[传感技术]美国拟对华禁售128层以上闪存制造设备
继日前传出美国已对华禁售14nm及以下先进制程所需设备的消息之后，据路透社当地时间8月1日报道称，四位知情人士透露，美国正考虑限制向中国存储芯片制造商出口美国的芯片制造设备。至于限制的对象，其中就包括长江存储（YMTC），美国希望借此来限制中国的半导体产业发展，并保护美国的相关企业。报导引用不愿透露姓名消息人士的说法指出，如果美国政府确定采取该项计划，还可能损害韩国存储大厂三星电子和SK 海力士两家公司的利益。因为三星在中国拥有两家大型的NAND Flash工厂，而SK 海力士之
[传感技术]光威2TB SSD硬盘到手754元：非QLC闪存
HDD硬盘做仓库盘是很多人的选择，不过要是不存放大量影音文件，游戏盘的话还是建议SATA接口的SSD硬盘，光威悍将系列的2TB硬盘目前可以做到754元价格，折合每GB只要0.37元。光威悍将2TB硬盘目前京东售价799元，下单立减20元，叠加5元店铺优惠券，500-20元会员礼金，实付754元。单从价格来看，2TB做到754元的价格还是很不错的，不过这里有点遗憾的不是京东自营，店铺发货和售后。不纠结这一点的话，这款2TB硬盘还是很不错的，5年质保，读取、写入速度500MB/s、400MB/s，TLC闪存而非QLC闪存，光威
[传感技术]铠侠推出第二代高性能价格比XL-FLASH存储级内存解决方案
TechPowerUp 指出，第二代 XL-FLASH 在现有单层单元（SLC）的基础上，增添了每单元 2-bit 的新多层单元（MLC），从而显著降低了每比特成本。与当前一代方案相比，新技术能够同时运行的平面数量也有所增加，从而带来容量（提供 256Gb）和吞吐量的双重提升。官方宣称，铠侠第二代 XL-Flash 闪存级内存解决方案，旨在为数据中心、企业服务器和存储系统带来更高的性能和成本控制。展望未来，该公司也不排除结合当前热门的 Compute Express Link 连接标准（简称 CXL）。通过持
[传感技术]铠侠将演示基于PCIe NVMe闪存的SEF软件定义存储解决方案
（来自：Kioxia 官网）据悉，除了参加于圣克拉拉会议中心举办的“用于超大规模数据中心的 NVMe 软件支持闪存”会议，铠侠还决定在本周的闪存峰会暨博览会上、于 #307 号展位演示其“软件支持闪存”硬件。与诞生至今已有数十年的机械硬盘（HDD）驱动器相比，当前的大规模 / 超大规模云存储应用中的闪存设备，其性能发挥已受到传统驱动器协议的极大拖累。好消息是，由 Linux 基金会主导的软件支持闪存（SEF）社区项目，将使得业界能够采用软件定义的闪存 API，以根据数据中
[传感技术]庆祝NAND诞生35周年：铠侠放出2022闪存峰会活动预告
通过推出创新的外形尺寸和解决方案，铠侠希望持续引领并定义行业的下一步发展方向。在闪存峰会上，该公司将重点介绍其如何使用闪存来推动各领域的进步，并且涵盖了移动计算、边缘、云、数据中心、以及车载等应用场景。此外铠侠执行副总裁兼首席营销官 Scott Nelson 和 SSD 应用工程技术主管 Shigeo（Jeff）Ohshima 将共同发表题为《KIOXIA：35 Years of Flash & Beyond》的主题演讲。除了回顾闪存发明 35 年来的历史进程，我们还可期待该公司描绘如何推动这项改变游
[传感技术]SK海力士成功研发全球最高层238层４D NAND闪存
韩国首尔2022年8月3日 /美通社/ --?SK海力士（或‘公司'，www.skhynix.com）于8月3日宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存。 图1. SK海力士成功研发全球最高层238层4D NAND闪存 近日，SK海力士向客户发送了238层 512Gb TLC(Triple Level Cell)* 4D NAND闪存的样品，并计划在2023年上半年正式投入量产。公司表示："自2020年12月完成176层NAND闪存研发以来，时隔仅1年7个月，SK海力士全球首次成功完成了新一代技术的研发。此次238层NAND闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球
[传感技术]ATP推出N700/N600系列高耐久度M.2 2230固态硬盘新品
（来自：ATP Electronics 官网）尽管拥有小巧的 M.2 2230 外形，N700 / N600 系列 SSD 的能效还是相当出色，适用于 POS、移动 PC、IoT、以及服务器启动盘等轻小型应用场景。值得一提的是，通过 GPIO 引脚启用后，HW Write Protect 功能可将 SSD 置于‘只读’模式，从而防止删除或篡改固态硬盘上存储的数据。另一方面，快速擦除功能可启动逐块的数据写入，以系统性地擦除任何用户数据痕迹。此外该系列 SSD 支持 HSBGA 防振焊接封装，并有使用相同固件 + NAND 闪存配置的
