[电路保护]AN90039用于汽车以太网应用的ESD保护器件（100Base-T1、1000Base-T1）（下）
【导读】本应用笔记介绍适用于 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 的现代半导体 ESD 保护器件的特性。ESD 保护器件的作用是实现稳健的系统，使系统能够承受破坏性的 ESD 事件并提供更高的EMC性能。本文提供了使用共模扼流圈（CMC）来增强这种耐受性的建议。 04 ESD保护器件的SI和影响 4.1. PCB 层叠 汽车应用最常用的是四层或更多层的印刷电路板（PCB）。大规模生产中的大多数应用通常基于标准的 FR4 PCB 技术。典型 PCB 层叠及尺寸如图 11 所示。需要注意的是，这种层叠只是一个例子。PCB 还有很多常见的尺寸，它们适用各种用途，因此也很有价值
[电路保护]用于汽车以太网应用的ESD保护器件（100Base-T1、1000Base-T1）（上）
【导读】本应用笔记介绍适用于 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 的现代半导体 ESD 保护器件的特性。ESD 保护器件的作用是实现稳健的系统，使系统能够承受破坏性的 ESD 事件并提供更高的EMC性能。本文提供了使用共模扼流圈（CMC）来增强这种耐受性的建议。 本应用笔记分为（上）（下）两部分，您现在看到的是（上）。 01 引言 目前有几种以太网解决方案在工业和商业应用中非常流行，但几十年来，并没有在汽车领域得到广泛采用。到 2016 年，汽车行业中共推出了 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 两个标准。另外两个标准 10BASE-T1S 和 MGB-T1（千兆级）
[传感技术]Nexperia宣布面向高速数据线的TrEOS系列ESD保护器件再添两款新产品
2022年12月19日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布Nexperia TrEOS产品组合再添新产品，即PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM极低钳位电压ESD保护二极管。这些器件兼具高浪涌耐受性、非常低的触发电压和极低的钳位电压以及宽通带，浪涌抗扰度出众，出众的IEC61000-4-5浪涌等级。?Nexperia高级产品经理Stefan Seider表示：“Nexperia开发了TrEOS产品组合，专门用于为我们的客户提供一系列适用于USB3.2、USB4?、Thunderbolt?、HDMI 2.1和通用闪存等应用的高性能ESD保护解决方案。PESD4V
[贴片电容]Nexperia面向USB4标准接口推出极低钳位的双向ESD保护器件
Nexperia宣布推出两款PESD5V0R1BxSF器件，即具有极低钳位和电容的双向静电放电(ESD)保护二极管。该器件采用Nexperia TrEOS的主动可控硅整流技术的技术，可确保笔记本电脑和外围设备、智能手机及其他便携式电子设备上的USB4TM（高达2 x 20 Gbps）数据线拥有最佳信号完整性。Nexperia高级产品经理Stefan Seider说道：“因为USB4TM超高速线路的插入损耗和回波损耗预算有限，所以Nexperia提供尽可能降低ESD保护对总预算影响的器件，希望为设计工程师提供支持。通过提供这两种器件选型，工程师可以在ESD电压钳位
[电路保护]Littelfuse SP1012系列瞬态抑制二极管阵列荣获《电子产品》“年度最佳产品”
Littelfuse公司日前宣布，产品SP1012系列瞬态抑制二极管阵列荣获《Electronic Products》杂志编辑授予的2014年“年度最佳产品”奖项。该产品，是一款微型、五通道双向瞬态抑制二极管阵列，用于通用静电放电（ESD）保护。 因为它的倒装封装包括有5个ESD二极管，而通常只有1个，所以SP1012系列为电路设计人员提供了比以前型号多出5倍的性能改善。Littelfuse的副总裁兼总经理Ian Highley评论表示：“SP1012系列的开发展现了我们为先进技术提供强大的ESD抑制解决方案的承诺。 这个奖项是对Littelfuse为电路保护市场带来的技术专长和奉献精神的
[电路保护]不再纠结：选择高效ESD保护器件的诀窍
