[光电显示]LED 和检测器 IC 的热阻测量
【导读】该封装安装在低电导率测试板上，根据 JEDEC 标准，该测试板的尺寸为 76.2 mm x 76.2 mm。包相对居中。总共准备了两个低电导率板用于测量。这些测试板由 FR-4 材料制成，铜迹线厚度符合低电导率板的 JEDEC 标准。所有板上都使用了经过测试的“良好”设备。所有热阻测量数据列于图 2 中。 LED和检测器IC的热阻测量 图 1 显示了组件框图。这是一种具有两个热源的多芯片封装，应用线性叠加理论考虑相邻芯片对一个芯片的加热影响。这里，首先加热一个芯片，并在达到热平衡后记录所有芯片的温度。然后，加热另一个芯片并记录所有芯片温度
[电源管理]了解瞬态热阻抗背后的理论
【导读】瞬态热阻抗用于衡量器件被施加脉冲功率时的表现，它决定了器件在低占空比和低频脉冲负载下的表现方式，因此非常重要。IC 封装有许多热指标，例如 θJA 和 ΨJT。这些参数使稳态下的结温估算变得非常简单。本文将讨论热瞬态行为以及热阻抗的相关基本理论。热参数概述倒装芯片封装的热特性由参数 θJA、ΨJT 和 ΨJB 表征。θJA 是结至环境热阻（以 °C/W 为单位），它是系统级参数，在很大程度上取决于系统属性，如安装该器件的 PCB 设计及布局。其中，电路板被当作焊接到器件引线上的散热器。对自然对流传热而言，90% 以上的热量都
[传感技术]在纺织品热阻检测中，热通量传感器应用有哪些？
服装热湿舒适性是指在不同的环境条件和人体活动水平下，通过与环境进行热湿交换，使人体感到舒适的服装性能。很多人对服装的热湿舒适性能可能不了解，工采网简要列举下，如夏天要求衣服清新透气，冬天要求衣服保暖性极好。在极热的环境下，服装要隔热降温，如防火服、矿服、液冷服等。在极冷的环境下，服装要耐寒保暖，如冬装、航天服等。热阻和湿阻是衡量服装热湿舒适性的两个重要指标，服装、环境、运动等因素都会影响测量结果，这对评价服装的热湿舒适性能、功能服装的设计、热物理模型的建立、汗湿暖体假人的改进等
[电源管理]TJ的估算：使用瞬态热阻的计算示例
品慧电子讯在此之前我们已经了解了在功耗恒定时估算TJ的计算示例，本文将介绍在功耗瞬时增加的条件下的计算方法和示例。 电子设备中半导体元器件的热设计 本文的关键要点 ?当预计会出现瞬时功耗增加的情况时，需要计算出瞬态峰值TJ。?在求瞬态温升时，热阻值使用瞬态热阻值。?需要确认瞬态峰值TJ是否超过TJ MAX。 在此之前我们已经了解了在功耗恒定时估算TJ的计算示例，本文将介绍在功耗瞬时增加的条件下的计算方法和示例。 瞬时波动示例 IC还使用与之前相同的LDO线性稳压器BD450M2EFJ-C。条件要考虑输入电压VIN如图1所示产生瞬时波动的情
[EMI/EMC]现代电子产品热阻介绍
随着设备变得更强大、尺寸更小巧紧凑，不同行业的工程师一直在电子产品的热管理上努力不懈。虽然有许多创意的解决方案可以藉由风扇、液体冷却器、导热管等高温导热器件将热能带走，但器件本身也有许多进展，从根本上优化热性能。为了帮助您更好地了解如何优化您的器件和热管理系统，本文概述电子产品中热性能的主要器件，并指出一些关键参数让您可以在器件上进行操作以优化散热系统灵活度和性能表现。工作环境温度在设计最终产品如IoT 设备、医疗工具或工业传感器器件时，几乎每个器件都将最高环境工作温度作为参数。最高环境温度是由该器
[贴片电容]用实验来证明，不同条件下的热阻数值千差万别
本文将会给出实际的热阻数据示例。实际的热阻数据示例通常在IC的技术规格书中都会提供IC热阻相关的信息。但是，所提供的热阻类型和设置可能会因IC的种类（例如用于信号处理的低功耗运算放大器、用于供电的热设计很重要的稳压器等）不同而略有不同。另外，也会因IC制造商而异。下面是500mA输出LDO线性稳压器的技术规格书中提供的热阻信息示例。这款IC有两种封装，因此提供了每种封装（TO263-5、TO252-J5）的热阻。顺便提一下，这两种封装都是带散热片的电源系统5引脚表贴型封装。下面来看一下具体内容。如Note 1所示
[EMI/EMC]仿真看世界之IPOSIM的散热器热阻Rthha解析
品慧电子讯如何评估IGBT模块的损耗与结温？英飞凌官网在线仿真工具IPOSIM，是IGBT模块在选型阶段的重要参考。这篇文章将针对IPOSIM仿真中的散热器热阻参数Rthha，给大家做一些清晰和深入的解析。● IPOSIM中Rthha定义：折算到每个Switch(开关)的散热器热阻● 折算思路：对于常规模块，先确定散热器的总热阻，再根据散热器包含的Switch数量，折算出热阻Rthha。对于PIM模块，其散热器热阻需要额外计算。一、两电平仿真中的Rthha的定义与设置在两电平逆变拓扑中，每个Switch基本单元为：T1+D1两电平举例说明：3XFF600R12KE4 p
