[传感技术]EPC推于市场上具有最低导通电阻的100 V耐辐射晶体管
? ? 宜普电源转换公司(EPC)扩展了其耐辐射氮化镓产品系列，新推的100 V器件用于要求严格的机载和其他高可靠性环境的电源转换解决方案，与目前市场上的任何100 V耐辐射晶体管相比，它具有最低的导通电阻。 ? ? EPC公司宣布推出100 V、3.9 mΩ、345 APulsed的耐辐射GaN FETEPC7018，尺寸为13.9 mm2，其总剂量等级大于1 Mrad，线性能量转移（LET）的单一事件效应（SEE）抗扰度为85 MeV/(mg/cm2)。与EPC7014、EPC7007和EPC7019耐辐射产品系列相同，都是采用芯片级封装。封装器件由
[电源管理]东芝推出具有更低导通电阻的小型化超薄封装共漏极MOSFET
【导读】中国上海，2023年5月18日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”，该器件可用于移动设备锂离子（Li-ion）电池组中的电池保护电路。该产品于今日开始支持批量出货。 锂离子电池组依靠高度稳定的保护电路来减少充放电时产生的热量，以提高安全性。这些电路必须具有低功耗和高密度封装的特性，同时要求MOSFET小巧纤薄，且具有更低的导通电阻。 SSM14N956L采用东芝专用的微加工工艺，已经发布的SSM10N954L也采
[电源管理]ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET，有助于提高应用设备工作效率
【导读】全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1产品（40V/60V/80V/100V/150V），这些产品非常适合驱动以24V、36V、48V级电源供电的应用，例如基站和服务器用的电源、工业和消费电子设备用的电机等。 新推出40V～150V耐压的共13款产品，非常适用于工业设备电源和各种电机驱动 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1产品（40V/60V/80V/100V/150V），这些产品非常适合驱动以
[传感技术]同时实现业界超快反向恢复时间和超低导通电阻的 600V耐压超级结 MOSFET “R60xxVNx系列” ～非常有助于降低工业设备和白色家电的功耗～
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）的600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS?”产品阵容中又新增了“R60xxVNx系列”的7款机型，新产品非常适用于电动汽车充电桩、服务器、基站等需要大功率的工业设备的电源电路、以及空调等因节能趋势而采用变频技术的白色家电的电机驱动。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202204/432890.htm近年来，随着全球电力消耗量的增加，如何有效利用电力已成为亟待解决的课题，在这种背景下，电动汽车充电桩、服务器和基站等工业设备以及空调等白色家电的效率不断提升，
[传感技术]同时实现业界超快反向恢复时间和超低导通电阻的600V耐压超级结 MOSFET “R60xxVNx系列”
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）的600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS?”产品阵容中又新增了“R60xxVNx系列”的7款机型，新产品非常适用于电动汽车充电桩、服务器、基站等需要大功率的工业设备的电源电路、以及空调等因节能趋势而采用变频技术的白色家电的电机驱动。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202204/432858.htm近年来，随着全球电力消耗量的增加，如何有效利用电力已成为亟待解决的课题，在这种背景下，电动汽车充电桩、服务器和基站等工业设备以及空调等白色家电的效率不断提升，
[传感技术]Vishay推出新款200V N沟道MOSFET的RDS(ON)导通电阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型 200V n 沟道 MOSFET---SiSS94DN，器件采用热增强型 3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S 封装，10 V 条件下典型导通电阻达到业内最低的 61 mΩ。同时，经过改进的导通电阻与栅极电荷乘积，即 MOSFET 开关应用重要优值系数（FOM）为 854 mΩ*nC。节省空间的 Vishay Siliconix SiSS94DN 专门用来提高功率密度，占位面积比采用 6mm x 5mm 封装相似导通电阻的器件减小 65 %。 日前发布的 TrenchFET? 第四代功率 MO
[传感技术]罗姆开发出业界先进的第4代低导通电阻SiC MOSFET
日前，全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出“1200V 第4代SiC MOSFET※1”，非常适用于包括主机逆变器在内的车载动力总成系统和工业设备的电源。对于功率半导体来说，当导通电阻降低时短路耐受时间※2就会缩短，两者之间存在着矛盾权衡关系，因此在降低SiC MOSFET的导通电阻时，如何兼顾短路耐受时间一直是一个挑战。此次开发的新产品，通过进一步改进ROHM独有的双沟槽结构※3，改善了二者之间的矛盾权衡关系，与以往产品相比，在不牺牲短路耐受时间的前提下成功地将单位面积的导通电阻降低了约40％。
