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三菱电机推出最高功率GaN HEMT功率放大器:MGFC50G5867/MGFC47G5867

产品特性：

大功率、高效率
低失真特性

应用范围：

C波段卫星通信地面站

三菱电机株式会社宣布研发出两款用于C波段※1卫星通信地面站※2的GaN HEMT功率放大器：MGFC50G5867 和MGFC47G5867 ，拥有100W和50W的业届最高输出※5功率，样品从2012年1月10日开始提供。

※1 频率4 GHz～8GHz的微波
※2 卫星通信时设置在地面的基站
※3 Gallium Nitride：氮化镓
※4 High Electron Mobility Transistor：高电子迁移率晶体管
※5 截至2011年11月29日，根据本公司调查。在卫星通信地面站用的GaN HEMT中

新产品的特点

1．大功率、高效率有助于功率放大器的小型化

采用耐压性能卓越的GaN，可在40V的高电压下工作
大功率，输出功率分别达到100W（MGFC50G5867）和50W（MGFC47G5867）
高效率，功率附加效率※6达到43%以上
※6 供电功率转换为输出功率时的效率。数值越高，效率越佳。

2．低失真特性有助于提高信号质量

输出功率为40W（46dBm）时IM3※7=－25dBc，实现低失真特性（MGFC50G5867）
※7 Inter Modulation：当2个信号同时输入到放大器时产生的失真现象。数值越低，性能越佳。