你好！欢迎来到深圳市品慧电子有限公司！
当前位置：品慧电子 >> 搜索 >> 与“阈值电压”相关的内容
[电路保护]多晶硅量子效应及其对MOSFET阈值电压的影响
中心议题： 通过电荷分布曲线近似的解析方法，计算了多晶硅量子效应对阈值电压的影响解决方案： 计算了在不同掺杂浓度下多晶硅量子效应所引起的MOSFET阈值电压的偏移随着微电子工业的发展，器件的特征尺寸已经发展到了纳米量级[1]，并且将向着沟道长度为10 nm的方向发展。在这种器件中，为了抑制短沟道效应、DIBL效应，体硅通常采用高掺杂，此时由于器件的尺寸很小，量子效应对器件特性的影响已经不容忽视。自20世纪70年代以来，对量子效应的研究已得到广泛的关注，主要是通过数值模拟或解析近似的方法，对体硅从积累到反型时的量子