[场效应管]什么是GAA FET（环绕栅极场效应晶体管）？
? 美国计划禁止用于Gate-all-around?GAA新技术制造芯片所必需的EDA软件出口到中国大陆，GAA（环绕栅极）是GAA FET，那么，什么是GAA FET（环绕栅极场效应晶体管）？ 数字芯片最基本单元是MOSFET，其工艺发展到7nm、3nm、2nm，这个半导体工艺尺寸是MOSFET栅极（沟槽）宽度。早期MOSFET使用平面结构，沟槽宽度越小，漏极到源极距离越小，载流子流动跨越沟道导通时间减小，工作频率越高；同时，沟道完全开通所加栅极电压越低，开关损耗越低；而且，沟道导通电阻降低，导通损耗也降低。 但是，工艺尺寸越低，短沟道效应越明显。短沟道
[贴片电容]【科普小贴士】MOSFET性能改进：RDS(ON)的决定因素
（1）MOSFET器件结构将根据要求的耐受电压来选择。确定导通电阻RDS(ON)的因素如图3-7和方程式3-（1）所示。根据器件的结构，决定导通电阻的因素比例将发生变化。（2）例如，许多中高压MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）结构，而小于200V的产品大多具有沟槽MOS（U-MOS）结构。因此，当耐受电压VDSS＝600V时，Rdrift成为主导因素，当耐受电压是30V时，因素Rch的比例较高。图3-7（a）D-MOS的导通电阻决定因素图3-7（b）沟槽MOS的导通电阻决定因素RDS(ON）＝Rsub＋Rdrift＋RJ-FET＋Rch＋RN＋RDS(ON)＝Rsub＋R
[电源管理]在正确的比较中了解SiC FET导通电阻随温度产生的变化
品慧电子讯比较SiC开关的数据资料并非易事。由于导通电阻的温度系数较低，SiC MOSFET似乎占据了优势，但是这一指标也代表着与UnitedSiC FET相比，它的潜在损耗较高，整体效率低。谚语说：“不怕低，只怕比”。这条谚语首次出现在1440年约翰·利德盖特的《马鹅羊之间的辩论》中。疲于比较的不仅仅是文章中的动物，现代功率转换器设计师们也不得不拼命从大量竞争性主张中尝试找出适合他们的应用的功率开关，并进行比较，以获得“最佳性能”。如果继续以农牧业来比喻，这个问题就像是将一个苹果与一堆苹果相比
[场效应管]Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻
宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 11 月29 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET可提高便携式计算和工业控制设备中的电源效率，是-4.5V和-2.5V栅极驱动下具有业内最低导通电阻的-12V和-20V器件，占位面积为3.0mm x 1.9mm x 3.3mm。 Si5411EDU、Si5415AEDU和SiSS23DN适用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、工业传感器和POL模块
[场效应管]Vishay推出应用在便携电子中的最低导通电阻的新款MOSFET
宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 4 月29 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用超小尺寸、热增强PowerPAK® SC-70封装的新款-30V、12V VGS P沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA453EDJ。该器件是2mm x 2mm占位面积的-30V器件，在-4.5V和-2.5V栅极驱动下具有业内最低的导通电阻，在便携电子产品里能够节省空间，并提高能源效率。 今天发布的Vishay Siliconix这款-30V VDS器件具有抵御过压尖峰所需的余量，其12V VGS使器件在-3.7V和-2.5V下具有更低的导通电阻，可用于超便携、电
[Vishay威世]Vishay新款二极管MOSFET具低反向恢复电荷与导通电阻
2015 年 5 月22 日，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布3款新600V EF系列快恢复二极管N沟道高压MOSFET，分别是SiHx21N60EF、SiHx47N60EF以及SiHx70N60EF。这三款器件具备低反向恢复电荷和导通电阻，可提高在工业、电信、计算和可再生能源应用中的可靠性，同时能节省能耗。今天推出的这些600V快恢复二极管MOSFET采用第二代超级结技术制造，充实了Vishay现有的标准E系列器件，使公司有更多的器件可用于类似移相全桥和LLC半桥的零电压开关(ZVA)/软开关拓扑。在这些应用里，SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF具有反向恢复电荷(Qrr)比
[电路保护]Fairchild 推出提供最低导通电阻和多种可选封装的SuperFET II MOSFET系列
