[传感技术]QFN封装内置DSP双通道音频功放IC-NTP8938
音频功放全名为音频功率放大器，是用于推动扬声器发声，从而重现声音的功放装置，凡是发声的电子产品中都要用到它；音频功放实际上就是对比较小的音频信号进行放大，使其功率增加，然后输出。 音频功放IC是多媒体产品的重要组件之一，广泛应用于消费类电子领域；近年来，随着MP3、PDA、手机、笔记本电脑等便携式多媒体设备的普及，D类功放以效率高、体积小等优点越来越受到人们的青睐。 以下介绍一款由工采网代理的韩国NF-QFN封装内置DSP双通道音频功放IC-NTP8938 产品概述： NT
[传感技术]英飞凌推出PQFN封装、双面散热、25-150V OptiMOS?源极底置功率MOSFET
未来电力电子系统的设计将持续推进，以实现最高水平的性能和功率密度。为顺应这一发展趋势，英飞凌科技有限公司近日推出了全新的3.3 x 3.3 mm2?PQFN 封装的源极底置功率MOSFET，电压范围涵盖25-150 V，并且有底部散热（BSC）和双面散热（DSC）两种不同的结构。该新产品系列在半导体器件级层面做出了重要的性能改进，为DC-DC功率转换提供了极具吸引力的解决方案，同时也为服务器、通信、OR-ing、电池保护、电动工具以及充电器应用的系统创新开辟了新的可能性。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202301/442
[电源管理]EPC新推200 V、10 mΩ、采用QFN封装的GaN FET
宜普电源转换公司(EPC)推出 200 V、10 mΩ的EPC2307，完善了额定电压为 100V、150 V和200 V的6个GaN晶体管系列，提供更高的性能、更小的解决方案和易于设计的DC/DC 转换、AC/DC SMPS和充电器、太阳能优化器和微型逆变器，以及电机驱动器。 全球增强型氮化镓FET和IC领导者EPC推出 200 V、10 mΩ的EPC2307，采用耐热增强型QFN封装，占位面积仅为3 mm x 5 mm。 EPC2307与之前发布的100 V、1.8 mΩEPC2302、100 V、3.8 mΩ EPC2306、150 V、3 mΩ EPC2305、150 V、6 mΩ EPC2308 和 200 V、5 mΩ EPC2304 兼容，使设计人员能够权衡 导通
[电源管理]英飞凌推出PQFN封装的源极底置功率MOSFET
品慧电子讯未来电力电子系统的设计将持续推进，以实现最高水平的性能和功率密度。为顺应这一发展趋势，英飞凌科技有限公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封装的源极底置功率MOSFET，电压范围涵盖25-150 V，并且有底部散热（BSC）和双面散热（DSC）两种不同的结构。该新产品系列在半导体器件级层面做出了重要的性能改进，为DC-DC功率转换提供了极具吸引力的解决方案，同时也为服务器、通信、OR-ing、电池保护、电动工具以及充电器应用的系统创新开辟了新的可能性。
[RF/微波]4通道QFN封装射频GaAs 多功能MMIC
品慧电子讯用于为Ku波段卫星移动通信有源相控阵天线被用于接收和发射MMIC多功能芯片使用开发0.25 微米的p HEMT的商业方法。多功能芯片由4通道分合路组成，每个通道提供多种功能，例如6位数字相移功能，5位数字衰减功能和信号放大功能。将MMIC多功能芯片组装在尺寸为7 mm×7 mm的商用QFN封装中后，对其进行测量，该芯片的尺寸为27 mm^2（5.2 mm×5.2 mm）。 测量结果表明，多功能接收芯片在10.7至12.75 GHz频率下的增益为28 dB，噪声系数为1.6 dB。在相位控制中，在衰减控制中显示了3°的RMS相位误差和0.3 dB的RMS衰减误差。对于多功能发射
[通用技术]【成功案例】如何快速实现“QFN封装仿真”？
品慧电子讯QFN是一种焊盘尺寸小、封装体积小、以塑封材料组成的表面贴装芯片封装技术。由于其底部中央的一大块裸露焊盘被焊接到PCB的散热焊盘上，使得QFN具有极佳的电热性能。另外，在中央焊盘的封装外围有实现电气连接的导电焊盘，这种封装特别适合任何一个对尺寸、成本和性能都有要求的应用场景，从而被市场上广泛使用。随着目前5G应用的频率逐渐升高，QFN封装中Wirebond结构对电路性能的影响也越来越明显，因此需要借助电磁场仿真技术提前对QFN封装的电性能进行预判。本文介绍了众多5G基站、移动终端公司正在采用的QFN封装仿真流程，
[互连技术]【干货分析】小间距QFN封装PCB设计的串扰抑制
