[电源管理]Transphorm技术白皮书：利用Normally-Off D-Mode平台设计将氮化镓晶体管的优势最大化
【导读】该技术文献全面介绍了氮化镓在物理特性方面自带的优势特性以及常闭型d-mode 氮化镓解决方案如何发挥最大的自身优势，用于创建具有更高可靠性、可设计性、可驱动性、可制造性和多样性的卓越平台。 加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 10 月 19 日 –氮化镓功率半导体产品的全球领先企业 Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今日发布了题为『Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势』的最新白皮书。该技术文献科普了共源共栅 (常闭) d-mode氮化镓平台固有的优势。重要的是，该文章还解释了e-mode平台为实现常闭型解决方案，从根本上
[电源管理]高效晶体管如何推动组串式光伏逆变器发展
【导读】在今天的博文中，我们会进一步深入探讨——随着时代的发展，高效功率晶体管技术对组串式光伏逆变器的影响。在电力储能系统中，光伏逆变器是进行电流转换必不可缺的组件。 欧盟提出力争在2030年前将碳排放水平降低62%。也就是说，要在7年时间内实现这一目标。显然，全球朝着可再生能源迈进已成必然趋势，全世界都在探索如何利用可再生能源来满足能源需求，同时降低碳排放。就可再生能源和储能系统而言，有许多幕后功臣在为生产可再生能源默默付出。 在今天的博文中，我们会进一步深入探讨——随着时代的发展，高效功率晶体管技术对
[RF/微波]设计晶体振荡器
【导读】本教程重点介绍有关石英晶体的所有内容，石英晶体是电子领域广泛使用的材料之一。还讨论了它的属性、为什么它在某些设备上高度适用以及它在某些条件下的行为方式。特别是石英晶体作为振荡器原材料的应用是本文献的中心内容。D类音频放大器近年来越来越出名。本文将介绍 D 类音频放大器的内容、原因和方法。本文还将介绍音频放大器的背景以及 D 类放大器的优点以及与其他放大器的一些比较。本教程重点介绍有关石英晶体的所有内容，石英晶体是电子领域广泛使用的材料之一。还讨论了它的属性、为什么它在某些设备上高度适用以及它在某
[电路保护]Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势
【导读】氮化镓功率半导体器件毫无疑问是目前电力电子领域中非常火热的一个话题。当今占主导有两种晶体管类型：Normally-off D-mode和Normally-off E-mode 氮化镓晶体管。当人们面临选择时，有时会难以言明地倾向于使用增强型晶体管。而事实上，Normally-off D-mode在性能、可靠性、多样性、可制造性以及实际用途方面都是本质上更优越的平台。这之中的原因在于Normally-off D-mode能够充分利用氮化镓材料本身优势。 常闭耗尽型 (D-Mode) 与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管本质优势对比之简短指南 氮化镓功率半导体器件毫无疑问是目前电力电子
[电路保护]增强型 GaN 晶体管的电气特性
【导读】对于使用过功率 MOSFET 的电源系统设计师来说，升级到增强型 GaN 晶体管非常简单。基本操作特性非常相似，但在高效设计中需要考虑一些特性，以便从这种新一代设备中获得利益。 对于使用过功率 MOSFET 的电源系统设计师来说，升级到增强型 GaN 晶体管非常简单。基本操作特性非常相似，但在高效设计中需要考虑一些特性，以便从这种新一代设备中获得利益。 注意这些电气特性 每个半导体的功能都有其限制。这些限制通常在器件数据表中突出显示，并作为设计人员如何创建不存在隐藏质量或可靠性问题的设计的指南。增强型 GaN 晶体管（例
[互连技术]晶体管的第一个76年：变小了，却变大了？
【导读】1947年，当John Bardeen、Walter Brattain和William Shockley成功制造出了世界上第一个能正常工作的晶体管时，他们未曾想到，晶体管如今会成为电子产品的最重要组成部分。晶体管被誉为20世纪最伟大的发明之一，它改进了真空管在功耗和尺寸方面的缺陷，为电子设备的发展奠定了基础，也为人们带来了便捷高效的数字化生活。1947年，当John Bardeen、Walter Brattain和William Shockley成功制造出了世界上第一个能正常工作的晶体管时，他们未曾想到，晶体管如今会成为电子产品的最重要组成部分。晶体管被誉为20世纪最伟大的发明之一，
