[EMI/EMC]隔离偏置变压器寄生电容如何影响 EMI 性能
【导读】小型隔离电源为从电动汽车牵引逆变器到工厂控制模块等应用中的隔离栅提供电力。在本电源提示中，我将研究不同的隔离式偏置电源拓扑及其电磁干扰 (EMI) 性能。正如您将看到的，隔离变压器上的寄生电容是共模噪声传播的主要因素。小型隔离电源为从电动汽车牵引逆变器到工厂控制模块等应用中的隔离栅提供电力。在本电源提示中，我将研究不同的隔离式偏置电源拓扑及其电磁干扰 (EMI) 性能。正如您将看到的，隔离变压器上的寄生电容是共模噪声传播的主要因素。 在牵引逆变器中，栅极驱动器驱动高功率开关——通常是绝缘栅双极晶体管(IG
[互连技术]引入空气间隙以减少前道工序中的寄生电容
【导读】减少栅极金属和晶体管的源极/漏极接触之间的寄生电容可以减少器件的开关延迟。减少寄生电容的方法之一是设法降低栅极和源极/漏极之间材料层的有效介电常数，这可以通过在该位置的介电材料中引入空气间隙来实现。这种类型的方式过去已经用于后道工序 (BEOL) 中，以减少金属互连之间的电容[1-4]。本文中，我们将专注于前道工序 (FEOL)，并演示在栅极和源极/漏极之间引入空气间隙的SEMulator3D?模型[5]。SEMulator3D?是一个虚拟的制造软件平台，可以在设定的半导体工艺流程内模拟工艺变量。利用SEMulator3D?设备中的实验设计 (DoE) 功
[电阻器]薄膜贴片式电阻具有良好的射频特性
在低频电子学中，最普通的电路元件就是电阻，它的用途非常广泛，主要是将电能转换成热能产生压降。若将电阻视为分立元件，可以把电阻划分成以下几种类型。高精度颗粒介质的碳素电阻；采用镍或其他柔性金属丝的绕线电阻；采用温度稳定材料的金属膜电阻；采用铝材料做成的薄膜贴片式电阻。在以上的电阻中，目前射频及微波领域一般使用的是薄膜贴片式电阻（SMD）。其原因是薄膜贴片式电阻具有良好的射频特性且尺寸可以做到比较小的。实际的电阻在低频电路中就可以看做是单纯的只有电阻，但是在高频电路中，电阻就不在是单纯的只有电阻
[电感器]寄生电感怎么产生的_寄生电感产生原因是什么
寄生电感简介寄生电感一半是在PCB过孔设计所要考虑的。在高速数字电路的设计中，过孔的寄生电感带来的危害往往大于寄生电容的影响。它的寄生串联电感会削弱旁路电容的贡献，减弱整个电源系统的滤波效用。我们可以用下面的公式来简单地计算一个过孔近似的寄生电感：L=5.08h［ln（4h/d）+1］其中L指过孔的电感，h是过孔的长度，d是中心钻孔的直径。从式中可以看出，过孔的直径对电感的影响较小，而对电感影响最大的是过孔的长度。仍然采用上面的例子，可以计算出过孔的电感为：L=5.08x0.050［ln（4x0.050/0.010）+1］=1.015nH。
[电感器]什么是寄生电感_PCB寄生电容和电感计算
什么是寄生电感寄生电感一半是在PCB过孔设计所要考虑的。在高速数字电路的设计中，过孔的寄生电感带来的危害往往大于寄生电容的影响。它的寄生串联电感会削弱旁路电容的贡献，减弱整个电源系统的滤波效用。我们可以用下面的公式来简单地计算一个过孔近似的寄生电感。L=5.08h［ln（4h/d）+1］其中L指过孔的电感，h是过孔的长度，d是中心钻孔的直径。从式中可以看出，过孔的直径对电感的影响较小，而对电感影响最大的是过孔的长度。仍然采用上面的例子，可以计算出过孔的电感为：L=5.08x0.050［ln（4x0.050/0.010）+1］=1.015nH 。如
[场效应管]如何从MOS管的驱动波形来判断驱动好不好
如何从MOS管的驱动波形来判断驱动好不好，到底是哪里出了问题？本文分享几种常见的MOS管驱动波形。 基础知识 一般认为三极管是电流驱动型，所以驱动三极管，要在基极提供一定的电流。 一般认为MOS管是电压驱动型，所以驱动MOS管，只需要提供一定的电压，不需要提供电流。 实际是这样吗？ 由于MOS管的制作工艺，决定了本身GS之间有结电容以及GD之间有弥勒电容，DS也有寄生电容，这使得MOS管的驱动变得不那么简单。 备注：如下图为软件绘制，示意图仅供参考，便于理解。 1、MOS正常驱动波形 ? 描述：MOS一般是慢开快关
[电源管理]SiC MOSFET和Si MOSFET寄生电容在高频电源中的损耗对比
