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[电路保护]耗尽型功率MOSFET:被忽略的MOS产品

【导读】功率MOSFET最常用于开关型应用中,发挥着开关的作用。然而,在诸如SMPS的启动电路、浪涌和高压保护、防反接保护或固态继电器等应用中,当栅极到源极的电压VGS为零时,功率MOSFET需要作为常“开”开关运行。在VGS=0V时作为常 "开 "开关的功率MOSFET,称为耗尽型(depletion-mode ) MOSFET。功率MOSFET最常用于开关型应用中,发挥着开关的作用。然而,在诸如SMPS的启动电路、浪涌和高压保护、防反接保护或固态继电器等应用中,当栅极到源极的电压VGS为零时,功率MOSFET需要作为常“开”开关运行。在VGS=0V时作为常 "开

[电源管理]东芝推出150V N沟道功率MOSFET,有助于提高电源效率

【导读】中国上海,2023年3月30日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”,其采用最新一代[1]U-MOSX-H工艺,可用于工业设备开关电源,涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。 TPH9R00CQ5具有行业领先的[2]9.0mΩ(最大值)的低漏源导通电阻,与东芝现有产品“TPH1500CNH1[3]”相比降低了约42%。与此同时,与东芝现有产品“TPH9R00CQH4[4]”相比,反向恢复电荷减少约74%,反向恢复[5]时间缩短约44%,上述指标是体

[传感技术]英飞凌推出PQFN封装、双面散热、25-150V OptiMOS?源极底置功率MOSFET

未来电力电子系统的设计将持续推进,以实现最高水平的性能和功率密度。为顺应这一发展趋势,英飞凌科技有限公司近日推出了全新的3.3 x 3.3 mm2?PQFN 封装的源极底置功率MOSFET,电压范围涵盖25-150 V,并且有底部散热(BSC)和双面散热(DSC)两种不同的结构。该新产品系列在半导体器件级层面做出了重要的性能改进,为DC-DC功率转换提供了极具吸引力的解决方案,同时也为服务器、通信、OR-ing、电池保护、电动工具以及充电器应用的系统创新开辟了新的可能性。本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202301/442

[传感技术]英飞凌推出PQFN 封装、双面散热、25-150V OptiMOS?源极底置功率MOSFET

【2023年01月13日,德国慕尼黑讯】未来电力电子系统的设计将持续推进,以实现最高水平的性能和功率密度。为顺应这一发展趋势,英飞凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm2?PQFN 封装的源极底置功率MOSFET,电压范围涵盖25-150 V,并且有底部散热(BSC)和双面散热(DSC)两种不同的结构。该新产品系列在半导体器件级层面做出了重要的性能改进,为DC-DC功率转换提供了极具吸引力的解决方案,同时也为服务器、通信、OR-ing、电池保护、电动工具以及充电器应用的系统

[传感技术]东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET,支持车载设备对更大电流的需求

东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET,支持车载设备对更大电流的需求 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布推出采用新型L-TOGL(大型晶体管轮廓鸥翼式引脚)封装的车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。这两款MOSFET具有高额定漏极电流和低导通电阻。产品于今日开始出货。? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 近年来,随着社会对电动汽车需求的增长,产业对能满足车载设备更大功耗的元器

[传感技术]东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET,支持车载设备对更大电流的需求

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布推出采用新型L-TOGL?(大型晶体管轮廓鸥翼式引脚)封装的车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。这两款MOSFET具有高额定漏极电流和低导通电阻。产品于今日开始出货。本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202302/443002.htm近年来,随着社会对电动汽车需求的增长,产业对能满足车载设备更大功耗的元器件的需求也在增加。这两款新品采用了东芝的新型L-TOGL?封装,支持大电流、低导通电阻和高散热。上述产品未采用内部接线柱[1]结构,