[互连技术]详解热设计中的结到外壳热阻
品慧电子讯在本文中，我们将了解结壳热阻θJC以及如何使用此数据来评估将封装连接到散热器的设计的热性能。在本文中，我们将了解结壳热阻θJC以及如何使用此数据来评估将封装连接到散热器的设计的热性能。结到外壳热阻：θJCθJC指定从结到外壳表面的热阻。为避免混淆，制造商可以通过将此热数据指定为θJC（Top）和θJC（Bot）来指定考虑的表面。这两个分别是从结到外壳顶面和底面的热阻。测量θJC的设置如下所示。 RθJC的测
[EMI/EMC]热阻和散热的基础知识：对流中的热阻
品慧电子讯：继上一篇文章“传导中的热阻”之后，本文将介绍“对流”中的热阻。我们首先会对对流进行介绍，之后会对对流热阻的公式进行讲解。什么是对流？对流有几种类型，先来了解一下术语及其定义。另外，下面还给出了对流示意图。对流中的热阻下面是表示对流热阻的公式。对流中的热阻是对流传热系数hm与发热物体的表面积A乘积的倒数。从公式中可以看出，对流换热热阻随着物体表面积的增加而减小。对流传热系数hm因对流类型而异。上面还分别给出了自然对流和强制对流（层流和湍流）的hm。关键要点:流体是指气体和液体等流动的物质。对流
[EMI/EMC]热阻和散热的基础知识：传导中的热阻
品慧电子讯在上一篇文章中，介绍了热传递的三种主要形式：传导、对流和辐射。从本文开始，我们将介绍每种热传递方式的热阻。首先从“传导”中的热阻开始。下面将具体介绍热能是如何在物质中通过热传导的方式进行转移的。传导中的热阻热传导是指物质间、分子间的热能移动。这种传导方式的热阻如下图和公式所示。从图中可以看出，截面积为A、长度为L的物质一端的温度T1通过传导变为温度T2。第一个公式表示T1和T2之间的温度差是用红色虚线围起来的项乘以热流量P得到的值。最下面的公式表示用红色虚线围起来的项相当于热阻Rth。从上图和公式中
[EMI/EMC]热阻和散热的基础知识：传热和散热路径
品慧电子讯产生的热量通过传导、对流和辐射的方式经由各种路径逸出到大气中。由于我们的主题是“半导体元器件的热设计”，因此在这里将以安装在印刷电路板上的IC为例进行说明。热量通过物体和空间传递。传递是指热量从热源转移到他处。三种热传递形式热传递主要有三种形式：传导、对流和辐射。● 传导：由热能引起的分子运动被传播到相邻分子。● 对流：通过空气和水等流体进行的热转移。● 辐射：通过电磁波释放热能。散热路径产生的热量通过传导、对流和辐射的方式经由各种路径逸出到大气中。由于我们的
[电源管理]放大器静态功耗，输出级晶体管功耗与热阻的影响评估
品慧电子讯放大器参数的性能通常会受温度影响，而温度的变化来源包括环境温度波动，以及芯片自身总功耗和散热能力限制。其中放大器的总功耗包括静态功耗、输出级晶体管功耗，本篇将讨论二者与热阻参数对温度影响的评估方法。放大器参数的性能通常会受温度影响，而温度的变化来源包括环境温度波动，以及芯片自身总功耗和散热能力限制。其中放大器的总功耗包括静态功耗、输出级晶体管功耗，本篇将讨论二者与热阻参数对温度影响的评
[电源管理]带你读懂MOS管参数「热阻、输入输出电容及开关时间」
品慧电子讯热阻，英文Thermal resistance，指的是当有热量在物体上传输时，在物体两端温度差与热源的功率之间的比值，单位是℃/W或者是K/W。我们打开一个MOS管的SPEC，会有很多电气参数，今天说一说热阻、电容和开关时间这三个。热阻，英文Thermal resistance，指的是当有热量在物体上传输时，在物体两端温度差与热源的功率之间的比值，单位是℃/W或者是K/W。半导体散热的三个途径，封装顶部到空气，封装底部到电路板，封装引脚到电路板。结到空气环境的热阻用ThetaJA表示，
[电源管理]PCB铜皮的面积和热阻
品慧电子讯：实际的应用中，DFN3*3、DFN5*6、SOP8等封装类型的贴片元件，都会在PCB板器件位置的底部铺上一大片铜皮，然后器件底部框架的铜皮焊接在PCB的这一大片的铜皮上，加强散热。理论上，PCB板铜皮铺的面积越大，总热阻就越低，器件的温升就越低。由于PCB板上其他元件及PCB本身尺寸的限制，散热铜皮铺设的面积也就受到限制，那么铜皮铺设的面积最小要求多少，比较优化？下面分别以一块10cmX10cm、2OZ覆铜的二层PCB板来做试验，板厚1.5mm，PCB底层覆铜没有通过过孔连接到顶层，将封装为DFN5*6器件AON6152焊接在PCB板，同时AON6152的D极
