、扁平引脚、小尺寸塑料SOD-123FL封装。 电路板面积仅为3.10毫米 x 2.00毫米 x 0.98毫米，SMF4L系列比SMA要小50%。 其最大高度仅为0.98毫米，400W@10/1000μs的脉冲峰值功率耗散性能使SMF4L系列产品能够应用于注重紧凑型设计的瞬态电压保护应用。SMF4L系列的应用包括保护便携设备/硬盘、笔记本电脑、VCC总线、POS终端、SSD、电源和显
[二极管]Littelfuse新推SP1026系列30kV瞬态抑制二极管阵列，帮助避免静电放电损坏设备
中国，北京，2016年6月8日讯 - Littelfuse公司作为全球领先的电路保护方案供应商，日前宣布推出SP1026系列15pF 30kV双向分立式瞬态抑制二极管阵列，该产品旨在保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）造成的损害。 采用专有硅雪崩技术制造的齐纳二极管可保护每个输入/输出引脚，为设备提供高度的静电放电 （ESD）保护。 这款功能强大的通用型二极管可在±30kV（接触放电，IEC 61000-4-2）条件下安全吸收反复性ESD震击，且性能不会下降。 此外，每个二极管还可在极低的箝位电压下安全耗散5A的8/20μs波形浪涌电流（IEC61000-4-5）。
[二极管]Littelfuse的紧凑型瞬态抑制二极管可保护敏感型电子设备免受应电压雷击感瞬变和其他电压瞬变损害
中国，北京，2016年10月18日讯 - Littelfuse， Inc.（NASDAQ:LFUS）今天宣布推出了专为保护敏感便携式、紧凑电子设备免受电压瞬变损害的瞬态抑制二极管产品系列。 SMF3.3系列瞬态抑制二极管采用超小型、小尺寸的SOD-123FL塑料封装，集200W浪涌性能、低反向断态电压（3.3V）和低箝位电压（6.8V）于一体，适用于各种便携式、紧凑型电子产品。SMF3.3系列产品适用于低电压应用，例如保护VCC总线以及其他用于便携设备、便携硬盘、笔记本电脑、POS终端、固态硬盘（SSD）、电源和显示器的易损电路。“SMF3.3系列产品将卓越的浪涌性能
[二极管]Littelfuse SP3012系列瞬态抑制二极管阵列新封装选择带来更大布局灵活性
中国，北京，2013年11月13日 - 全球电路保护领域的领先企业Littelfuse公司，日前宣布为其SP3012系列瞬态抑制二极管阵列（SPA®二极管）产品新添两种封装选择。与该系列的其它产品类似，新器件经过优化，可防止外部ESD（静电放电）对高速数据线的敏感型芯片组造成破坏。新的SP3012-03UTG （uDFN-6） 和SP3012-04HTG （SOT23-6） 器件为线路板设计人员提供了更多的选择和更大的布局灵活性。该产品还能提供比其它业界同类封装产品高出多达66%的箝位性能，确保增强芯片组可靠性。 SP3012系列新成员的典型应用包括超极本、液晶电视
[二极管]Littelfuse公司推出低电容型瞬态抑制二极管阵列
中国，北京，2014年8月19日讯 - Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业， 日前宣布推出了低电容型SP2574NUTG瞬态抑制二极管阵列（SPA®二极管），旨在保护高速差分数据线免受因ESD（静电放电）、CDE（电缆放电）、EFT（电气快速瞬变）和雷击感应浪涌造成的损害。 SP2574NUTG来自SP2574N系列瞬态抑制二极管阵列，可在高达40A（IEC61000-4-5）和高达30kV ESD（IEC61000-4-2）的条件下保护四个通道或两个差分线对。 低电容（从I/O到接地端仅为3.8pF TYP）和低箝位电压（40A条件下相比同类解决方案要低15%）使其成为保护高速数据接
[二极管]Littelfuse推出新型瞬态抑制二极管阵列
Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业，日前宣布推出了SM712系列瞬态抑制二极管阵列（SPA®二极管），旨在保护具有不对称工作电压（-7V 到12V）的RS-485应用免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷击感应浪涌造成的损坏。 SM712系列可以在IEC61000-4-2国际标准规定的最高级别安全地吸收反复性ESD放电，且性能不会下降。并可在极低的箝位电压下安全地耗散高达19A的浪涌电流。 这一符合AEC-Q101标准的器件可确保在严苛的工业环境下达到最高可靠性，因而非常适合工业应用，包括为安全系统、自动柜员机（ATM）和测试设备中的