[传感技术]三星在2022闪存峰会上公布了影响深远的下一代存储解决方案
首先，为了在数据驱动的世界中，尽最大限度地提升数据中心的效率，三星推出了下一代“PB 级”存储结束。新解决方案旨在为单个服务器单元内提供超过 1PB 的存储空间。使得制造商能够在相同占地面积内，部署数量尽可能少的服务器和降低能耗。其次，三星宣布了“内存语义固态硬盘”（Memory-semantic SSD），特点是结合了固态存储和 DRAM 内存的优势。在 CLX 互连数和内置 DRAM 缓存的帮助下，此类产品可将 AI 和 ML 等应用程序的随机存取和延迟表现优化多达 20 倍。其针对
[传感技术]Solidigm发布首款消费级SSD P41 Plus：Intel 144层QLC闪存、独特软件加持
今天，Solidigm正式发布了新品牌面向消费级市场的第一款产品“P41 Plus”。P41 Plus采用标准的M.2形态，可选2230、2242、2280三种不同尺寸，搭载闪存为原Intel 144层堆叠的QLC NAND，容量512GB、1TB、2TB。主控来自慧荣科技，支持PCIe 4.0 x4、NVMe，同时融入了Solidigm团队的架构、固件设计以及NAND闪存优化。性能方面，顺序读写最高分别4125MB/s、3325MB/s，随机读写最高分别390K IOPS、540K IOPS。可靠性上，平均故障间隔时间160万小时，最大写入量512GB 200TBW、1TB
[传感技术]SK海力士成功开发出238层4D NAND闪存 明年上半年量产
SK海力士准备于2023年上半年开始大规模生产新芯片。英特尔NAND业务被SK海力士收购后更名为Solidigm，它与SK海力士合计占有全球NAND闪存市场的18%，仅次于三星的35.3%和Kioxia的18.9%。以下为官方新闻稿全文：SK海力士于8月3日宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存。近日，SK海力士向客户发送了238层 512Gb TLC(Triple Level Cell)* 4D NAND闪存的样品，并计划在2023年上半年正式投入量产。公司表示：“自2020年12月完成176层NAND闪存研发以来，时隔仅1年7个
[传感技术]新研究：“记忆闪存法”或可增强孤独症患者学习能力
由以色列特拉维夫大学和内盖夫本-古里安大学合作完成的新研究利用“记忆闪存法”，替代传统的长期重复性学习方法训练孤独症患者。“记忆闪存法”即让一个人在几秒钟内接触一项此前已学习过的任务。图片来自于 以色列政府新闻办公室研究人员在约30名患有高功能孤独症的成年人中开展视觉识别实验，要求他们识别屏幕上以几毫秒的速率出现的线条方向。高功能孤独症是指轻度智力损伤或智商正常的孤独症患者。实验组患者只在第一天进行深入学习，接下来几天内仅接触几秒的视觉
[传感技术]SK海力士开发出238层NAND闪存芯片 明年上半年量产
北京时间8月3日消息，韩国SK海力士（SK Hynix）已经开发出238层NAND闪存芯片，它可以用于PC存储设备、智能手机和服务器。上周美光也开始出货232层NAND闪存芯片。 SK海力士宣称新的238层芯片是最小的NAND闪存芯片，数据传输速度相比上代产品提升50%，读取数据消耗的能量降低21%。SK海力士准备于2023年上半年开始大规模生产新芯片。 英特尔NAND业务被SK海力士收购后更名为Solidigm，它与SK海力士合计占有全球NAND闪存市场的18%，仅次于三星的35.3%和Kioxia的18.9%。
[传感技术]慧荣科技于2022年闪存峰会上展示专为数据中心、笔记本电脑和车载应用打造的尖端存储解决方案
“全球NAND闪存主控芯片领导厂商慧荣科技（NasdaqGS：SIMO），今天宣布将于8月2日至4日在美国加州圣塔克拉拉举行的闪存峰会展示一系列专为数据中心、笔记本电脑、车载和工控应用打造的SSD主控芯片及SSD解决方案。 ” 全球NAND闪存主控芯片领导厂商慧荣科技（NasdaqGS：SIMO），今天宣布将于8月2日至4日在美国加州圣塔克拉拉举行的闪存峰会展示一系列专为数据中心、笔记本
[传感技术]长江存储推出第四代TLC三维闪存X3-9070
