Triquint推出针对700MHz,LTE基站低成本、高性能低噪放大器
导言：面向LTE基站和类似应用的集成、封装解决方案提供最低的噪声系数，TriQuint开始供应两款表面贴装式封装的低噪声放大器。这批器件采用新封装的砷化镓（GaAs）低噪声放大器在400至2700 MHz应用中提供一流性能。
技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司，开始供应两款表面贴装式封装的低噪声放大器（LNA）TQP3M9036和TQP3M9037的初始样品，为面向基站和类似应用的集成、封装解决方案提供最低的噪声系数。
这些采用TriQuint砷化镓E-pHEMT工艺的新器件，包括工作频率为400至1500 MHz、噪声系数为0.45 dB的TQP3M9036和工作频率为1500至2700 MHz、噪声系数为0.40 dB的TQP3M9037。两款放大器均非常适用于基础设施应用，如蜂窝基站、塔顶放大器（TMA）、小蜂窝无线网络、中继器、700 MHz LTE网络以及使用UHF频谱中“空白信号频谱”（white space）的新兴无线系统。
下页内容：针对700MHz LTE基站低成本、高性能和低噪声的Triquint放大器 关键字：Triquint 噪声放大器 LTE 本文链接：http://www.cntronics.com/public/art/artinfo/id/80018002
