[电源管理]安森美推出全新超高能效1200V绝缘栅双极型晶体管
【导读】2023 年 3 月 21日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号：ON），推出一系列全新超高能效1200V绝缘栅双极型晶体管（IGBT），具备业界领先的性能水平，最大程度降低导通损耗和开关损耗。这些新器件旨在提高快速开关应用能效，将主要用于能源基础设施应用，如太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、储能和电动汽车充电电源转换。 新的1200V沟槽型场截止（FS7）IGBT在高开关频率能源基础设施应用中用于升压电路提高母线电压，及逆变回路以提供交流输出。FS7器件的低开关
[传感技术]双极型晶体管的工作状态如何判断
双极晶体管是由两个极性晶体管组成的晶体管。它具有控制电流流向的双向控制功能。一个晶体管是NPN晶体管，另一个晶体管是PNP晶体管。它们的电位是负的和正的。双极晶体管BUZ30A可以控制电流流向。当电流流向NPN晶体管时，它会被激活，当电流流向PNP晶体管时，它会被抑制。双极晶体管可以用来控制电流流向，从而实现双向控制功能。双极晶体管体积小、重量轻、功耗低、使用寿命长、可靠性高，已广泛应用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自动控制装置、电子仪器、家用电器等领域，起到放大、振荡、开关等作用。双极晶
[三极管]电力双极型晶体管
电力双极型晶体管(GTR)是一种耐高压、能承受大电流的双极晶体管，也称为BJT，简称为电力晶体管。它与晶闸管不同，具有线性放大特性，但在电力电子应用中却工作在开关状态，从而减小功耗。GTR可通过基极控制其开通和关断，是典型的自关断器件。一、电力晶体管的结构和工作原理 电力晶体管有与一般双极型晶体管相似的结构、工作原理和特性。它们都是3层半导体，2个PN结的三端器件，有PNP和NPN这2种类型，但GTR多采用NPN型。GTR的结构、电气符号和基本工作原理，如图1所示。 在应用中，GTR一般采用共发射极接法，如图1(c)
[三极管]绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
绝缘栅双极型晶体管（IGBT） IGBT（Insulated Gate Bipolor Transistor）叫做绝缘栅极双极晶体管。这种器件具有MOS门极的高速开关性能和双极动作的高耐压、大电流容量的两种特点。其开关速度可达1mS，额定电流密度100A/cm2，电压驱动，自身损耗小。其符号和波形图如下图所示。 IGBT可以耐高压、大电流，常以一个单元、二个单元、六个单元装在一个芯片上，下图给出一、二、六单元在一个硅片上的等效电路。
[电源管理]浅析采用双极型晶体管的直流250mV转换器
品慧电子讯直流250mV转换器描述如下：它基于一个硅双极型晶体管(BJT)，可在低于250mV电压下工作，这对一个不是基于结型场效应管或锗晶体管的转换器来说几乎是创记录的。直流250mV转换器描述如下：它基于一个硅双极型晶体管(BJT)，可在低于250mV电压下工作，这对一个不是基于结型场效应管或锗晶体管的转换器来说几乎是创记录的。如何实现这种可能性呢? VBE的阈值并不是确定的，它决于电流密度和其他因素。 但250 mV远远低于能接受的最小值。这就需要用到一点窍门，实际上这里面也有几分诀窍。最大的困难
[三极管]双极型晶体管电流增益温度特性的研究
由两个背靠背PN结构成的以获得电压、电流或信号增益的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触晶体三极管，50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型。在这3层半导体中，中间一层称基区，外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时，在发射区和集电区之间就会形成较大的电流，这就是晶体管的放大效应。 特点输入特性曲线：描述了在管压降UCE一定的情况下，基极电流iB与发射结压降uBE之间的关系称为输入伏安特性，可表示为： 硅管的开启电压约为0.7V，锗管的开启电压
[三极管]绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
绝缘栅双极型晶体管（IGBT） IGBT（Insulated Gate Bipolor Transistor）叫做绝缘栅极双极晶体管。这种器件具有MOS门极的高速开关性能和双极动作的高耐压、大电流容量的两种特点。其开关速度可达1mS，额定电流密度100A/cm2，电压驱动，自身损耗小。其符号和波形图如下图所示。 IGBT可以耐高压、大电流，常以一个单元、二个单元、六个单元装在一个芯片上，下图给出一、二、六单元在一个硅片上的等效电路。
[三极管]电力双极型晶体管(GTR)详解
电力双极型晶体管(GTR)是一种耐高压、能承受大电流的双极晶体管，也称为BJT，简称为电力晶体管。它与晶闸管不同，具有线性放大特性，但在电力电子应用中却工作在开关状态，从而减小功耗。GTR可通过基极控制其开通和关断，是典型的自关断器件。一、电力晶体管的结构和工作原理 电力晶体管有与一般双极型晶体管相似的结构、工作原理和特性。它们都是3层半导体，2个PN结的三端器件，有PNP和NPN这2种类型，但GTR多采用NPN型。GTR的结构、电气符号和基本工作原理，如图1所示。 在应用中，GTR一般采用共发射极接法，如图1(c)所示。集电极电流
[三极管]Diodes公司推出行业最小双极型晶体管
Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出行业首款采用了DFN0806-3微型封装的小信号双极型晶体管。这些器件的占位面积为0.48mm2，离板厚度仅0.4mm，面积比采用了DFN1006、SOT883和SOT1123封装的同类型器件少20%。这些晶体管尺寸小，加上卓越的400mW功耗，有利于智能手机和平板电脑等受空间限制的便携式产品的设计。Diodes破天荒推出两对采用了DFN0806-3封装的NPN （MMBT3904FA(＄0.0769)和BC847BFA） 及PNP （MMBT3906FA(＄0.0769)和BC857BFA(＄0.0769)） 晶体管，随后将推出在同样封装的预偏置 （数字） 晶体管。 NPN MMBT3904FA及
[三极管]三极管原理带你通俗理解什么是三极管
对三极管放大作用的理解，切记一点：能量不会无缘无故的产生，所以，三极管一定不会产生能量。但三极管厉害的地方在于：它可以通过小电流控制大电流。放大的原理就在于：通过小的交流输入，控制大的静态直流。假设三极管是个大坝，这个大坝奇怪的地方是，有两个阀门，一个大阀门，一个小阀门。小阀门可以用人力打开，大阀门很重，人力是打不开的，只能通过小阀门的水力打开。所以，平常的工作流程便是，每当放水的时候，人们就打开小阀门，很小的水流涓涓流出，这涓涓细流冲击大阀门的开关，大阀门随之打开，汹涌的江水滔滔流下。
[Vishay威世]GA系列：Vishay高额定电流的半桥600V及1200V IGBT模块
产品特性： 该系列由八个 600V 及 1200V 器件组成 75A～200A 的高额定电流 标准 PT、第 4 代及第 5 代 NPT IGBT 技术 高达 60kHz 的硬开关工作频率 共振模式下超过 200kHz的工作频率应用范围： 高频工业焊接、UPS、SMPS 太阳能转换器及电动机驱动应用 输出逆变器 TIG 焊机应用日前，Vishay宣布推出采用业界标准 Int-A-Pak 封装的新系列半桥绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)。该系列由八个 600V 及 1200V 器件组成，这些器件采用多种技术，可在标准及超快速度下实现高开关工作频率。日前推出的这八款新器件采用可满足各种