[互连技术]自加热Vbe 晶体管恒温器无需校准
【导读】一种明显的替代方法是使用晶体管 Vbe tempco 进行温度自检测，由于其明显的简单性而很有吸引力，但在实践中，它的实用性受到不可预测的晶体管 Vbe 可变性的限制。在参考文献 1 中，的模拟大师 Jim Williams 解释了这个问题如何需要初始传感器晶体管校准（如果传感器需要更换，则需要重新校准）。 它包含三个想法。 1.将双极型功率晶体管复用在温度自测和自发热之间，从而实现自控温度。 2.关闭恒温器晶体管与需要温度控制的组件的热耦合。因此，当晶体管对自身进行恒温时，它也会对与其热结合的组件进行恒温。 3.利用Vbe感测获得晶
[互连技术]时钟晶体下面铺地和走线
【导读】时钟晶体和相关电路应布置在PCB的中央位置并且要有良好的地层，而不是靠近I/O接口处。不可将时钟产生电路做成子卡或者子板的形式，必须做在单独的时钟板上或者承载板上。 我们在单板电路设计时，针对时钟部分的注意事项，主要有以下几个方面可以考虑：1、布局时钟晶体和相关电路应布置在PCB的中央位置并且要有良好的地层，而不是靠近I/O接口处。不可将时钟产生电路做成子卡或者子板的形式，必须做在单独的时钟板上或者承载板上。 如下图所示，绿色框中部分下一层最好不要走线在PCB时钟电路区域只布与时钟电路有关的器件，避免布
[互连技术]降压开关稳压器如何使用串联晶体管
【导读】降压开关稳压器是一种开关模式电源电路，旨在有效地将直流电压从较高电压降低到较低电压，即减去或“降压”电源电压，从而降低输出端可用的电压端子无需改变极性。换句话说，降压开关调节器是降压调节器电路，因此例如降压转换器可以将+12伏转换为+5伏。降压开关稳压器是一种开关模式电源电路，旨在有效地将直流电压从较高电压降低到较低电压，即减去或“降压”电源电压，从而降低输出端可用的电压端子无需改变极性。换句话说，降压开关调节器是降压调节器电路，因此例如降压转换器可以将+12伏转换为+5伏。降压开关稳压器是一种直
[晶振]晶体特性及模型
石英晶振的特性及模型石英晶体是一种可将电能和机械能相互转化的压电器件，能量转变发生在共振频率点上。它可用如下模型表示：C0：等效电路中与串联臂并接的电容(译注：也叫并电容，静电电容，其值一般仅与晶振的尺寸有关)。Lm：(动态等效电感)代表晶振机械振动的惯性。Cm：(动态等效电容)代表晶振的弹性。Rm：(动态等效电阻)代表电路的损耗。晶振的阻抗可表示为以下方程(假设Rm可以忽略不计)： 石英晶振的频域电抗特性： 其中Fs的是当电抗Z=0时的串联谐频率(译注：它是Lm、Cm和Rm支路的谐振频率)，其表达式如
[互连技术]针对医疗产品的可植入级晶体计时解决方案
Micro Crystal瑞士微晶为生命救助医疗设备提供超低功耗、微型计时和频率产品。其产品系列可以满足低频（32-102.4kHz）音叉式晶体、AT-cut晶体（14-50MHz）、低频振荡器（32.768-100kHz）和实时时钟模块的需求。 这些基于成熟可靠的石英技术的产品可为医疗植入器件和其他医疗应用提供最先进的组件，帮助电子设备实现微型化，并可应用于所有需要解决时间准确性、组件密度和尺寸等挑战的设计中。 用于医疗设备的高精度计时和频率组件医疗行业的错误往往可能导致严重后果，因此电子仪器和设备必须以高度精确的方式运行。为了帮助医疗专业人员
[互连技术]绝缘栅双极晶体管(IGBTs)简史
【导读】尽管人们对宽带隙(WBG)功率半导体器件感到兴奋，但硅基绝缘栅双极晶体管(IGBTs)在今天比以往任何时候都更加重要。在我们10月份发布的电动汽车电力电子报告[2]中，TechInsights预测，xEV轻型汽车动力总成的产量将从2020年的910万增长到2026年的4310万，这使得其复合年增长率(CAGR)达到25%。SiC MOSFET目前预计占市场的约26%，到2029年预计将占市场份额的50%。 一年的结束通常是回顾和反思的时候。在TechInsights 2021年底发布的功率半导体博客中，我们总结了SiC MOSFET设计的一些最新发展[1]。 尽管人们对宽带隙(WBG)功率半导体器件
[光电显示]光电晶体管的结构和特性
【导读】在 NPN 晶体管中，集电极相对于发射极正向偏置，使得基极/集电极结反向偏置。因此，在结处没有光的情况下，正常漏电流或暗电流流动非常小。当光落在基极上时，该区域会形成更多的电子/空穴对，并且该作用产生的电流被晶体管放大。 在 NPN晶体管中，集电极相对于发射极正向偏置，使得基极/集电极结反向偏置。因此，在结处没有光的情况下，正常漏电流或暗电流流动非常小。当光落在基极上时，该区域会形成更多的电子/空穴对，并且该作用产生的电流被晶体管放大。通常光电晶体管的灵敏度是晶体管直流电流增益的函数。因此，总体灵敏度
