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[通用技术]东芝两种新工艺技术适用于微控制器和无线通信集成电路
东芝宣布，该公司已基于使用小于当前主流技术功率的65纳米逻辑工艺开发了闪存嵌入式工艺，以及基于130纳米逻辑及模拟电源工艺开发了单栅非易失性存储器（NVM）[1]工艺。将最佳工艺用于不同应用将使东芝能够扩大其在微控制器、无线通信集成电路（IC）、电机控制驱动器和电源IC等领域的产品阵容。130纳米非易失性存储器和65纳米闪存的样品出货计划分别于2015年第四季度和2016年第二季度启动。目前，物联网（IoT）市场在部分领域对低功耗有着强劲的需求，包括可穿戴和医疗保健相关的设备。作为回应，东芝采用了SST[2]的第三代SuperFlash®