富昌电子（Future Electronics）一直致力于以专业的技术服务，为客户打造个性化的解决方案，并缩短产品设计周期。在第三代半导体的实际应用领域，富昌电子结合自身的技术积累和项目经验，落笔于SiC相关设计的系列文章。希望以此给到大家一定的设计参考，并期待与您进一步的交流。 前两篇文章我们分别探讨了SiC MOSFET的驱动电压，以及SiC器件驱动设计中的寄生导通问题。本文作为系列文章的第三篇，会从SiC MOS寄生电容损耗与传统Si MOS作比较，给出分析和计算过程，供设计工程师在选择功率开关器件时参考！ 电力电子行业功率器件的不断发展
[互连技术]漏电流和寄生电容引起的DRAM故障识别
品慧电子讯从20nm技术节点开始，漏电流一直都是动态随机存取存储器(DRAM)设计中引起器件故障的主要原因。即使底层器件未出现明显的结构异常，DRAM设计中漏电流造成的问题也会导致可靠性下降。漏电流已成为DRAM器件设计中至关重要的一个考虑因素。 从20nm技术节点开始，漏电流一直都是动态随机存取存储器(DRAM)设计中引起器件故障的主要原因。即使底层器件未出现明显的结构异常，DRAM设计中漏电流造成的问题也会导致可靠性下降。漏电流已成为DRAM器件设计中至关重要的一个考虑因素。图
[EMI/EMC]一文读懂：寄生电容
品慧电子讯X9C102,X9C103,X9C104是美国Xicor公司的高精度数字电位器，电位器的阻值和型号的后缀数字相同，分别是1k(102), 10k(103),100k(104)等。X9C104最小应用板外形这类器件具有数字设置以及掉电保存设置的功能，可以替代一般的电位器对模拟电路的一些参数进行修改，使得电路能够的一些参数能够比较容易进行修改。X9C104的内部逻辑结构如果使用X9CXXX系列的电位器处理直流或者低频交流信号，它的精度和线性特性还是非常好的。下图显示了对于X9C104的一百个中间抽头位置所对应的电阻测量值绘制的曲线，看可以看出电位器的精
[互连技术]如何区分寄生电容与分布电容？
品慧电子讯在电子电路中，本来没有在那个地方设计电容，但由于布线之间总是有互容，互容就好像是寄生在布线之间的一样，所以叫寄生电容，又称杂散电容。一、寄生电容在电子电路中，本来没有在那个地方设计电容，但由于布线之间总是有互容，互容就好像是寄生在布线之间的一样，所以叫寄生电容，又称杂散电容。寄生电容一般是指电感，电阻，芯片引脚等在高
[电源管理]关于寄生电容 一定要仔细读一读
品慧电子讯电源纹波和瞬态规格会决定所需电容器的大小，同时也会限制电容器的寄生组成设置。图1显示一个电容器的基本寄生组成，其由等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL）组成，并且以曲线图呈现出三种电容器（陶瓷电容器、铝质电解电容器和铝聚合物电容器）的阻抗与频率之间的关系。表1显示了用于生成这些曲线的各个值。这些值为低压（1V~2.5V）、中等强度电流（5A）同步降压电源的典型值。表1:三种电容器比较情况，各有优点。低频下，所有三种电容器均未表现出寄生分量，因为阻抗明显只与电容相关。但是，铝电解电容器阻抗停止
[电感器]寄生电感怎么产生的_寄生电感产生原因是什么
寄生电感简介寄生电感一半是在PCB过孔设计所要考虑的。在高速数字电路的设计中，过孔的寄生电感带来的危害往往大于寄生电容的影响。它的寄生串联电感会削弱旁路电容的贡献，减弱整个电源系统的滤波效用。我们可以用下面的公式来简单地计算一个过孔近似的寄生电感：L=5.08h［ln（4h/d）+1］其中L指过孔的电感，h是过孔的长度，d是中心钻孔的直径。从式中可以看出，过孔的直径对电感的影响较小，而对电感影响最大的是过孔的长度。仍然采用上面的例子，可以计算出过孔的电感为：L=5.08x0.050［ln（4x0.050/0.010）+1］=1.015nH。
[电容器]如何绕制电感与选择磁芯减小寄生电容
众所周知，电感在电路中具有一定的滤波作用，那么制作电磁干扰滤波器的电感时，需要重视的问题是尽量减小电感上的杂散电容。 电感上的杂散电容来自两个方面，一是线圈的匝间电容，另一个是绕组与磁芯之间的电容，因此减小电感的杂散电容也要从这两个方面入手。 首先如果是磁芯导体，应该先减小绕组与磁芯之间的电容，具体方法是在绕组与磁芯之间加一层介电常数较低的绝缘材料，增加绕组与磁芯之间的距离。其次要减小匝间的电容，那么线圈的绕制方法很重要。下面就说说绕制线圈时要特别注意的问题： 1，尽量单层绕制。当空间允许
[电容器]如何消除寄生电容的影响
