[二极管]esd保护二极管原理
不知道大家对ESD知识了解有多少？小编整理的ESD概要如下：ESD放电二级管是一种过压、防静电保护元件，是为高速数据传输应用的I/O端口保护设计的器件。ESD保护器件是用来避免电子设备中的敏感电路受到ESD（静电放电）的影响。ESD是本世纪中期以来形成的以研究静电的产生与衰减、静电放电模型、静电放电效应如电流热（火花）效应（如静电引起的着火与爆炸）和电磁效应（如电磁干扰）等的学科。近年来随着科学技术的飞速发展、微电子技术的广泛应用及电磁环境越来越复杂，对静电放电的电磁场效应如电磁干扰（EMI）及电磁兼容性（EMC）问
[EMI/EMC]大多数IoT设备最初的EMI测试都失败了
品慧电子讯使用了预先认证过的射频模块，自己的物联网设备就一定能通过EMI和RF一致性测试？最近据一家中国测试公司透露，他们测试过的产品中90%都没有通过第一次测试。不要因为你在设计无线连接时使用了预先认证过的射频模块，就想当然的觉得自己的物联网设备就一定能通过EMI和RF一致性测试。根据IEEE规定，一个物联网设备的基本定义可归纳为任何被分配了IP地址、并且能够通过网络传送数据的物体。因此物联网设备可以是任何东西。事实上，物联网设备范围非常广泛，从低成本的消费类小物件（比如具有蓝牙功能的5美元钥匙寻找器），到用于
[电源管理]ADM3066E支持完全热插拔，可实现无毛刺的PLC模块插入
品慧电子讯通常采用RS-485接口的工业自动化可编程逻辑控制器(PLC)通信端口可能因为模块热插入PLC机架而遭受静电放电(ESD)冲击和通信错误。这些危险条件可能会妨害数据通信，或是对RS-485接口造成永久性损伤。简介通常采用RS-485接口的工业自动化可编程逻辑控制器(PLC)通信端口可能因为模块热插入PLC机架而遭受静电放电(ESD)冲击和通信错误。这些危险条件可能会妨害数据通信，或是对RS-485接口造成永久性损伤。RS-485规定为多点标准，意味着可在同一总线上最多连接32个收发器，并且其中的任一收发器均可将信号驱动到RS-485总线上。部
[电源管理]开创性的5 kV ESD MEMS开关技术
品慧电子讯解决大问题需要开创性的技术。机电继电器早在电报问世之初就已存在，但没有其他替代的开关技术可满足所有市场需求——特别是对于测试和测量、通信、防务、医疗保健和消费类市场中智能性和互联性更强的应用需求。作为不断增长的市场需求的一个例子，测试和测量终端用户要求多标准测试解决方案的尺寸尽可能最小，在0 Hz/dc至数百GHz的频率范围内需要实现最高并行测试。机电继电器的带宽窄、动作寿命有限、通道数有限以及封装尺寸较大，因此对系统设计人员的限制日益增大。微机电系统 (MEMS) 开关具有创新性，可以替代
[发光二极管]ESD保护元件优化高亮LED使用
随着亮度和能效的提升，延长使用寿命已为促进基于高亮度发光二极体(HB LED)的固态照明设计快速发展的关键之一。然而，并非所有HB LED在这些方面皆旗鼓相当，制造商应用静电放电(ESD)保护的方式可能是影响HB LED现场使用寿命的关键因素。本文中将探讨ESD保护的重要性，阐释HB LED模组制造商藉着最先进保护技术来确保其设计将使用寿命和品质潜能提升至最优。 演进曲线外潜藏威胁讯号绿光和蓝光LED的商业化，再结合近年来实现的每个元件平均光输出稳步快速的提升，为固态照明开启大量新的应用市场。HB LED的价格和性能已超越海兹
[集成电路]由ESD引起的单片机Reset
由ESD引起的单片机Reset 第一个例子是这样的，在打静电的时候测试EMC的性能（国内一般不这么BT的要做合成实验），出现了两个问题，第一个是单片机Reset了，第二个是某个频率段发射限值超标。经过调查发现了原因是一个输出IC，由于是功率地，因此静电电容并没有直接打在地平面上，而是通过一根很长的PCB连线连接至地，因此阻抗比较高，这就变成了一跟天线，并且耦合至单片机，导致了单片机的Reset.静电电容布线有三个原则，第一是必须给每个接插件引脚配上静电电容，第二是尽可能使得电容靠近接插件的引脚，第二个是尽可能使电容靠近地平
[二极管]Infineon推出静电防护二极管,保护高速USB 3.0连接减少静电损耗
Infineon推出全新静电防护二极管，保护高速USB 3.0连接埠免于静电放电的破坏现今，只要透过可携式储存媒体，任何人都可随身携带属于自己的媒体库，不管是自己喜爱的乐团所发行的最新专辑，或是去年夏天度假时拍摄的照片，甚至是 HD 高画质电影，都可以立即在一般终端设备如电视及笔记型电脑上播放。影像与声音的品质越高，在装置之间的资料传输量也会越大，同时也需要更快速的接口。通用序列埠 ( USB) 可随插即用，使用上简易方便，在可携式储存领域扮演重要的角色。USB 3.0 支援 5 Gb/s 传输速率，约为第二代接口的十倍，耗电量则仅约三
[二极管]Littelfuse宣布其瞬态抑制二极管阵列系列将ESD保护与共模EMI滤波相结合
