[电路保护]半导体器件击穿机理分析及设计注意事项
【导读】在日常的电源设计中，半导体开关器件的雪崩能力、VDS电压降额设计是工程师不得不面对的问题，本文旨在分析半导体器件击穿原理、失效机制，以及在设计应用中注意事项。 一、半导体器件击穿原理 PN结I-V曲线如图[1]所示： ● PN结正向导通，反向截止；● 反向电压超过一定限值VBR，器件发生电击穿；● 正向导通时，电流超过一定限值（图示绿色区域之外），器件发生热烧毁。 图[1]：PN结I-V曲线 PN结的击穿原理分为：电击穿和热击穿（二次击穿）。 1）电击穿 电击穿：指强电场导致器件的击穿，过程通常是可逆的。当电压消失，器件电
[传感技术]TF100Tr/Th-PK电流互感器CT击穿保险器
?TF100Tr/Th-PK电流互感器CT击穿保险器TF100Tr/Th-PK电流互感器CT击穿保险器稀有气体填充绝缘火花间隙装置???????? TF100Tr/Th-PK是用于电力系统电流互感器铁芯的雷电和浪涌电压保护器，是二次回路过电压保护装置，具有下列特性：1.具备非常高的脉冲和交流电流电阻率。2.不需要对其进行任何安全检查，使用寿命很长。3.辅助触点说明:12和11为常闭触点,11和14为常开触点。（选配）TF100Tr/Th-PK电流互感器CT击穿保险器主要参数：直流击穿电压(100V/s)：100V雷电脉冲电流(10/350μs):100KA?10V
[电路保护]几种红外LED反向击穿类型
【导读】根据 Using LED as a Single Photon Detector[1] 所介绍的红色LED的单光子雪崩反向击穿电流效应， ?在博文 测试一些LED的反向击穿过程中的单光子现象[2] 中对于手边的几种LED进行测试，?发现只有两款红外LED可以出现反向雪崩击穿现象，其它LED都没有这种情况。?对于同一种红外LED，经过测试发现它们反向雪崩击穿的特性也各不相同，?下面针对其中出现的情况进行测试记录。 01 反向雪崩击穿 一、背景介绍??根据 Using LED as a Single Photon Detector[1] 所介绍的红色LED的单光子雪崩反向击穿电流效应， ?在博文 测试一些LED的反向
[互连技术]通过监控锂离子电池组来检测电池热击穿事件
【导读】在电动汽车 (EV) 和蓄电池应用中，由多个锂离子 (li-ion) 电池构成的电池组会发生热击穿，从而带来安全威胁，甚至可能造成严重后果。当然，用户通常会对无视这个问题，但设计者完全知道，在串联和并联了数百个锂离子电池单元的情况下，其中一个电池单元发生故障就能造成快速温升，并排放气体和固体微粒。 在电动汽车(EV) 和蓄电池应用中，由多个锂离子 (li-ion) 电池构成的电池组会发生热击穿，从而带来安全威胁，甚至可能造成严重后果。当然，用户通常会对无视这个问题，但设计者完全知道，在串联和并联了数百个锂离子电池单元的
[电源管理]使用互补PWM、击穿和死区时间的 H 桥直流电机控制
【导读】在几乎所有机电应用中，电机控制都是电子设计的一个基本方面。机器人和电动汽车 (EV) 等领域需要对电机进行电路和固件控制，以可靠地影响给定设备的运动。在几乎所有机电应用中，电机控制都是电子设计的一个基本方面。机器人和电动汽车 (EV) 等领域需要对电机进行电路和固件控制，以可靠地影响给定设备的运动。每种类型的电机都有自己的控制要求，需要独特的电路和正确操作的理解。在本文中，我们将了解直流电机控制、H 桥电路和互补PWM等控制技术。H 桥工作原理——什么是 H 桥电路？在驱动和控制直流电机时，基本和应用广泛的电
[传感技术]2598元即可入手Redmi K50至尊版 京东春节也送货 大牌手机击穿底价
除夕将至，又到了辞旧迎新的时刻，很多小伙伴也终于有时间为自己和家人换新手机了。都说早买早享受晚买享优惠，但就怕春节期间买既没优惠也发不了货，毕竟春节各项花费都不少，能省则省总不为过。为了让广大消费者花最少钱购得新手机，京东年货节联合众多品牌甄选主流爆款产品，打造手机超值清单并推出钜惠福利，限时限量释放专属购机补贴。即日起至1月27日，包括vivo、OPPO、荣耀、Redmi、iQOO等品牌的爆款机型价格一降到底，绝对是新春抄底的好时机。值得一提的是，京东手机年货节春节也送货，只