今日，长江存储科技有限责任公司（长江存储）在2022年闪存峰会（FMS）上正式发布了基于晶栈?（Xtacking）3.0技术的第四代TLC三维闪存X3-9070。相比长江存储上一代产品，X3-9070拥有更高的存储密度，更快的I/O速度，并采用6-plane设计，性能提升的同时功耗更低，进一步释放系统级产品潜能。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202208/436940.htm?长江存储第四代TLC三维闪存X3-9070?自2018年问世以来，晶栈?（Xtacking）技术已成为长江存储助推闪存行业发展的关键动力之一。存储阵列和外围电路的混合键合工艺
[传感技术]闪存界跟层数杠上了？SK海力士发布全球首款238层4D NAND闪存
8月3日，韩国知名存储芯片厂商SK海力士宣布成功研发了全球首款业界最高层数的238层NAND闪存，并且在美国圣克拉拉举行的2022闪存峰会上亮相了首款238层4DNAND闪存新产品。SK海力士表示：“此次238层NAND闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球最小的面积。”SK海力士自2020年12月完成176层NAND闪存研发以来，时隔仅1年7个月，就将层数突破到了238层的新高度。据悉，SK海力士已经开始向客户发送238层 512Gb TLC(Triple Level Cell)4D NAND闪存的样品，并计划在2023年上半年正式投入量产。SK海力士NAND闪存开发担当崔
[传感技术]SK海力士官宣238层NAND闪存芯片出世
智通财经APP获悉，世界第二大存储芯片制造商韩国SK海力士周三表示，已开发出其最先进的NAND闪存芯片，该芯片由238层存储单元组成，将用于个人电脑存储设备，以及智能手机和服务器。SK海力士称新的238层芯片是最小的NAND闪存芯片，数据传输速度相比上代产品提升50%，读取数据消耗的能量降低21%。此外，该公司准备于2023年上半年开始大规模生产新芯片。据了解，英特尔(INTC.US)NAND业务被SK海力士收购后更名为Solidigm，它与SK海力士合计占有全球NAND闪存市场的18%，仅次于三星的35.3%和Kioxia的18.9%。值得一提的是，此
[传感技术]NAND闪存芯片进入革新时代
? ? ? ?近日，美光和SK海力士相继官宣，其NAND闪存芯片对堆叠层数突破200层限制。 其中，美光的闪存芯片由232层存储单元组成，数据传输速度将比其上一代176层的芯片快50%，且封装尺寸比前几代产品还要小28%，预计2022年底开始量产232层NAND;而SK海力士的闪存芯片由238层存储单元组成，数据传输速度和功率比上一代提高了50%，读取数据消耗的能量也减少了21%，预计2023年上半年开始量产。 层数越高越好 NAND闪存几乎应用于所有主要的电子终端之中，智能手机、电脑、USB驱动器等都
[传感技术]TrendForce 预计 NAND 闪存需求明年增长 28.9%，供给增长 32%
据国外媒体报道，研究机构 TrendForce?预计，DRAM 供过于求的状况在明年将会更严重，预计市场规模增长 8.5%，首次低于 10%，但供给预计增长 14%，价格预计会继续下滑。而从外媒的报道来看，研究机构预计供给增速超过需求增速的，不只是 DRAM，NAND 闪存预计也会供过于求。外媒在报道中表示，研究机构预计 NAND 闪存的市场需求在明年增长 28.9%，供给增长 32.1%。不过与 DRAM 供过于求更严重，可能导致价格下滑不同，研究机构认为 NAND 闪存有更好的价格弹性，在连续多个季度下滑之后，在企业
[传感技术]铠侠发布第二代XL闪存 超耐写的SLC、MLC回来了
铠侠的XL-Flash闪存虽然也是基于BiCS NAND闪存技术，但它的定位不同于常见闪存，而是跟Intel的傲腾、三星Z-NAND竞争的，定位于存储类内存，性能要比常见闪存高得多，成本也要高得多。铠侠在2020年推出了XL-Flash闪存，当时主要有SLC类型的，核心容量128Gb，比主流TLC、QLC的512Gb、1Tb容量小得多，但是延迟超低，只有普通闪存的1/20，性能非常强。这次推出的第二代XL-Flash闪存没有公布详细的规格，但除了SLC之外多了MLC，因此容量轻松翻倍，核心容量可达256Gb，显著降低
[传感技术]TrendForce 预计 NAND 闪存需求明年增长 28.9%，供给增长 32%
? ? 据国外媒体报道，研究机构 TrendForce 预计，DRAM 供过于求的状况在明年将会更严重，预计市场规模增长 8.5%，首次低于 10%，但供给预计增长 14%，价格预计会继续下滑。? ? 而从外媒的报道来看，研究机构预计供给增速超过需求增速的，不只是 DRAM，NAND 闪存预计也会供过于求。? ? 外媒在报道中表示，研究机构预计 NAND 闪存的市场需求在明年增长 28.9%，供给增长 32.1%。? ? 不过与 DRAM 供过于求更严重，可能导致价格下滑不同，研究机构认为 NAND 闪存有更好的价格弹性，在连