[互连技术]双极结型晶体管的电流增益
【导读】如果您施加一个足够高的电压 VIN以正向偏置基极-发射极结，电流将从输入端流过 RB，通过 BE 结，到达地。我们称之为 IB。电流还将从 5 V电源流经 RC，流经晶体管的集电极到发射极部分，流到地。称之为IC。假设 IC足够小以在集电极端留下相对较高的电压——足够高的电压，即保持基极-集电极结反向偏置。假设我们正在使用一个简单的电路，该电路由一个 npn双极结型晶体管(BJT) 和几个电阻器组成，连接方式如下：如果您施加一个足够高的电压 VIN以正向偏置基极-发射极结，电流将从输入端流过 RB，通过 BE 结，到达地。我们称之为 IB。
[传感技术]科学家首次捕捉到二维晶体中神秘的隐藏量子相
他们能够通过在一个具有纳米级电子密度调制的二维晶体上使用单镜头光谱技术来实时查看这种转变。“通过这项工作，我们展示了由电子调制晶体中的超短激光脉冲诱导的隐藏量子相的诞生和演变，”Frank Gao说，他是关于这项工作的论文的共同主要作者，目前是UT Austin的博士后。“通常情况下，将激光照射在材料上等同于加热它们，但在这种情况下并非如此，”共同主要作者、目前麻省理工学院化学系的研究生Zhuquan Zhang补充说。“在这里，对晶体的照射重新安排了电子秩序，创
[传感技术]南智芯材铌（钽）酸锂晶体产业化项目签约落户常熟经开区
7月29日，南智芯材铌（钽）酸锂晶体产业化项目正式签约落户常熟经开区。苏州南智芯材科技有限公司由南京大学院士团队领衔，主要从事铌酸锂（LN）和钽酸锂（LT）的研发及产业化。铌（钽）酸锂（LN/LT）是一种非线性、电光、压电性能非常优异的晶体材料，有“光学硅”的美称，广泛应用在射频滤波器、高速光通讯调制器、光隔离器等领域，在光（量）子芯片等方面具有广阔应用前景。目前该团队已攻克了核心电子材料的“卡脖子”技术问题，可实现国产替代。
[传感技术]华东理工大学耗散型石英晶体微天平中标结果公告
【化工仪器网 市场商机】? 项目名称：华东理工大学耗散型石英晶体微天平? 项目编号：1639-224022240139? 招标范围：耗散型石英晶体微天平? 招标机构：上海市机械设备成套(集团)有限公司? 招标人：华东理工大学? 开标时间：2022-07-29 09:30? 公示时间：2022-08-01 17:23 - 2022-08-01 23:59? 中标结果公告时间：2022-08-02 12:38? 中标人：香港洪昕科技有限公司? 制造商：Biolin Scientific AB? 制造商国家或地区：瑞典
[传感技术]俄科学家在车里雅宾斯克陨石灰尘中发现了不寻常的微晶体
资料图这些尘埃中的一些碳微晶具有奇怪的形状。由俄罗斯车里雅宾斯克国立大学的Sergey Taskaev和Vladimir Khovaylo领导的小组最近在《European Physical Journal Plus》上发表了一篇关于这些晶体的形态和模拟形成的论文。流星的表面在进入大气层并受到非常高的温度和巨大的压力时形成了陨石粉尘。车里雅宾斯克的流星在它的大小、爆炸时产生的空气爆裂的强度、落到地球上的最大碎片的大小及它所造成的破坏方面都非常特别。更重要的是，它降落在雪地上，而雪有助于保持灰尘
[传感技术]研究人员开发出新材料使芯片尺寸更小
澳大利亚新南威尔士大学悉尼分校研究人员开发出一种微小、透明且灵活的新材料，有助于芯片尺寸进一步微缩。研究人员使用独立的单晶钛酸锶（STO）膜作为栅极电介质，制造了透明的场效应晶体管，并发现这种新型微型设备与硅半导体场效应晶体管的性能相接近。获 取 更多前沿科技?研究 进展访问：https://byteclicks.com这表明，STO可用作晶体管中的新型绝缘体组件，能在不影响功能的情况下使晶体管尺寸更小。此外，研究人员还证实STO材料有被用于制造二维晶体管的潜能，有望与其他材料结合，为各类新兴应用创造高性能晶体
[传感技术]EPC推于市场上具有最低导通电阻的100 V耐辐射晶体管
? ? 宜普电源转换公司(EPC)扩展了其耐辐射氮化镓产品系列，新推的100 V器件用于要求严格的机载和其他高可靠性环境的电源转换解决方案，与目前市场上的任何100 V耐辐射晶体管相比，它具有最低的导通电阻。 ? ? EPC公司宣布推出100 V、3.9 mΩ、345 APulsed的耐辐射GaN FETEPC7018，尺寸为13.9 mm2，其总剂量等级大于1 Mrad，线性能量转移（LET）的单一事件效应（SEE）抗扰度为85 MeV/(mg/cm2)。与EPC7014、EPC7007和EPC7019耐辐射产品系列相同，都是采用芯片级封装。封装器件由
