IRF2807最新报价行情
品牌:IR封装:TO-220IRF2807概述IR的HEXFET功率场效应管IRF2807采用先进的工艺技术制造,具有极低的导通阻抗。IRF2807这种特性,加上快速的转换速率,和以坚固耐用著称的HEXFET设计,使得IRF2807成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。TO-220封装的IRF2807普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用,低热阻和低成本的TO-220封装,使IRF2807得到业内的普遍认可。D2Pak封装的IRF2807适用于贴片安装,比起现有的任何其他贴片封装,可说是功率最高,导通阻抗最低。TO-262是IRF2807的通孔安装版,适合较低端的应用。IRF2807特性
先进的工艺技术
贴片安装(IRF2807S)
低端通孔安装(IRF2807L)
超低导通阻抗
动态dv/dt率
175℃工作温度
快速转换速率
无铅环保
基本参数:晶体管极性:N沟道
漏极电流Id最大值:82A
电压Vds最大:75V
开态电阻,Rds(on):0.013ohm
电压@Rds测量:10V
电压Vgs最高:4V
功耗:150W
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
功率Pd:150W
封装类型:TO-220AB
引脚节距:2.54mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度@电流测量:25°C
满功率温度:25°C
热阻:0.75°C/W
电压Vgs@Rdson测量:10V
电压Vds典型值:75V
电流Id连续:71A
电流Idm脉冲:280A
表面安装器件:通孔安装
通态电阻Rds(on)@Vgs=10V:0.013ohm
阈值电压Vgs(th)典型值:4V