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[Vishay威世]Si8422DB,：Vishay采用MICRO,FOOT封装的MOSFET
产品特性： 器件具有背面绝缘的特点 1.55mm ×1.55mm的超小尺寸及0.64mm的超薄厚度 VGS 1.8V时0.043? 至4.5V时0.037?的低导通电阻 最大栅源电压为 ±8 V应用范围： 手机、PDA、数码相机 MP3 播放器及智能电话等便携设备日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH） 宣布推出业界首款采用 MICRO FOOT芯片级封装的 TrenchFET功率 MOSFET --- Si8422DB，该器件具有背面绝缘的特点。Si8422DB 针对手机、PDA、数码相机、MP3 播放器及智能电话等便携设备中的功率放大器、电池和负载切换进行了优化
[Vishay威世]Si8422DB：Vishay采用MICRO FOOT封装的MOSFET
产品特性： 器件具有背面绝缘的特点 1.55mm ×1.55mm的超小尺寸及0.64mm的超薄厚度 VGS 1.8V时0.043? 至4.5V时0.037?的低导通电阻 最大栅源电压为 ±8 V应用范围： 手机、PDA、数码相机 MP3 播放器及智能电话等便携设备日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH） 宣布推出业界首款采用 MICRO FOOT芯片级封装的 TrenchFET功率 MOSFET --- Si8422DB，该器件具有背面绝缘的特点。Si8422DB 针对手机、PDA、数码相机、MP3 播放器及智能电话等便携设备中的功率放大器、电池和负载切换进行了优化
