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IRF640中文资料,参数及价格


IRF640热门型号分析


基本参数:

IRF640,采用TO-220AB封装方式。

晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id最大值:18A
电压, Vds最大:200V
开态电阻, Rds(on):0.15ohm
电压@ Rds测量:10V
电压, Vgs最高:4V
功耗:150W
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
功率, Pd:150W

封装类型:TO-220AB
晶体管类型:MOSFET
热阻,结至外壳A:1°C/W
电压Vgs @ Rds on测量:10V
电压, Vds典型值:200V
电流, Id连续:18A
电流, Idm脉冲:72A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th典型值:4V
阈值电压, Vgs th最高:4V

近期货源比较缺货散新的所报参考价区间为1.80元/ pcs ---2.00元/pcs,量少零售参考价格为2.00元/pcs,1000pcs以上参考价格为1.80元/pcs。

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