中国，北京，2014年8月26日讯 - Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业，日前宣布推出了SP5001、SP5002和SP5003系列瞬态抑制二极管阵列（SPA®二极管）。 这些高度集成的共模滤波器（CMF）可为使用高速差分串行接口的系统同时提供静电放电（ESD）保护和共模滤波功能。 它们可以保护和过滤两个（SP5001和SP5003）或者三个（SP5002）差分线对。 上述产品采用符合RoHS规范的TDFN封装和紧凑型设计，与离散型解决方案相比可显著节约成本和空间。 这些符合AEC-Q101标准的器件非常适用于消费电子产品，如智能手机和平板电脑，也可在
[二极管]Littelfuse瞬态抑制二极管阵列产品系列新增两个系列以增强ESD和雷击保护
中国，北京，2015年9月24日讯 - Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业，日前宣布推出SP4044和SP4045两个系列的瞬态抑制二极管阵列（SPA®二极管），旨在保护敏感的电子设备免遭破坏性静电放电 （ESD）以及雷击导致的浪涌现象的破坏。 低电容二极管另增了一个齐纳二极管，以保护每个输入/输出引脚不受ESD和高浪涌现象的危害。 这类强大设备可提供堪比基准的浪涌保护/电容比；安全吸收高达24A雷击感应浪涌电流，同时每个I /O对地连接仅为1.5pF。 这有助于确保将信号损失降至最低。 该阵列还可处理至少±30kV ESD，因而电子
[二极管]Vishay推出超小尺寸的双向对称单线ESD保护二极管
宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 8 月15 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布用于便携式电子产品的采用超小尺寸CLP0603封装的新款双向对称（BiSy）单线ESD保护二极管---VBUS05A1-SD0。它的尺寸只有0.6mm x 0.3mm，高度为0.27mm，并具有低电容和低泄漏电流，可保护高速数据线免受瞬态电压信号的破坏。 VBUS05A1-SD0使用业内最小的0603（公制单位）芯片级封装，比1006（公制单位）尺寸的封装节省3倍的电路板空间。由于其短引线和小封装尺寸，二极管的线路电感非常低，从而能够在最小
[二极管]Vishay推可抵御200W高浪涌的新款SMD ESD保护二极管
宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 11 月26 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用低外形SMF封装的新系列表面贴装ESD保护二极管---SMFxxA系列器件。该系列器件可用于便携式电子产品，在10/1000μs条件下可承受200W的高浪涌。 今天发布的Vishay Semiconductors器件具有1mm的低外形、“Low-Noise”技术和非常快的响应时间，非常适合在便携式电脑、笔记本电脑、平板电脑、外置硬盘驱动器等空间受限的电子产品中对线路进行瞬态电压保护。SMFxxA系列包括32款器件，工作电
[二极管]Vishay新款双向单路ESD保护二极管可有效保护汽车数据总线的安全
宾夕法尼亚、MALVERN — 2016 年 1 月6 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两颗新的采用小尺寸SOD-323封装的双向单路ESD保护二极管VLIN1626-02G和VLIN2626-02G。Vishay Semiconductors 的两款器件的尺寸为1.95mm x 1.5mm，高度只有0.95mm，具有低电容和低漏电流，可保护汽车数据总线免受瞬变电压信号的影响。对于LIN总线应用，今天发布的二极管为一条数据线提供了符合IEC 61000-4-2的±30kV（空气和接触放电）的瞬变保护。两颗器件通过了AEC-Q101认证，典型负载电容为15.5pF，
[二极管]Vishay新款ESD保护二极管可为汽车应用节省大量空间
宾夕法尼亚、MALVERN — 2015 年 7 月21 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布采用小尺寸SOT-323封装的新双向对称（BiSy）ESD保护二极管VLIN26A1-03G和VCAN26A2-03G。Vishay Semiconductors单路VLIN26A1-03G和双路VCAN26A2-03G尺寸只有2.3mm x 2.1mm，高度为0.95mm，具有低电容和低泄漏电流，可保护汽车的数据线路免受瞬态电压信号的影响。 针对LIN总线应用，VLIN26A1-03G能够为一条数据线路提供符合IEC 61000-4-2要求的±30kV（空气和接触放电）瞬态保护，VCAN26A2-03G
[二极管]Vishay 推出新款超薄BiSy单路ESD保护二极管，工作电压低至3.3V
