[传感技术]美国考虑打击中国存储芯片制造商 或将禁止出口部分NAND芯片制造设备
C114讯 北京时间8月2日消息（艾斯）据路透社报道，四名知情人士透露，美国正在考虑限制向长江存储技术有限公司以及其他存储芯片厂商在中国大陆的工厂出口美国芯片制造设备，此举意在阻止中国半导体行业发展，并保护美国公司。消息人士称，如果拜登政府采取上述行动，有可能会对韩国存储芯片巨头三星电子和SK海力士产生不利影响。三星在中国有两家大型工厂，而SK海力士正在收购英特尔在中国的NAND闪存芯片制造业务。如果这一打击行动获得批准，举措将包括禁止向中国生产先
[传感技术]层数首次突破200层！美光全球首款232层3D NAND芯片来了
7月26日，美国存储芯片巨头美光发表公告称，原定于今年年底开始量产的全球首款232层3D NAND芯片，已经提前量产，预示着3D NAND芯片进入200+层时代。美光技术和产品执行副总裁Scott DeBoer表示：“美光的232层NAND芯片是存储芯片创新性的分水岭，也证明了现阶段的技术具有将3D NAND芯片的层数扩展至200层以上的能力。”据悉，美光的232层NAND技术提供了必要的高性能存储，以支持数据中心和汽车应用所需的高级解决方案和实时服务，以及在移动设备、消费电子产品和PC上的响应式沉浸式体验。目前，三星、西部数据、铠侠等厂
[贴片电容]东芝推出全球最小级别嵌入式NAND闪存产品
东芝推出全球最小级别 [1]嵌入式NAND闪存产品，这些产品整合了采用尖端的15纳米工艺技术制造的NAND芯片。新产品符合最新的e?MMCTM[2]标准，适用于各种广泛的数字消费产品，包括智能手机、平板电脑和可穿戴设备。16GB产品样品出货即日启动，8GB、32GB、64GB和128GB产品将稍后出货。 新产品在单一封装内整合了采用东芝新一代先进的15纳米工艺技术制造的NAND芯片，以及用于管理NAND应用基本控制功能的控制器。 与同类东芝产品相比[4]，通过采用15纳米NAND芯片，封装面积缩小了约26%[3]。由于改进了基本芯片性能，优化了控制器，