[传感技术]攀升新年首波大促来了！爆款台式机击穿底价
正值开学季，最近学生朋友的换机需求增加了不少，尤其是对全新处理器和显卡的兴趣颇高。国内知名高性能定制电脑品牌攀升也在开学季为学生朋友带来了新年第一份福利，开学换新大促。小编给大家挑选了几款性价比很高的主机新品，一起来看看吧。攀升探险家 A37攀升探险家系列在攀升家族中是一个配置组合非常丰富的 DIY 主机家族，型号众多且价位段覆盖广。本次给大家重点推荐的是攀升探险家 A37 这个型号。它搭载了英特尔 12 代酷睿 i5-12400F 处理器，英伟达 RTX3060 16G 显卡，同时还有 16GB
[电源变压器]彩电行输出变压器多次击穿的原因
彩电行输出变压器多次击穿的原因彩电行输出变压器多次击穿的原因可能有行逆程电容失效，主电压过高！绝缘度下降导致对机壳放电，变压器本身质量差等。 彩电行输出变压器击穿短路故障引发的故障现象在长年的检修CRT彩电中，常遇到行输出变压器不同绕组间击穿短路，常见是集电极绕组（1、2、3脚）与接地脚（4脚）间击穿，造成140V的+B电压到地短路，在接通电源开关时，造成开关电源不工作，没有电压输出，面板的电源指示灯不亮。此时测量行输出管C极到地击穿短路，往往会认为是行输出管击穿，在拆下行输出管后结果会发现行管没有击
[传感技术]看NASA“毅力号”如何避免碰撞和激光击穿情况的发生
为了避免这种情况，“毅力号”使用其漫游者碰撞模型(Rover Collision Model)飞行软件来检查即将到来的移动和激光发射并在可能发生碰撞之前自主地停止任何活动。为了进行机械臂碰撞检查，“毅力号”将下一个机械臂的移动投射到未来并检查在该移动中的任何一点是否会跟漫游者身体发生碰撞。如果预测的移动没有意外的碰撞，那么它就会允许开始运动。但有时，机械臂确实需要非常接近硬件甚至接触到漫游者身体的其他部分，如在对接过程中交换钻头或缓存样本。漫游者知道什么时
[电容器]cbb电容容易击穿吗？
不同的电容器，稳定性是明显不同的，比如电解电容，它的稳定性就相当较差，特别容易损坏，而且寿命也不是特别长，而薄膜电容稳定性就好很多，cbb电容容易击穿吗？ CBB电容属于薄膜电容器的一种，比如科雅的CBB电容设计寿命一般都在10万小时左右，稳定性特别好，不太容易损坏，也相对较少出现被击穿的现象。 CBB电容被击穿的常见原因 1、质量太差导致的。 现在CBB电容市场价格还是很混乱的，比如在江浙一带，很多CBB电容的销售价格比生产厂家的成本还要低，这么低的价格怎么做到的？说白了就是无底线的偷工减料实现的，把成本压缩
[传感技术]我国激光诱导击穿光谱技术获得新突破
激光诱导击穿光谱是一种基于激光烧蚀方法的新型动态光谱测量技术，通过超短脉冲激光聚焦样品表面形成等离子体，进而对等离子体发射光谱进行分析以确定样品的物质成分及含量。因为超短脉冲激光聚焦后能量密度较高，可以将任何物态(固态、液态、气态)的样品激发形成等离子体，所以激光诱导击穿光谱几乎不受样品形式的限制，也不需要对样品进行切片、研磨等预处理。 但是样品表面的粗糙程度真的对激光诱导击穿光谱毫无影响吗？近日，中国科学院沈阳自动化研究所针对金属工件表面产生的“刮痕”在激光诱导击穿光谱分
[互连技术]陶瓷电容器的用途与电容器热击穿原因是什么？
大体上来讲，在直流电路中，电容器就相当于是断路的，隔直流显现的作用就是是阻止直流通过而让交流通过。陶瓷电容器的用途有哪几种？而陶瓷电容器有以下具体的几种用途一、旁路（去耦）这是为交流电路中某些并联的元件提供低阻抗的通路。在电子电路中，去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，电容器所处的位置不同，称呼就不一样。对于同一个电路来说，旁路（bypass）电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦（decoupling）电容也称退耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除对象。我们经常可以看到，