半导体行业的先驱者Fairchild推出 800V SuperFET® II MOSFET 系列。全新的 SuperFET MOSET 系列将最低的导通电阻 (Rdson)、最低的输出电容 (Coss) 和广泛的可选封装相结合，为设计师提高了灵活性，为制造商提高了产品的效率和可靠性。美国加州圣何塞 – 2015 年 3 月 10 日— 全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild (NASDAQ: FCS)今日推出 800V SuperFET® II MOSFET 系列，该系列提供广泛的可选封装并拥有业内最低的导通电阻 (Rdson) 和输出电容 (Coss)。新系列帮助设计师提高高性能解决方案（需要 600V/650V 以上的
[电路保护]从实际出发，介绍电容降压元件如何选择
品慧电子讯为了迎合电子产品的小体积、低成本的需求，往往采用电容降压的方法代替笨重的电源变压器。但是如果采用电容降压方法如元器件选择不当，不但达不到降压要求，还有可能造成电路损坏。本文从实际应用角度，介绍电容降压元器件应如何进行正确选择。最简单的电容降压直流供电电路及其等效电路如图1，C1为降压电容，一般为0.33~3.3uF。假设C1=2uF，其容抗XCL=1/(2PI*fC1)=1592。由于整流管的导通电阻只有几欧姆，稳压管VS的动态电阻为10欧姆左右，限流电阻R1及负载电阻RL一般为100~200，而滤波电容一般为100uF~1000uF，其容抗非常小，
[Vishay威世]Vishay新款功率MOSFET导通电阻比前一代器件低45%
品慧电子讯Vishay Siliconix 新型N沟道TrenchFET功率MOSFET——SiR872ADP，电压扩大至150V，所提供的导通电阻较上一代降低45%，适用于DC/DC转换器、DC/AC逆变器，以及通信砖式电源、太阳能微逆变器和无刷直流电机的升压转换器中的初级侧和次级侧的同步整流。日前，Vishay宣布，发布新款采用热增强型PowerPAK SO-8封装的新款N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiR872ADP，将该公司的ThunderFET技术的电压扩展至150V。Vishay Siliconix SiR872ADP在10V和7.5V下的导通电阻低至18mΩ和23mΩ，同时保持低栅极电荷，在10V和7.5V下
[电源管理]利用先进的电荷平衡技术，导通电阻极低的MOSFET
品慧电子讯新型MOSFET输出电容具有较低的存储电能(Eoss)，可提高轻负载条件下的效率，另外所提供的体二极管稳定性一流，可提高谐振转换器中系统的可靠性。服务器、电信、计算等高端的AC-DC开关模式电源(SMPS)应用以及工业电源应用需要较高的功率密度，因此要获得成功，设计人员需要采用占据更小电路板空间并能提高稳定性的高性价比解决方案。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出600V N沟道SuperFET II MOSFET系列产品，帮助设计人员解决这些挑战。图题：600V N沟道SuperFET II MOSFETSuperFET II和SuperFET II Easy Drive以两种产
[整流滤波]精确测量功率MOSFET的导通电阻
中心议题：讨论精确测量功率MOSFET的导通电阻解决方案： 采用相邻晶粒方法 FEA辅助确定RDS(on)测量值电阻值的测量通常比较简单。但是，对于非常小阻值的测量，我们必须谨慎对待我们所做的假定。对于特定的几何形状，如电线，Kelvin方法是非常精确的。可以使用类似的方法来测量均匀样本的体电阻率和面电阻率，但是所使用的公式不同。在这些情况下，必须考虑探针间距和样本厚度。仅仅运用Kelvin法本身无法保证精度。如果布局和连接数发生变化，就很难精确地预测非均匀几何形状的电阻。MOSFET最重要的特性之一就是漏极到源极的导通电阻
[Vishay威世]Vishay Siliconix推出新款N沟道功率MOSFET用于开放式电源
MOSFET的产品特性： 低至0.38 Ω的导通电阻和68nC的栅极电荷 具有更快的开关速度，并减小了开关损耗 符合RoHS指令2002/95/ECMOSFET的应用范围： 笔记本电脑的交流适配器 PC机电源、LCD TV和开放式电源日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新型500V、16A的N沟道功率MOSFET --- SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V栅极驱动下具有0.38Ω的超低最大导通电阻，栅极电荷降至68nC，采用TO-220AB、TO-220 FULLPAK、D2PAK和TO-247AC封装。 SiHP16N50C (TO-220AB)、SiHF16N50C (TO-220 FUL
[通用技术]IR上市导通电阻仅0.95mΩ的25V耐压功率MOSFET
产品特性： 导通电阻为标准0.95mΩ “业界最高”FOM 栅极电荷量为标准50nC 最大漏电流为37A应用范围： 采用同步整流方式的降压型DC-DC转换器电路的同步整流端开关美国国际整流器公司（International Rectifier，IR）上市了导通电阻仅为标准0.95mΩ（栅源间电压为＋10V时）的25V耐压n通道功率MOSFET“IRF6798MPBF”。这是一款采用该公司自主开发的封装技术“Direct FET”的功率MOSFET。外形尺寸为6.35mm×5.05mm×0.676mm。适用于采用同步整流方式的降压型DC-DC转换器电