寄生电容，什么是寄生电容 电容，我们在日常生活、工作中都经常用到，但不知道大家对“寄生电容”是否知道呢？本文收集整理了一些资料，希望本文能对各位读者有比较大的参考价值。 寄生电容一般是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个电容，一个电感，和一个电阻的串连，在低频情况下表现不是很明显，而在高频情况下，等效值会增大，不能忽略。在计算中我们要考虑进去。ESL就是等效电感，ESR就是等效电阻。不管是电阻，电容，电感，还是二极管，三极管，MOS管，还有IC，在
[电容器]什么是“寄生电容”？寄生电容与三种电容器！
什么是“寄生电容”？ 寄生的含义就是本来没有在那个地方设计电容，但由于布线之间总是有互容，互容就好像是寄生在布线之间的一样，所以叫寄生电容，又称杂散电容。 寄生电容本身不是电容，根据电容的原理我们可以知道，电容是由两个极板和绝缘介质构成的，那么寄生电容是无法避免的。比如一个电路有很多电线，电线与电线之间形成的电容叫做寄生电容。寄生电容一般在高频电路中会对电路造成很大影响，所以电路在布线的时候要特殊考虑。 寄生电容一般是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，
[电容器]寄生电容干扰的产生原因及消除方法
电容式传感器具有结构简单，灵敏度高，温度稳定性好，适应性强，动态性能好等一系列优点，目前在检测技术中不仅广泛应用于位移、振动、角度、加速度等机械量的测量，还可用于液位、压力、成份含量等热工方面的测量中。但由于电容式传感器的初始电容量很小，一般在皮法级，而连接传感器与电子线路的引电缆电容、电子线路的杂散电容以及传感器内极板与周围导体构成的电容等所形成的寄生电容却较大，不仅降低了传感器的灵敏度，而且这些电容是随机变化的，使得仪器工作很不稳定，从而影响测量精度，甚至使传感器无法正常工作，所以必须设法
[电容器]测量寄生电容与寄生电感
电容器与电感器都不是理想器件。一个电容器会有一定量的串联电感（称为寄生电感）。寄生电感由电容器中的导体（特别是引线）产生。老式电容器，如20世纪60年代以前就开始使用的蜡纸介质电容器件中，串联电感很大。由于电感是与电容串联的，所以构成了一个串联谐振电路。 电容，电容器的简称，是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直、耦合、旁路、滤波、调谐回路、能量转换、控制电路等方面。 电容的寄生电感和寄生电阻主要是指它的引线和极板形成的电感和电阻，尤其是容量较大的电容更为明显。如果你解剖过电容器，会
[二极管]一文读懂二极管在寄生电容处理间的妙用
很多人不懂，二极管是单向导电特性，在整流开关的问题上都是占据了主导作用，还可以在一定电流范围下起到稳压效果。但也有很多人不知道二极管和寄生电容其实存在很多我们没有发现的小技巧。它利用二极管的反偏压结电容，能够有效地减少信号线上的接入寄生电容，这里将近一步讨论这个运用。提到二极管，大家最熟悉的就是二极管的单向导电性，反映伏安曲线上如图1所示。当正向偏压U=0.5V（硅管）时，二极管开始导通，电流越大电压越大，具有很低阻抗；当加反向偏压时二极管不导通，在一定范围内有很小的漏电流，具有很大阻抗。其这个单
[电容器]一种减少VDMOS寄生电容的新结构
一种减少VDMOS寄生电容的新结构 0 引 言 VDMOS与双极晶体管相比，它的开关速度快，开关损耗小，输入电阻高，驱动电流小，频率特性好，跨导高度线性等优点。特别值得指出的是，它具有负温度系数，没有双极功率管的二次击穿问题，安全工作区大。因此，不论是开关应用还是线性应用，VDMOS都是理想的功率器件。VDMOS的开关速度是在高频应用时的一个重要的参数，因此提出一种减小寄生电容的新型VDMOS结构。 1 基本原理 功率VDMOS的开关特性是由其本征电容和寄生电容来决定的。VDMOS的电容主要由三个部分栅源电容Cgs栅漏电容Cgd以及源漏电
[电源管理]如何妙用二极管减少信号线上的寄生电容
二极管以其单向导电特性，在整流开关方面发挥着重要的作用；其在反向击穿状态下，在一定电流范围下起到稳压效果。令人意外的是，利用二极管的反偏压结电容，能够有效地减少信号线上的接入寄生电容，这里将近一步讨论这个运用。二极管参数—单向导电性提到二极管，大家最熟悉的就是二极管的单向导电性，反映伏安曲线上如图1所示。当正向偏压U=0.5V（硅管）时，二极管开始导通，电流越大电压越大，具有很低阻抗；当加反向偏压时二极管不导通，在一定范围内有很小的漏电流，具有很大阻抗。其这个单向导电性，也起到了开关的作用，所以在整流和