[互连技术]电容击穿是开路还是短路？电容击穿原因是什么？
品慧电子讯电容的电介质承受的电场强度是有一定限度的，当被束缚的电荷脱离了原子或分子的束缚而参与导电，就破坏了绝缘性能，这一现象称为电介质的击穿。电容击穿的概念电容的电介质承受的电场强度是有一定限度的，当被束缚的电荷脱离了原子或分子的束缚而参与导电，就破坏了绝缘性能，这一现象称为电介质的击穿。电容器被击穿的条件电容器被击穿的条件：达到击穿电压击穿电压是电容器所能承受的极限电压，如果电压超过这个值，电
[EMI/EMC]钽电容的三大罪状！如何在实际中慎重使用钽电容
看到tengjingshu的电容爆炸了，我也想就一些问题给予一些补充，因为这玩意是很危险的，先上图一张。这是在网上收集到的恐怖的一幕，钽电容爆炸了，它会发明火，所以很多厂家都不用了。钽电容的三大罪状：1.固钽因“不断击穿”又“不断自愈”问题产生失效。在正常使用一段时间后常发生固钽密封口的焊锡融化，或见到炸开，焊锡乱飞到线路板上。分析原因是其工作时“击穿”又“自愈”，在反复进行，导致漏电流增加。这种短时间(ns～ms)的局部短路，又通过“自愈”后恢复工作。关于“自愈”。理想的Ta2O5介质氧化膜是连续性的和一致性的。加上
[电容器]电容击穿是开路还是短路_电容击穿原因是什么
电容击穿的概念电容的电介质承受的电场强度是有一定限度的，当被束缚的电荷脱离了原子或分子的束缚而参加导电，就破坏了绝缘性能，这一现象称为电介质的击穿。电容器被击穿的条件电容器被击穿的条件达到击穿电压。击穿电压是电容器的极限电压，超过这个电压，电容器内的介质将被击穿．额定电压是电容器长期工作时所能承受的电压，它比击穿电压要低．电容器在不高于击穿电压下工作都是安全可靠的，不要误认为电容器只有在额定电压下工作才是正常的。定义PN结发生临界击穿对应的电压为PN结的击穿电压BV，BV是衡量PN结可靠性与使用范围的一个
[场效应管]如何防止绝缘栅型场效应管击穿
绝缘栅场效应管的种类较多，有PMOS、NMOS和VMOS功率管等，但目前应用最多的是MOS管。MOS绝缘栅场效应管也即金属一氧化物一半导体场效应管，通常用MOS表示，简称作MOS管。它具有比结型场效应管更高的输入阻抗（可达1012Ω以上），并且制造工艺比较简单，使用灵活方便，非常有利于高度集成化。 绝缘栅型场效应管工作原理绝缘栅场效应管的导电机理是，利用UGS 控制“感应电荷”的多少来改变导电沟道的宽窄，从而控制漏极电流ID。若UGS=0时，源、漏之间不存在导电沟道的为增强型MOS管，UGS=0 时，漏、源之间存在导电沟
[场效应管]MOS管被击穿的解决方案
mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。 mos管定义双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化
[场效应管]这几种MOS管“击穿”，你了解几种？
MOSFET的击穿有哪几种？Source、Drain、Gate场效应管的三极：源级S 漏级D 栅级G（这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿）先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫描漏极电压，直至Drain端电流达到1uA。所以从器件结构上看，它的漏电通道有三条：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。1） Drain-》Source穿通击穿：这个主要是Drain加反偏电压后，使得Drain/Bulk的PN结耗尽区延展，当耗尽区碰到Source的时候，那源漏之间就不需要开启就形成了 通路，所以叫做穿通（punch through）。那如何防止穿通呢？这就要
[二极管]齐纳二极管原理和齐纳击穿_齐纳二极管和齐纳击穿有什么区别
齐纳二极管稳压二极管，英文名称Zener diode，又叫齐纳二极管。利用pn结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更高的稳定电压。 原理稳压
