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BAV99BRV/LP:Diodes推出微型高速开关二极管

产品特性:

  • 有助减小电路板尺寸、采用低剖面封装
  • 具备75V、80V及85V的额定击穿电压
  • 总电容性能从2pF到最高4pF

适用范围:

  • 手机、平板电脑和笔记本电脑等


Diodes Incorporated 推出一系列占板面积小、采用低剖面封装的高速开关二极管,有助大幅降低器件数量及电路板面积。新品系列除具备75V、80V及85V的额定击穿电压 (Breakdown Voltage) 外,更采用微型塑料SOT563、DFN1006-3及DFN2020-6封装,以供顾客选择。

这些单二极管、双二极管和双双(串联及共阴极)二极管配置能发挥多种功能,包括交流信号整流、数据线保护、反向电池保护和直流-直流转换,适用于对轻巧和纤薄产品设计有较高要求的手机、平板电脑和笔记本电脑。

该开关二极管系列的总电容性能从2pF到最高4pF,确保把高带宽输入信号的失真或衰减情况减至最少。此外,这些二极管还具备高达85V的击穿电压,可从容应对最强烈的开关电路瞬态峰值。

关键字:BAV99BRV/LP Diodes 开关二极管  本文链接:http://www.cntronics.com/public/art/artinfo/id/80016315 分享到:
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