[传感技术]大联大世平集团推出基于TOSHIBA产品的智能监控与远距视频方案
2022年6月1日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下世平推出基于东芝(TOSHIBA)M342/M343 MCU的智能监控与远距视频方案。 图示1-大联大世平基于TOSHIBA产品的智能监控与远距视频方案的展示板图 自COVID-19疫情于2019年爆发以来，改变了许多既有的生活与工作模式。这让智能监控等在市场上行之多年的产品再次成为主流应用。并且伴随着5G、物联网等技术的不断创新，智能监控产品被赋予了更多的职能，例如
[传感技术]大联大世平集团推出基于TOSHIBA产品的智能监控与远距视频方案
致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股近日宣布，其旗下世平推出基于东芝（TOSHIBA）M342/M343 MCU的智能监控与远距视频方案。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202206/434728.htm图示1-大联大世平基于TOSHIBA产品的智能监控与远距视频方案的展示板图自COVID-19疫情于2019年爆发以来，改变了许多既有的生活与工作模式。这让智能监控等在市场上行之多年的产品再次成为主流应用。并且伴随着5G、物联网等技术的不断创新，智能监控产品被赋予了更多的职能，例如，远端视频会议、智慧城市监
[传感技术]铠侠宣布完成对东芝子公司Chubu Toshiba Engineering的收购
网站截图（来自：Chubu Toshiba Engineering Corporation）TechPowerUp 指出，与东芝数字解决方案公司签订的收购协议，可在增强铠侠（Kioxia）技术开发能力的同时，为其制造工厂的设计、运营和生产，起到同样的推动作用。在 6 月 1 日更新的官网公告中，可知中部东芝工程公司将以“铠侠工程公司”的名义，作为 Kioxia 的全资子公司来开展业务运营。目前铠侠正秉持“用存储提升世界”的使命，致力于推动新时代的存储解决方案发展，其中就包括制定更具竞争力的闪存与 SSD
[通用技术]SSM3K318T：Toshiba推出60V N沟道高压功率MOSFET
产品特性： 适合将电池电压提升到需要打开LED阵列的电压 低导通电阻值为83.5毫欧姆(典型值) 在VDS=30V的低电容为235pF 新器件采用紧凑型TSM封装，尺寸为2.9mmx2.8mmx0.7mm适用范围： 目标应用LCD面板背景光，如汽车导航显示器和12吋上网本PC东芝美国电子元器件公司推出用于白光发光二极管（LED）的60V功率MOSFET驱动器，目标应用LCD面板背景光，如汽车导航显示器和12吋上网本PC。这些应用通常需要24V~48V的高压以激活串联的8~16个白光LED。Toshiba SSM3K318T n 沟道功率MOSFET是小型尺寸，非常适合将电池电压提升到需要打开
[通用技术]Toshiba推出低导通电阻快速开关30V MOSFET
产品特性： 采用TSON先进封装 额定电流范围为13A~26A RDS为4.3~12.2milliohms (mΩ) 输入电容从990~2200 picofarads (pF) 反向传输电容(Crss)从54~140pF应用范围： 同步DC-DC转换器，如移动和台式电脑，服务器，游戏机和其它电子器件 移动和台式电脑，服务器，游戏机和其它电子器件Toshiba美国电子元器件公司（TAEC）推出6器件采用TSON先进封装的30V MOSFET系列。这些新器件用于同步DC-DC转换器中，如移动和台式电脑，服务器，游戏机和其它电子器件中，移动和台式电脑，服务器，游戏机和其它电子器件。由Toshiba开发
[通用技术]Toshiba-components推出低导通电阻,快速转换的30V,MOSFET
产品特性： 5个N沟道MOSFET和1个MOSBD 提供了低电感结构 额定电流范围为13A~26A 输入电容从999~2200微微法 反向传输电容为54~140pF应用范围： 用于同步DC-DC转换器应用东芝美国电子元器件公司(TAEC)提供采用TSON高级封装的6个器件30V MOSFET。这些新器件可用于同步DC-DC转换器应用，包括移动和台式电脑、服务器、游戏机和其它电子器件领域，它们需要用于子系统如：处理器、存储器和其它点负载器件的输入电压转换。(Toshiba)器件由东芝公司开发，采用15和16代UMOS V-H和UMOS VI-H处理技术，实现低侧MOSFET的低导通电阻和
[耦合技术]TLP358/58HF：Toshiba推出低功率栅极驱动光耦合器
产品特性： 最大电流为2mA，最小绝缘电压为3750Vrms 最小共模瞬态免疫额定值为±15kV/µs 采用8引脚DIP封装，尺寸为9.7mmx6.4mmx3.7mm 电源电压为15V~30V应用范围： 工业逆变器，AC/DC伺服系统，感应加热系统 工厂自动化设备和其它需要高输出电流驱动级的应用Toshiba推出了一系列的超低功耗光耦合隔离器，设计用来驱动需要输出电流高达±6.0A的IGBT和功率MOSFET。新的驱动器IC光耦合器TLP358系列适合用于工业逆变器，AC/DC伺服系统，感应加热系统，工厂自动化设备和其它需要高输出电流驱动级的应用中。
[光电显示]Toshiba推出LED背景光系统的LCD面板
产品特性： 平均故障间隔时间(MTBF)为100，000小时（大约11.4年） 包括8个新的LCD产品，可提供四种屏幕尺寸：5.7寸，8.4寸，10.4寸和12.1寸 具有优良特性如较低的电磁噪声和较低功耗，具有更广泛的可调节亮度范围 具有可替换背景光架构适用范围： 用于具有长寿命、发光二极管（LED）背景光系统的工业应用中东芝美国电子元件公司(TAEC)推出新的色彩有源矩阵、薄膜晶体管(TFT)LCD模块，用于具有长寿命、发光二极管（LED）背景光系统的工业应用中，平均故障间隔时间(MTBF)为100，000小时（大约11.4年）。由东芝移动显示器有限
[整流滤波]DF3S6.8ECT：Toshiba推出具有ESD保护和EMI滤波的二极管
产品特性： 具有高ESD保护电平，限幅电压为6.8V，高ESD免疫电平为±8kV 符合@ IEC61000-4-2标准 采用小型，薄型3引脚CST3封装，尺寸为1.0mmx0.6mmx0.38mm适用范围： 手机，PDA，笔记本电脑，数码相机，以及具有EMI和ESD保护的GPS设备东芝美国电子元器件公司(TAEC)最新推出具有静电放电（ESD）保护和电磁干扰（EMI）滤波的二极管。东芝DF3S6.8ECT保护二极管提供数字和移动器件如：手机，PDA，笔记本电脑，数码相机，以及具有EMI和ESD保护的GPS设备，这些静电放电能源通过用I/O端口和通过连接器进入到系统电路板上。EMI/ESD二极
[电源管理]TK系列：Toshiba推出高性能功率MOSFET
产品特性： 应用工作电压高达650V，电流20A 采用完全隔离的TO220SIS封装和普通的TO-3P(N)封装应用范围： 各种新和新兴电源应用 包括功率因数校正设计和照明用镇流器Toshiba推出新系列的功率MOSFET，这些功率MOSFET改善效率和具有快速开关速度，应用工作电压高达650V，电流20A。新的TK系列器件适合用于各种新和新兴电源应用中，包括功率因数校正（PFC）设计和照明用镇流器。Toshiba的TK系列MOSFET采用完全隔离的TO220SIS封装和普通的TO-3P(N)封装。两种封装的大小分别为10mmx15mmx4.5mm和15.9mmx20m