宾夕法尼亚、MALVERN — 2016 年 2 月16 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布两颗新的双向对称（BiSy）单路ESD保护二极管---VBUS03B1-SD0和VCUT03E1-SD0。这两款二极管的工作电压范围低至3.3V，具有超低的电容和漏电流，可保护高速数据线路和天线免收瞬变电压信号的影响。其封装采用了超小尺寸CLP0603硅封装，面积只有0.6mm x 0.3mm，且厚度仅为0.27mm，可用于便携式电子产品。今天发布的两颗器件的工作电压范围为3.3V，VBUS03B1-SD0典型负载电容低至0.29pF，VCUT03E1-SD0的负载电容
[电容器]ESD电容问题
ESD电容问题 如果汽车电子模块有不用的引脚，那么我们如何去处理呢？我们在处理时，可以考虑直接连接到地平面上去。（参考福特公司的处理方案ELCOMP17）（Modules that have spare pins (never used in any version using the same PCB); these pins shall be tied to the module ground plane.）如果有射频接受模块的话，这些引脚的接地可能会造成射频接受性能的降低，这时候就不能使用接地的方式了，必须使用ESD的电容和放电电阻来消除静电的影响了。还有一种例外也是很常见的，如果这些不用的引脚附近有电源或者HSD输出的时候，我们就
[电源管理]什么是ESD及ESD保护电路的设计
静电放电(ESD， electrostatic discharge )是在电子装配中电路板与元件损害的一个熟悉而低估的根源。它影响每一个制造商，无任其大小。虽然许多人认为他们是在ESD安全的环境中生产产品，但事实上，ESD有关的损害继续给世界的电子制造工业带来每年数十亿美元的代价。ESD究竟是什么？静电放电(ESD)定义为，给或者从原先已经有静电(固定的)的电荷(电子不足或过剩)放电(电子流)。电荷在两种条件下是稳定的：当它“陷入”导电性的但是电气绝缘的物体上，如，有塑料柄的金属的螺丝起子。当它居留在绝缘表面(如塑料)，不能在上面流动时。可是，如
[EMI/EMC]EMC整改分析：散热结构引起的ESD问题
某产品采用金属外壳，对其进行ESD测试时，发现一螺钉位置对ESD及其敏感，对螺钉进行接触放电4kV，就会发现该产品中的某一PCB出现复位现象。经过观察分析，靠近敏感螺钉位置有一芯片，芯片上有约2.5cm高的散热器，该散热器并没有采取任何接地措施。在测试中，将散热器临时去掉后，该落螺钉位置的抗静电干扰能力达到了±6kV。【现象描述】某产品采用金属外壳，对其进行ESD测试时，发现一螺钉位置对ESD及其敏感，对螺钉进行接触放电4kV，就会发现该产品中的某一PCB出现复位现象。经过观察分析，靠近敏感螺钉位置有一芯片，芯片上有约2.5cm高的
[EMI/EMC]细谈去耦合对电磁兼容的影响
在考虑配电网(PDN)阻抗与同时开关噪声(SSN)和电磁兼容性(EMC)的关系时，了解去耦合的影响至关重要。如果一个PCB的功率完整性或去耦合特性较差，例如高PDN阻抗， 就会产生SSN和EMC问题。本文将通过实际案例，来证实PCB的PDN阻抗、SSN和EMC之间的关系。分析和结果测试的原型为下面两个版本：一个由晶体振荡器提供外部50MHz参考的FPGA；三个主要接口：350MHz时钟速率的DDR2 SDRAM、150MHz的ADC数据总线和100MHz 的以太网。所有这些元器件都由1.8V降压转换器供电。通过表1中列出的测试案例，可以了解去耦合(包括PCB叠层和电容器)对SSN和EMC的影
[EMI/EMC]驱动单元设计中出现了电磁兼容问题怎么办？
电磁干扰一般通过空间辐射和通过导线传导，在工程领域一直是人们要解决的难题和研究热点。驱动单元作为大功率模块，其中的放大电路、开关电路和逆变电路等主电路可能对电磁环境存在干扰，所以在驱动单元设计中就必须完善解决电磁兼容问题。电磁兼容基本原理电磁兼容性指电器及电子设备在共同的电磁环境中能执行各自功能的共存状态，均能正常工作互不干扰，达到兼容状态。电磁干扰可以通过时域和频域进行表示，大部分干扰信号都是时变的，为讨论和分析方便，都采用频域分析方法为宜。典型的信号表示方式有正弦、非正弦、周期性、非周期性和
[EMI/EMC]如何采用电流传感器IC实现共模场干扰最小化？
Allegro MicroSystems电流传感器IC可以分为三大类：需要外部磁芯的传感器、具有封装内置磁芯的传感器，以及具有集成载流环（但无磁芯）的传感器。最后一类就是具有共模场抑制(CMR)功能的传感器。本文将探讨CMR的机制，并重点介绍如何充分利用此机制来优化电路板设计和布局。背景在使用集成载流环的IC中，载流环可以产生IC能测量的磁场。该磁场通过霍尔效应转换成电压。此霍尔电压正比于电流大小和方向。图1是特定电流传感器IC引线框产生磁场的示例。在该图中，箭头指示通过引线框的电流，彩色图表示100A直流电通过传感器时产生的磁场。为了
