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[传感技术]霍尼韦尔推出新型纳安级超低功耗磁阻传感器集成电路
品慧电子讯霍尼韦尔日前宣布，在业内率先发布超低功耗磁阻传感器集成电路。这些传感器能耗极低，仅为360 nA，却能提供最高等级的磁灵敏度（典型应用低至7 高斯），相较于其他广泛应用的磁技术，新引入的传感器能为设计工程师带来许多优势。新型纳安系列磁阻传感器集成电路的灵敏度及成本与磁簧开关相同，但外形更小巧、运行更持久、性能更可靠，十分适合蓄电池驱动装置。在此之前，因为低能耗要求及高气隙需求，人们只能选择磁簧开关。相较于霍尔效应传感器，新型纳安系列磁阻传感器集成电路具有更高的灵敏度，其探测气隙距离的能力是霍尔
[电路保护]霍尼韦尔电子材料荣获三星奥斯汀半导体持续进步奖
品慧电子讯霍尼韦尔电子材料于今天宣布获得三星奥斯汀半导体（SAS）颁发的三星持续进步奖（SCIA），肯定了霍尼韦尔在产品质量、材料技术以及采购流程上的优质服务。霍尼韦尔电子材料是三星奥斯汀半导体的靶材供应商，凭借出色的产品和服务获此殊荣。同时作为全球领先的溅镀靶材供应商，霍尼韦尔也向包括三星在内的众多半导体厂商提供相关产品和服务，例如制造芯片内部连接线的金属溅镀材料等。“三星是公认的行业领导厂商，对品质和持续进步有着很高的标准，能够从其手中接过这一奖项，我们倍感荣幸。” 霍尼韦尔副总裁兼电子材料部总经理