品慧电子讯随着电路设计高速高密的发展趋势，QFN封装已经有0.5mm pitch甚至更小pitch的应用。由小间距QFN封装的器件引入的PCB走线扇出区域的串扰问题也随着传输速率的升高而越来越突出。随着电路设计高速高密的发展趋势，QFN封装已经有0.5mm pitch甚至更小pitch的应用。由小间距QFN封装的器件引入的PCB走线扇出区域的串扰问题也随着传输速率的升高而越来越突出。对于8Gbps及以上的高速应用更应该注意避免此类问题，为高速数字传输链路提供更多裕量。本文针对PCB设计中由小间距QFN封装引入串扰的抑制方法进
[发光二极管]利用QFN封装解决LED 显示屏散热问题
利用QFN封装解决LED 显示屏散热问题现今大多数的LED屏幕(LED显示屏)厂商，于PCB设计时几乎都会面临到散热的问题，尤其是因为驱动芯片所产生的热影响LED正常发光特性；进而影响整块显示屏的色彩均匀度。如何解决散热问题确实让设计者头痛。本文将进一步说明如何改变驱动芯片的封装以解决驱动芯片散热的问题。QFN封装 (Quad Flat No Leads) - QFN是由日本电子机械工业会(JEDEC)规定的名称。四侧无引脚扁平封装，表面贴装型封装之一，是一种底部有焊盘、尺寸小、体积小、以塑料作为密封材料的新兴表面贴装芯片封装技术。由于QFN封装不像传
[PCB设计]经典技术：小间距QFN封装PCB设计串扰抑制分析
对于8Gbps及以上的高速应用更应该注意避免此类问题，为高速数字传输链路提供更多裕量。本文针对PCB设计中由小间距QFN封装引入串扰的抑制方法进行了仿真分析，为此类设计提供参考。随着电路设计高速高密的发展趋势，QFN封装已经有0.5mm pitch甚至更小pitch的应用。由小间距QFN封装的器件引入的PCB走线扇出区域的串扰问题也随着传输速率的升高而越来越突出。对于8Gbps及以上的高速应用更应该注意避免此类问题，为高速数字传输链路提供更多裕量。本文针对PCB设计中由小间距QFN封装引入串扰的抑制方法进行了仿真分析，为此类设计提供参考。一、
[通用技术]IR推出PQFN封装和铜夹技术的中压功率MOSFET
产品特性： 采用IR最新硅技术來实现基准性能 满足40V到250V的宽泛电压 尺寸仅为0.9mm 应用服务： 网络和电信设备的DC-DC转换器、AC-DC开关电源等国际整流器(IR) 7月2日宣布，将拓展HEXFET功率MOSFET产品组合，提供完整的中压器件系列，其中采用了5x6mm PQFN封装及优化铜夹和焊接芯片技术。 新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技术來实现基准性能，适用于网络和电信设备的DC-DC转换器、AC-DC开关电源（SMPS）及电机驱动开关等开关应用。由于新器件满足40V到250V的宽泛电压，所以可提供不同水平的导通电阻（RDS(on)）和栅极电荷（Q
[电路保护]IR推出采用PQFN封装和铜夹技术的新产品
产品特性： 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 产品组合 采用了5x6 mm PQFN封装 优化铜夹和焊接芯片技术应用范围： 网络和电信设备的DC-DC转换器、AC-DC开关电源（SMPS）及电机驱动开关等开关应用国际整流器公司 (International Rectifier，简称 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 产品组合，提供完整的中压器件系列，它们采用了5x6 mm PQFN封装及优化铜夹和焊接芯片技术。新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技术來实现基准性能，适用于网络和电信设备的DC-DC转换器、AC-DC开关电源（SMPS）及电机驱动开关等开关应用。由于新器件满足40V到250
[光电显示]LED显示屏散热问题
中心议题： QFN与SOP散热及尺寸体积比较 灯驱合一的设计解决方案： 焊盘具有直接散热通道，用于释放封装内芯片的热量 内部自感係数以及封装体内佈线电阻很低现今大多数的LED屏幕(LED显示屏)厂商，于PCB设计时几乎都会面临到散热的问题，尤其是因为驱动芯片所产生的热影响LED正常发光特性；进而影响整块显示屏的色彩均匀度。如何解决散热问题确实让设计者头痛。本文将进一步说明如何改变驱动芯片的封装以解决驱动芯片散热的问题。QFN封装(QuadFlatNoLeads)-QFN是由日本电子机械工业会(JEDEC)规定的名称。四侧无引脚扁平封装，表
