[互连技术]泰科电子推出超低型DDR3双列直插式內存模组插槽
产品特性： 卡扣高度为16毫米 双列直插式內存模组应用范围： 高端伺服器和通信设备泰科电子（TE）按照JEDEC工业标准推出了新型超低型VLP （very low-profile）第三代双倍数据速率（DDR3）双列直插式內存模组（DIMM）插槽。 该产品最高卡扣高度为16毫米，进而减小了插槽的总高度，加上双列直插式內存模组（DIMM），使得其外壳更小，电路板更紧凑，同时方便高端伺服器的散热。 泰科电子（TE）的VLP DDR3 DIMM插槽解决了伺服器、通信和笔记本平台之间的互连要求。该产品可应用于消费类/移动设备等一系列工业和自动化领域的高端伺服器
[温度传感器]IDT推出DDR3内存模块高精度温度传感器
产品特性： 可测量计算子系统的局部温度 可在-20°C至+125°C之间的整个温度范围内提供 ±1°C的温度传感精度 完全支持SMBus 和I2C编程接口应用范围： DDR2和DDR3内存模块、固态硬盘和电脑主板市场IDT 公司推出首款针对DDR2和DDR3内存模块、固态硬盘和电脑主板市场的高精度温度传感器。新器件有助于企业、移动及嵌入式计算系统以最高效率运行，通过监测各子系统的温度来节省总电力，提高可靠性和性能。全新的IDT温度传感器可测量计算子系统的局部温度，一旦温度上升超过预定水平，系统控制器就会通过控制系统带
[温度传感器]CAT34TS02：安森美最新DDR3应用温度传感器
产品特性： 电源电压范围：3.0至3.6伏 温度传感精度：在75~95℃和+20~+100℃分别为±1℃和±3℃ 温度传感器与非易失性EEPROM集成在一起 主系统能够通过I2C/SMBus接口检索读数应用范围： 高速个人电脑和笔记本电脑、显卡、服务器、电信设备 基站、环境控制系统及工业处理控制设备安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出来自近期收购Catalyst半导体而得的温度传感器新产品线的第二款产品——CAT34TS02。这新器件结合了12位(另加标记位)数字输出温度传感器和2千比特(Kb)串
[电路保护]IDT推出最低功率DDR3内存缓冲芯片
IDT推出最低功率DDR3内存缓冲芯片MB3518，拥有独有的调试和验证特性，包括每个引脚和晶片示波器的支持和内置逻辑分析仪的采集以促进全缓冲 DIMM 拓扑技术的开发、验证和测试。这些特性对于 LRDIMM 模块上的内存缓冲到 DRAM 接口尤其重要，因为它是完全独立于主控制器和自动测试仪的。拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案的供应商 IDT公司今天推出业界首款低功率DDR3内存缓冲芯片MB3518，可在高达 1866 兆/秒 (MT/s) 的传输速率下运行。通过提升 DDR3 减少负载双列直插内存模块 (LRDIMM) 的最高数据传输速率，