[二极管]Littelfuse公司的两种新型的功率半导体产品性能优于传统的开关二极管
中国，上海，2016年3月14日讯 - 电路保护领域的全球领导者力特公司在其不断壮大的功率半导体产品中又增加两个系列：MBR 系列肖特基势垒整流器（标准肖特基）是基于硅肖特基二极管技术的最新器件；DUR 系列超快整流器可带来超快的开关速度。 MBR 系列肖特基势垒整流器DUR 系列超快整流器这两个系列的设计都是为了满足商业和工业应用的一般要求，在 2016 年 3 月 15 至 17 日举行的中国电子元器件行业的领先展览会 – 慕尼黑上海电子展上均将在展示产品之列。（E3 馆 3522 号展台）肖特基势垒整流器是非常受设计人员欢迎的器
[二极管]Littelfuse宣布推出 SP4042系列3.3V瞬态抑制二极管阵列
中国，北京，2016年5月4日讯 - Littelfuse公司作为全球电路保护领域的领先企业，推出了SP4042系列瞬态二极管阵列，旨在保护灵敏的电子设备免遭雷击引起的浪涌事故和静电放电的损坏。 SP4042系列整合了低电容控向二极管与TVS二极管，提供两个通道的保护。 这款功能强大的器件可根据IEC61000-4-5标准（tp=2/10μs）安全地吸收高达120A的电流，且性能不会下降。ESD的最小值为±30kV，符合IEC61000-4-2国际标准。 低负载电容（每条线路11pF）使得SP4042系列成为保护10/100/1000以太网接口、客户端设备（CPE）、运营商级设备和PBX系统
[二极管]Littelfuse新推小尺寸、超小型400W瞬态抑制二极管，可保护敏感电子设备免受瞬态电压的危害
中国，北京，2016年5月24日讯 - Littelfuse公司作为全球领先的电路保护方案供应商，日前宣布推出SMF4L系列400W小尺寸封装瞬态抑制二极管，专门设计用于保护敏感的电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的瞬态电压损害。 它提供小型、扁平引脚、小尺寸塑料SOD-123FL封装。 电路板面积仅为3.10毫米 x 2.00毫米 x 0.98毫米，SMF4L系列比SMA要小50%。 其最大高度仅为0.98毫米，400W@10/1000μs的脉冲峰值功率耗散性能使SMF4L系列产品能够应用于注重紧凑型设计的瞬态电压保护应用。 SMF4L系列的应用包括保护便携设备/硬盘、笔记本电脑
[二极管]Littelfuse超低正向电压降肖特基势垒整流器优于传统开关二极管
中国，北京，2016年5月18日讯 - Littelfuse公司作为全球领先的电路保护方案供应商，日前宣布推出其不断扩展的功率半导体产品系列的最新产品——LFUSCD系列碳化硅（SiC ）肖特基二极管。 相比标准的硅双极功率二极管，LFUSCD系列碳化硅肖特基二极管让设计师能够降低开关损耗，在避免热逸散的情况下承受强浪涌电流，并在更高的结温下运行，上述所有因素均可提高系统效率和耐用性。LFUSCD系列合并后的p-n肖特基（MPS）器件结构可确保提升浪涌能力并降低泄漏电流。 额定电压为650V和1200V，额定电流为4A至30A，适用于广泛市场
[电路保护]Littelfuse宣布投资碳化硅技术，为强力进军功率半导体元件市场
日前，Littelfuse公司宣布，对碳化硅技术研发领域的初创公司Monolith Semiconductor公司进行了投资，这是公司为强力进军工业和汽车用功率半导体元件市场的一项重要举措。 碳化硅是一种发展迅速的新兴半导体材料，与传统硅相比，能使功率元件在较高的切换频率和温度下工作。这让逆变器和其他能源转换系统能够实现更高的功率密度、能源效率并降低成本。Littelfuse高级副总裁、半导体产品总经理兼首席技术官Ian Highley表示：“投资Monolith并与他们经验丰富的碳化硅和功率半导体元件专家团队合作，将使我们能够快速运用战略相关的创新技术升