[传感技术]东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET,支持车载设备对更大电流的需求

?东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,推出采用新型L-TOGLTM(大型晶体管轮廓鸥翼式引脚)封装的车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。这两款MOSFET具有高额定漏极电流和低导通电阻。产品于今日开始出货。???近年来,随着社会对电动汽车需求的增长,产业对能满足车载设备更大功耗的元器件的需求也在增加。这两款新品采用了东芝的新型L-TOGLTM封装,支持大电流、低导通电阻和高散热。上述产品未采用内部接线柱[1]结构,通过引入一个铜夹片将源极连接件和外部引脚一

[传感技术]东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET,支持车载设备对更大电流的需求

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布推出采用新型L-TOGL?(大型晶体管轮廓鸥翼式引脚)封装的车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。这两款MOSFET具有高额定漏极电流和低导通电阻。产品于今日开始出货。???近年来,随着社会对电动汽车需求的增长,产业对能满足车载设备更大功耗的元器件的需求也在增加。这两款新品采用了东芝的新型L-TOGL?封装,支持大电流、低导通电阻和高散热。上述产品未采用内部接线柱[1]结构,通过引入一个铜

[传感技术]东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET,可大幅提高电源效率

中国上海,2022年3月31日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工艺,适用于工业设备开关电源,其中包括数据中心电源和通信基站电源。该产品于今日开始支持批量出货。与使用当前一代“U-MOSⅧ-H”工艺的150V产品TPH1500CNH相比,TPH9R00CQH的漏源导通电阻下降约42%。对新型MOSFET的结构优化促进实现源漏导通电阻和两项电荷特性[2]之间的平衡[3],从而实现了优异的低损耗特性。此外,开关操作时漏极

[传感技术]英飞凌推出采用PQFN 2x2封装的OptiMOSTM 5 25V和30V功率MOSFET,树立技术新标准

英飞凌科技股份公司近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2封装的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列,旨在为分立功率MOSFET技术树立全新的行业标准。这些新器件采用薄晶圆技术和创新的封装,尺寸极小,却具有显著的性能优势。OptiMOS 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列已针对服务器、通讯、便携式充电器和无线充电等SMPS应用中的同步整流进行了优化。这些功率MOSFET还可在无人机中,应用于小型无刷电机的ESC(电子速度控制)模块。众所周知,无人机通常需要尺寸小、重量轻的元器件。本文引用地址:http://www.eepw.co

[场效应管]碳化硅功率MOSFET B1M080120HC降低电机驱动功率损耗

据评估,世界上超过一半的电能消耗用于各种电动机。因此,降低电动机的功率损耗并提高电力转换的效率显得尤为重要。 电动机驱动电路一般原理图 本文推荐基本半导体的一款碳化硅功率MOSFET B1M080120HC,该器件具有延迟极短、超高耐压、低导通阻抗、小封装等优势,可以和WOLFSPEED的C2M0080120D、罗姆的SCT2080KE、英飞凌的IMW120R090M1H、ST的SCT30N120、安森美的NTHL080N120SC1型号实现pin to pin替换,为电动机驱动提供解决方案,具有巨大的市场前景。 具体应用优势如下: 1、在电气特性方面,B1M080120HC可承受的最高电压

[互连技术]功率MOSFET零电压软开关ZVS的基础认识

高频高效是开关电源及电力电子系统发展的趋势,高频工作导致功率元件开关损耗增加,因此要使用软开关技术,保证在高频工作状态下,减小功率元件开关损耗,提高系统效率。功率MOSFET开关损耗有2个产生因素:1)开关过程中,穿越线性区(放大区)时,电流和电压产生交叠,形成开关损耗。其中,米勒电容导致的米勒平台时间,在开关损耗中占主导作用。图1 功率MOSFET开通过程2)功率MOSFET输出电容COSS储存能量在开通过程中放电,产生开关损耗,高压应用中,这部分损耗在开关损耗中占主导作用。功率MOSFET零电压开关ZVS是其最常用的软开关方式

[电源管理]英飞凌推出PQFN封装的源极底置功率MOSFET

品慧电子讯未来电力电子系统的设计将持续推进,以实现最高水平的性能和功率密度。为顺应这一发展趋势,英飞凌科技有限公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封装的源极底置功率MOSFET,电压范围涵盖25-150 V,并且有底部散热(BSC)和双面散热(DSC)两种不同的结构。该新产品系列在半导体器件级层面做出了重要的性能改进,为DC-DC功率转换提供了极具吸引力的解决方案,同时也为服务器、通信、OR-ing、电池保护、电动工具以及充电器应用的系统创新开辟了新的可能性。

