Vishay新款二极管MOSFET具低反向恢复电荷与导通电阻
2015 年 5 月22 日，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布3款新600V EF系列快恢复二极管N沟道高压MOSFET，分别是SiHx21N60EF、SiHx47N60EF以及SiHx70N60EF。这三款器件具备低反向恢复电荷和导通电阻，可提高在工业、电信、计算和可再生能源应用中的可靠性，同时能节省能耗。
今天推出的这些600V快恢复二极管MOSFET采用第二代超级结技术制造，充实了Vishay现有的标准E系列器件，使公司有更多的器件可用于类似移相全桥和LLC半桥的零电压开关(ZVA)/软开关拓扑。
在这些应用里，SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF具有反向恢复电荷(Qrr)比标准MOSFET低十倍的优势，提高了可靠性。这些器件因此能够更快地防止电压击穿，有助于避免直通击穿和热击穿。
21A SiHx21N60EF有四种封装，47A SiHx47N60EF和70A SiHx70N60EF各有两种封装。器件分别具有176mΩ、65mΩ和38mΩ的超低导通电阻和低栅极电荷。这意味着在太阳能逆变器、服务器和通信电源、ATX/Silver box计算机开关电源、焊接设备、UPS、电池充电器和半导体生产设备中的高功率、高频开关应用里，可实现极低的导通和开关损耗。 这些器件能够承受雪崩和换流模式里的高能脉冲，保证通过100%的UIS测试。这些MOSFET符合RoHS，无卤素。
器件规格表：
产品编号
VDS(V)
(最小值)
ID(A)@25°C
RDS(on)(m?)@10V(最大值)
QG(nC)@10V(典型值)
封装
SiHP21N60EF
600
21
176
56
TO-220
SiHB21N60EF
600
21
176
56
TO-263
SiHA21N60EF
600
21
176
56
ThinleadTO-220F
SiHG21N60EF
600
21
176
56
TO-247AC
SiHG47N60EF
600
47
65
152
TO-247AC
SiHW47N60EF
600
47
65
152
TO-247AD
SiHG70N60EF
600
70
38
253
TO-247AC
SiHW70N60EF
600
70
38
253
TO-247AD
