PQFN2x2系列:IR推出新款超小型功率MOSFET用于便携设备
产品特性:
- 超小型、高密度、高效率
- 导通电阻极低
应用范围:智能手机、电脑、数码相机、服务器和网络通讯设备
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 扩展其封装系列,推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封装。新的封装采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技术,为一系列的低功耗应用,包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机、笔记本电脑、服务器和网络通讯设备,提供超小型、高密度和高效率的解决方案。
新款的PQFN2x2器件提供20V、25 V和30 V的选择,并带有标准或逻辑水平栅极驱动器。这些器件只需要4平方毫米的占位空间,采用IR最新的低电压N-通道和P-通道硅技术,从而达到极低的导通电阻 (RDS(on)) ,以及等同PQFN3.3x3.3或PQFN5x6封装的高功率密度。
IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示:“IR的新型PQFN2x2器件进一步扩展IR广阔的功率 MOSFET系列,也可以满足我们客户的需求,进一步缩小封装尺寸,并结合基准硅技术。这些新器件拥有超小尺寸和高密度,非常适合于高度数字化内容相关的应用。”
这个PQFN2x2系列包括为负载开关的高侧而优化的P-通道器件,带来一个更简单的驱动解决方案。同时,新器件的厚度少于1 mm,使它们与现有的表面贴装技术兼容,并且拥有行业标准的占位空间,还符合电子产品有害物质限制指令 (RoHS) 。
产品规格
(on)(m?) 在4.5V下典型/最大RDS
(on)(m?) 在2.5V下典型/最大RDS
(on)(m?) IRFHS9301 单一 -30 -20 30/37 48/60 - IRLHS2242 单一 -20 -12
- 25/31 43 / 53 IRLHS6242 单一 +20 +12
- 9.4/11.7 12.4/15.5 IRLHS6342 单一 +30 +12 - 12 / 16 15 /20 IRFHS8242 单一 +25 +20 10/13 17 / 21 - IRFHS8342 单一 +30 +20 13/16
20 / 25 -