[电源管理]东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET

品慧电子讯中国上海——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布推出采用新型L-TOGL?(大型晶体管轮廓鸥翼式引脚)封装的车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。这两款MOSFET具有高额定漏极电流和低导通电阻。产品于今日开始出货。 近年来,随着社会对电动汽车需求的增长,产业对能满足车载设备更大功耗的元器件的需求也在增加。这两款新品采用了东芝的新型L-TOGL?封装,支持大电流、低导通电阻和高散热。上述产品未采用内部接线柱[1]结构,通过引入一个铜夹片将源极连接件

[互连技术]简述功率MOSFET电流额定值和热设计

品慧电子讯电气设备(如断路器,电机或变压器)的电流额定值,是指在某个电流下,器件本身达到的温度可能损害器件可靠性和功能时的电流值。制造商虽然知道器件材料的温度限值,但是他并不知道使用器件时的环境温度。因此,他只能假设环境温度。 1、什么是电流额定值?电气设备(如断路器,电机或变压器)的电流额定值,是指在某个电流下,器件本身达到的温度可能损害器件可靠性和功能时的电流值。制造商虽然知道器件材料的温度限值,但是他并不知道使用器件时的环境温度。因此,他只能假设环境温度。这就带来了两种后果:? 每个电流额定值

[电源管理]如何避免功率MOSFET发生寄生导通?

品慧电子讯该文描述了引起功率MOSFET发生寄生导通的机制,并进一步指出为了避免寄生导通,在选取MOSFET时应遵循什么准则。 功率MOSFET的寄生导通 实际上,功率MOSFET发生寄生导通(不希望发生的事件)的机率比我们的预计更高,造成的损失也更大。寄生导通通常会损坏MOSFET,且之后很难查出故障的根源。寄生导通机制取决于漏源和栅源电压间的电容分压比例 。 图1是一个基本的半桥配置,该半桥是H桥或三相桥的一部分。如果半桥上管的MOSFET导通了,为了避免直通和因过流而可能出现的MOSFET故障,必须关断半桥下管的一个MOSFET。 图1 MOSFET

[电源管理]可将门级驱动电路和6个功率MOSFET合二为一的解决方案

品慧电子讯传统的电机驱动解决方案是门级驱动芯片+功率 MOSFET 的架构。对于三相无刷直流电机来说,需要6个外置的 MOSFET 组成三个桥臂来分别驱动每相绕组。在当前电子产品模块越来越小的发展趋势下,这种解决方案有个主要缺点:电路板尺寸偏大。 如果能在寸土寸金的电路板上去掉6个大块头的功率MOSFET,这种优势带来的前景不言而喻。 高集成 MP6540 系列产品把门级驱动电路和6个功率 MOSFET 合二为一,完美解决了传统方案的这个缺点。 在小小的 5mm x 5mm QFN-26 的封装里集成6个50V耐压,5A输出电流的MOSFET和相应的驱动电路。 不仅如此

[互连技术]N沟道耗尽型功率MOSFET的电路应用

电源系统中的恒定电流源,固态继电器,电信开关和高压直流线路等应用需要N沟道耗尽型功率MOSFET,当栅极至源极电压为零时,该MOSFET用作常开的开关。本文将介绍IXYS最新的N沟道耗尽型功率MOSFET及其应用优势,以帮助设计人员在许多工业应用中选择这些器件。图1 N沟道耗尽型功率MOSFETN沟道耗尽型功率MOSFET的电路符号在图1中给出。端子标记为G(栅极),S(源极)和D(漏极)。IXYS耗尽型功率MOSFET具有称为垂直双扩散MOSFET或DMOSFET的结构,与市场上的其他耗尽型功率MOSFET(例如高VDSX,大电流和高正向偏置安全工作区(FBSOA))相比,