随着更新的集成电路(IC)技术采用更小的几何尺寸和更低的工作电压，不断更新换代的便携产品对静电放电(ESD)电压损害越来越敏感。有鉴于此，手机、MP3播放器和数码相机等便携产品的设计人员必须评估各种可供选择的ESD保护解决方案，确保他们所选择的解决方案能满足当今IC不断变化的需求。本文将探讨选择有效ESD保护解决方案的关键步骤。ESD波形以系统级的方法来定义典型的ESD事件所采用的最常见的波形，是以其亚纳秒上升时间和高电流电平(参见图1)为显著特征的IEC61000-4-2波形。这 种波形的规范要求采用四级ESD量级。大部分设计工程师都要求
[电路保护]一款高效解决数码产品ESD问题的电路设计
随着电子设备使用的日益广泛，ESD 设计是每一个结构设计工程师和电子设计工程师需要重点关心的问题。本文将讲到一个数码产品ESD问题的电路设计：将一个原本±2kV 放电就会死机的产品加以保护和改进，在±8kV 的静电放电情况下依然可以稳定工作，起到了很好的静电防护效果。看看是如何做到的？在壳体和PCB的设计中，对ESD问题加以注意之后，ESD还会不可避免地进入到产品的内部电路中，尤其是以下一些端口：USB接口、HDMI接口、IEEE1394接口、天线接口、VGA接口、DVI接口、按键电路、SIM卡、耳机及其他各类数据传输接口，这些端口很可能将人
[电路保护]深度剖析：TVS与压敏电阻的那点“不同”
品慧电子讯ESD保护元件的作用是转移来自敏感元件的ESD应力，使电流流过保护元件而非敏感元件，同时维持敏感元件上的低电压。作为ESD保护元件中的代表：瞬态电压抑制器(TVS)、压敏电阻，相信大家都不陌生，但是对于二者深层次的不同，可能知道的人不多吧。本文将一位专家关于TVS与压敏电阻的深度剖析，展现给大家，希望能帮到你们。ESD保护元件的作用是转移来自敏感元件的ESD应力，使电流流过保护元件而非敏感元件，同时维持敏感元件上的低电压；ESD保护元件还应具有低泄漏和低电容特性，不会降低电路功能；不会对高速信号造成损害，在多重
[EMI/EMC]手机PCB设计常见的三种ESD保护器件
目前业内最常见的板级ESD保护器件主要有以下三种，它们的关键属性如下。一 多层压敏电阻(MLV)：这类基于氧化锌的器件可提供ESD保护和低级别的电涌保护。它们的小形状因子(尺寸已下降到0402和0201)使得它们非常适合于便携式应用(如手机和数码相机等)。二 聚合物ESD抑制器(PGB)：这是最新的技术，设计用于产生最小的寄生电容值(<0.2pF)。这一特性允许它们用于高速数字和射频电路，而不会引起任何信号衰减。三 硅保护阵列(SPA)：这类分立和多通道器件设计用于保护数据线和I/O线免受ESD和低级别瞬态浪涌的伤害。它的关键特性是非常低的钳位
[电路保护]泰科电子推出0201封装双向超低电容的SESD保护器件
产品特性： 实际大小仅为0.6mm x 0.3mm x 0.3mm 典型电容值为0.5pF 可达到IEC61000-4-2标准中10kV接触放电等级应用范围： 便携式电子泰科电子今日宣布其防静电（ESD）保护器件产品线上再添三款新品。其中0201尺寸的硅基ESD（SESD）器件比上一代0402型的器件大约缩小了70%，能够为手机、MP3播放器、PDA和数码相机等便携式电子产品提供保护和提高其可靠性。这些SESD器件的实际大小仅为0.6mm x 0.3mm x 0.3mm，为设计师们在空间受限的应用中提供了灵活性。双向保护消除了在PCB板上安装时的方向限制，而且也不会剪切掉负电平信号。
[电路保护]ESD7L5.0D/NUP4212：安森美RF设备和便携应用ESD保护产品
产品特性： 分别采用SOT-723和UDFN-6封装 高速线路对地容抗小 能将15千伏的输入ESD波形在数纳秒内钳位至低于7伏 应用范围： 高频射频(RF)天线 便携应用 安森美半导体扩充高性能片外静电放电(ESD)保护产品系列，推出两款新器件——ESD7L5.0D和NUP4212。这些新产品以安森美半导体专有的集成ESD保护平台设计，提高了钳位电压性能，同时保持低电容和小裸片尺寸。ESD7L5.0D 采用极小的1.2 mm x 1.2 mm x 0.5 mm SOT-723封装，保护每条线路0.5皮法(pF)电容的两条高速数据线路。将安森美半导体的低电容技术集成至3引脚封装为设
[电路保护]TE标准0201和0402封装的ChipSESD保护器件有助于消除装配和制造挑战
