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高速电路电源完整性解决方案


品慧电子讯1965年时任仙童半导体公司研究开发实验室主任的摩尔应邀为《电子学》杂志35周年专刊写了一篇观察评论报告,题目是:“让集成电路填满更多的元件”。在摩尔开始绘制数据时,发现了一个惊人的趋势:每个新芯片大体上包含其前任两倍的容量,每个芯片的产生都是在前一个芯片产生后的18-24个月内。摩尔的观察资料,就是现在所谓的摩尔定律。与摩尔定律相对应,Intel公司的CPU芯片也具有一个规律,它的时钟频率大约每两年就要加倍。i486处理器工作于25MHz,而奔腾4处理器的速度达3GHz以上。数十亿晶体管处理器的处理速度可达20GHz。随着处理器等芯片的晶体管数量和速度的提升,为了解决功耗、散热等问题发明了很多新材料和新结构。同时,互连封装技术也在迅速发展,当前,3D封装已经广泛应用于部分消费类电子产品中。


前言


● 高速PCB不同种类的电源平面分割后,如何处理直流压降过大?

● 大电流平面的缝合过孔是不是越多越好?

● 去耦电容是使用相同容量的电容并联,还是使用多个不同容量的电容并联?

● 去耦电容的数量是否是越多越好,如何通过控制电容数量来节约成本?


电子产品发展趋势


1965年时任仙童半导体公司研究开发实验室主任的摩尔应邀为《电子学》杂志35周年专刊写了一篇观察评论报告,题目是:“让集成电路填满更多的元件”。在摩尔开始绘制数据时,发现了一个惊人的趋势:每个新芯片大体上包含其前任两倍的容量,每个芯片的产生都是在前一个芯片产生后的18-24个月内。摩尔的观察资料,就是现在所谓的摩尔定律。与摩尔定律相对应,Intel公司的CPU芯片也具有一个规律,它的时钟频率大约每两年就要加倍。i486处理器工作于25MHz,而奔腾4处理器的速度达3GHz以上。数十亿晶体管处理器的处理速度可达20GHz。随着处理器等芯片的晶体管数量和速度的提升,为了解决功耗、散热等问题发明了很多新材料和新结构。同时,互连封装技术也在迅速发展,当前,3D封装已经广泛应用于部分消费类电子产品中。


摩尔定律作为电子制造产业链的金科玉律,一直屹立于科技发展的前沿,给整个电子制造产业链指明了非常明晰的发展方向,可谓厚泽万物。电子产业在摩尔定律的驱动下,产品的功能越来越强,集成度越来越高,信号的速率越来越快,产品的研发周期也越来越短。


高速电路电源完整性设计面临的挑战


集成电路沿摩尔定律发展的趋势为当代电子系统的电源分配网络(PDN)设计与电源完整性(PI)分析提出了日益严峻的挑战:


1.低电压供电的芯片集成度越来越高


电压越低,每个器件引脚上需要的电流就越大,就会导致直流压降越大;电压越低,控制压降的要求就越严,典型的电压要求通常为±5%,这就意味着允许的直流压降更小。器件集成度越高,集成电路周围的走线就会越密,从而导致电源网络中的电流密度更高,直流压降也更大。


2.PCB设计向高速高密度发展


目前,PCB上的空间越来越小,信号走线越来越密,没有多少地方可实现宽敞的电源平面。这样的结果是,电源平面和地平面都会被其他网络过孔周围的反焊盘所穿透,如下图所示。由于层面有很多孔洞,显然可供电流流动的路径就会变得更细,因此,电源平面的电阻就会变得更大,导致直流压降也更大。


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3.PDN去耦电容优化难度增加


电源的PDN系统要求每个系统元件都能得到正常工作电压,那么就要对电源进行阻抗控制。只要电源阻抗控制在目标阻抗以下,那么电压传输就会有一个良好的性能保障。而实际设计中,PDN上连接了种类数量众多的各种去耦电容器,它们是PDN最重要的组成部分,几乎就决定了PDN的质量。PDN能有效地抑制噪声到底需要多少个电容?这些电容放置在哪?怎么安装?如何在保证电源良好的性能基础上,通过删减电容来减轻PCB布局的紧张,进而还能节约设计成本是电源完整性分析的一大挑战。


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4.大电流下的电热协同分析


随着芯片的集成度越来越高,芯片电源的供电电流越来越大,无源链路上产生的功率损耗也越来越大。此部分的损耗会以热的方式呈现出来,从而导致热设计风险,同时无源链路也会受到温度的影响,所以大电流下的电热协同分析就显得特别重要。


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综上所述,目前高速电路电源完整性面临着低电压供电的芯片集成度越来越高,PCB设计向高速高密度发展,PDN去耦电容优化难度增加,大电流下的电热协同分析等各种挑战。为了能够保证系统的稳定运行,为芯片提供稳定的电源和电流,提高电源质量,降低系统的总体电源阻抗,提高产品的可靠性和稳定性。芯和半导体推出了全面的电源完整性仿真分析解决方案Hermes PSI。


芯和半导体高速电路电源完整性解决方案


Hermes PSI是一款面向电子产品进行电源完整性分析、信号与电源协同分析、电热协同分析的工具,设计师可利用此工具导入PCB板和封装设计文件以及他们的物理结合,还可帮助设计师进行die和电源调整模块模型结合的端到端的电源完整性频域AC阻抗分析、DC压降分析、时域纹波噪声分析。最终为电子产品提供最佳竞争力的电源完整性解决方案。


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1.DC压降分析


Hermes PSI能够识别PCB/SiP设计中潜在的直流压降等问题。如过多的直流压降,可能会导致IC器件出现故障。还有过高的电流密度或过大的过孔电流,可能会导致PCB/SiP的损坏。所有的仿真结果都可以通过图形化的方式查看,同时也能够生成仿真报告,这些都将帮忙工程师快速定位电源分配的DC问题。


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2.AC频域阻抗分析


Hermes PSI能够帮助设计师优化电源分配网络(PDN),通过AC opt分析可以确定PDN有效地抑制噪声最少需要多少个电容?能够帮助工程师得到最佳性能、最小面积、最小成本的分析结果。


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3.电热协同仿真分析


Hermes PSI能够通过无源链路功率损耗作为热源进行系统热分析,同时系统热分析的温度分布作为无源链路分析的输入,经过多次迭代分析最后达到热平衡。进而得到真正意义上的PCB/SiP电热分析结果。


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总结


本文介绍了高速电路电源完整性设计面临的多种挑战。芯和半导体针对这些挑战,提出了最佳竞争力的电源完整性解决方案,设计者可以轻松实现PCB/SiP设计的DC压降分析、AC频域阻抗分析、电热协同仿真分析等,帮助设计者降低了设计冗余,规避潜在风险,缩短了产品开发周期,同时也相应的降低产品成本。


来源:芯和半导体



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