[互连技术]简析功率MOSFET的热阻特性
品慧电子讯功率MOSFET的结温影响器件许多工作参数及使用寿命，数据表中提供了一些基本的数据来评估电路中功率MOSFET的结温。本文主要来说明MOSFET的稳态和动态热阻的测量方法，以及它们的限制条件。功率MOSFET的结温影响器件许多工作参数及使用寿命，数据表中提供了一些基本的数据来评估电路中功率MOSFET的结温。本文主要来说明MOSFET的稳态和动态热阻的测量方法，以及它们的限制条件。热阻特性也直接影响着后面对于功率MOSFET电流参数和SOA特性的理解。AON6590(40V，0.99mΩ)热阻1 结温校核曲线
[光电显示]LED行业中的传热学问题之一：“热阻”概念被滥用
LED散热中，温度不高(不超过100℃)，属常温传热，无相变等复杂过程，功率也不大，单颗LED晶片也就是1～2W，从传热学和技术来讲，LED散热非常简单，只涉及到传热学中非常小的部分—导热传热和对流传热(主要是空气自然对流传热)，其中导热传热就可利用现成的传热计算机软件，得到非常准确的解。一、引 言LED由于其节电、环保、长寿命，被公认为人类下一代照明技术，LED照明应用普及的最大阻碍是LED灯价格高，价格高又是由于散热问题所致。散热属于传热中的一部分。人类对传热的研究已有上百年的历史，上世纪60～70年代是人们对传热研究的顶峰
[电路保护]实践经验分享：元器件热阻和热特性辨析
品慧电子讯一位工程师朋友最近正在写热分析和热设计的东西，小编就借花献佛在这分享下这位工程师整理的关于热分析和热设计的知识和资料，与大家分享，共同探讨。我最近在写热分析和热设计的章节，把一些材料整理出来给大家分享一下，与原文有些差距，增加多样性，呵呵。首先看英文的指引，是指JESD51中关于热阻和热特性参数的表格定义。热阻划分θJA是结到周围环境的热阻，单位是°C/W。θJA取决于 IC封装、电路板、空气流通、辐射和系统特性，通常辐射的影响可以忽略。θJA专指自然条件下的数值。器件说明书中的ΦJA是根据JESD51标准给出
[电路保护]LED寿命的终结者：LED的热阻
品慧电子讯影响LED寿命的一个重要参数就是LED热阻。其数值越低，表示芯片中的热量传导到支架或铝基板上越快。这有利于降低芯片中pn结的温度，从而延长LED的寿命。在LED点亮后达到热量传导稳态时，芯片表面每耗散1W的功率，芯片pn结点的温度与连接的支架或铝基板的温度之间的温差称为热阻Rth，单位为℃/W。数值越低，表示芯片中的热量传导到支架或铝基板上越快。这有利于降低芯片中pn结的温度，从而延长LED的寿命。影响LED热阻的因素怎样才能降低LED的热阻呢？热阻的大小与以下因素有关：与LED芯片本身的结构与材料有关。与LED 芯片黏结所用
[通用技术]面向高电流DC/DC应用、降低上表面热阻的功率MOSFET
产品特性： 增强型封装技术 将承受的功耗提升 80% 高效的双面散热技术 可简化设计、降低成本应用范围： 可广泛用于各种终端应用，其中包括台式个人计算机、服务器、电信或网络设备等日前，德州仪器 (TI) 宣布面向高电流 DC/DC 应用推出业界第一个通过封装顶部散热的标准尺寸功率 MOSFET 产品系列。相对其它标准尺寸封装的产品，DualCool NexFET功率MOSFET有助于缩小终端设备的尺寸，同时还可将MOSFET允许的电流提高 50%，并改进散热管理。该系列包含的 5 款 NexFET 器件支持计算机与电信系统设计人员使用具有扩充内存及更高
[通用技术]TI推出降低上表面热阻的功率MOSFET
产品特性： 通过封装顶部散热 采用高效的双面散热技术 采用标准5mm x 6mm SON 封装应用范围： 各种终端应用 包括台式个人计算机、服务器、电信或网络设备、基站以及高电流工业系统等日前，德州仪器 (TI) 宣布面向高电流 DC/DC 应用推出业界第一个通过封装顶部散热的标准尺寸功率 MOSFET 产品系列。相对其它标准尺寸封装的产品，DualCool NexFET 功率MOSFET有助于缩小终端设备的尺寸，同时还可将MOSFET允许的电流提高 50%，并改进散热管理。 该系列包含的 5 款 NexFET 器件支持计算机与电信系统设计人员使用具有扩充内存及更