产品特性： 在8x20µs浪涌下的额定浪涌电流为2A 具备10kV的接触放电ESD保护等级 低漏电电流(最大1.0µA)降低了功耗 快速响应时间有助于帮助设备通过IEC61000-4-2等级4测试适用范围： 手机和便携电子产品 数码相机和摄像机 计算机I/O端口 键盘、低压DC线、扬声器、耳机和麦克风泰科电子(TE)日前宣布推出比传统半导体封装更易安装和返修的0201和0402尺寸的静电放电(ESD)器件，以扩展其硅ESD保护产品系列。该ChipSESD封装将一个硅器件和一个传统表面贴装技术(SMT)被动封装配置的各种优势结合在一起。 产品
[电路保护]ESD11N/B：安森美超小型无引脚封装的ESD保护器件
产品特点： 采用最新的超小型0201双硅片无引脚封装 与常见的SOD-923封装相比，节省3倍的电路板空间应用领域： 手机、MP3播放器、个人数字助理(PDA)和数码相机等 适用于保护讲究电路板空间的便携应用中的数据线路安森美半导体(ON Semiconductor)推出两款采用最新的超小型0201双硅片无引脚(Dual Silicon No-Lead ，DSN-2)封装的静电放电(ESD)保护器件。这DSN型封装尺寸仅为0.6 mm x 0.3 mm x 0.3 mm，令工作的硅片百分之百地利用封装面积，与采用塑模封装的产品相比，提供显著的性能/电路板面积比优势。安森美半导体采用这新型封
[电路保护]USBULC6-2M6：意法半导体新款微型USB,2.0,ESD保护器件
产品特性： QFN-6封装，体积只有1.0 x 1.45 x 0.65mm 240MHz时最大电容仅0.85pF 达到IEC第四级保护标准的放电等级 低功耗，最大漏电流仅0.5μA 3GHz频率时，额定插入损耗为零 钳位电压极低应用范围： 手机、手持电脑、个人媒体播放器 其它要求IEC61000-4-2保护功能的便携高速通信设备意法半导体推出一款体积只有1.0 x 1.45 x 0.65mm的微型ESD（静电释放）保护器件USBULC6-2M6。这款QFN-6封装的产品尺寸极小，能够满足高速USB接口对完整ESD保护功能（包括电源电压Vbus）的全部要求。由于在240MHz时最大电容只有
[电路保护]CM1235/6：California,Micro,Devices两款最新ESD保护器件
产品特点: 使峰值箝位电压降低40%以上 使峰值残余电流减少80% 使传送到被保护设备的总电量减少10%以上 拥有100欧姆的差动阻抗匹配，无需外部补偿 导线间精密拼接 没有虚拟通道连接，省去了反向驱动，简化了布局 采用紧凑型16引脚 TDFN 封装，减少了电路板空间 应用范围: 适用于数字电视、液晶显示器、笔记本电脑、机顶盒 蓝光录像机和播放器等 California Micro Devices宣布 XtremeESD(R) 系列新添两款 ESD（静电放电）保护器件 -- CM1235 和 CM1236。这两款器件都整合了获奖的 PicoGuard XS 架构，该架构拥
[电路保护]泰科电子推出双向硅ESD保护器件帮助减少组装挑战
产品特性： 在8x20μs浪涌下的额定浪涌电流为2A 具备10kV的接触放电ESD保护等级应用范围： 手机和便携电子产品、数码相机和摄像机、计算机I/O端口 键盘、低压DC线、扬声器、耳机和麦克风 泰科电子(TE)日前宣布推出比传统半导体封装更易安装和返修的0201和0402尺寸的静电放电(ESD)器件，以扩展其硅ESD保护产品系列。该ChipSESD封装将一个硅器件和一个传统表面贴装技术(SMT)被动封装配置的各种优势结合在一起。产品编号分别为SESD0201P1BN-0400-090 (0201 封装) 和 SESD0402P1BN-0450-090 (0402 封装)的两种器件的双向操作，
[电路保护]手机中的ESD保护器件
如今在手机的生产过程中，ESD的问题越来越受到重视。解决ESD问题的方法，增加ESD保护器件能很好地保护手机免受ESD的影响。本文将对一些应用在手机方面的ESD保护器件进行介绍。如今在手机的生产过程中，ESD的问题越来越受到重视。解决ESD问题的方法，增加ESD保护器件能很好地保护手机免受ESD的影响。本文将对一些应用在手机方面的ESD保护器件进行介绍。目前业内最常见的板级ESD保护器件主要有以下三种：一 多层压敏电阻(MLV)：这类基于氧化锌的器件可提供ESD保护和低级别的电涌保护。它们的小形状因子(尺寸已下降到0402和0201)使得它们非常
