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40V OptiMOS T2:英飞凌新推汽车电源MOSFET系列产品


近日消息,英飞凌科技(Infineon)于日前宣布推出采用 TO 无铅封装的汽车电源 MOSFET 系列产品。

OtpiMOS T2 为业界率先采用 TO 无铅封装的车用电源 MOSFET,系列产品包括IPB160N04S4-02D ( 160A, TO-263 封装)、IPB100N04S4-02D (100A, TO-263)、 IPP100N04S4-03D (100A, TO-220) 以及 IPI100N04S4-03D (100A, TO-262) 皆已上市。

新型 40V OptiMOS T2 MOSFET 结合创新的封装技术及英飞凌的薄晶圆制程技术。据英飞凌表示,其MOSFET 新系列产品超越了现行欧盟 RoHS 对于含铅焊锡封装的规范。

英飞凌采用扩散焊接黏晶技术所生产的无铅封装包括TO-220, TO-262 以及 TO-263。由于封装几何方面对于晶粒焊垫厚度与晶片尺寸的特殊要求,现今扩散焊接粘晶技术仅适用于上述三种英飞凌所提供的封装形式,OptiMOS T2 系列产品的量产已准备就绪。

英飞凌指出,更严格的 ELV RoHS 标准可能将于 2014年施行,届时将要求采用完全无铅的封装方式。作为业界首款无铅封装 MOSFET,英飞凌的新产品让客户满足更严格的要求。

英飞凌专利的无铅黏晶 (die attach) 技术采用扩散焊接,可提升电性与散热表现、可制造性以及品质。此黏晶技术搭配英飞凌的薄晶圆制程(60μm,标准为 175μm),可实现不使用铅及其他有毒物质的环保产品,并大幅降低封装的导通电阻值 RDS(ON)。

另外,热阻 (RthJC) 改善率高达 40- 50%。英飞凌表示,传统软铅焊料的热传导能力不佳,阻碍了MOSFET 接面之散热,而新元件则大幅改良了热阻。其他优点还包括:由于没有焊锡流迹 (Bleed-out) 及晶片倾斜 (Chip tiltness)的问题,以及更收敛的RDS(on) 与 RthJC 分布,提供了更佳的可制造性。降低产品内的机电应力,也提升了产品可靠性和品质。

从新款 OptiMOS T2 40V (如:IPB160N04S4-02D,160A) 的规格得知,其 RDS(on) 仅 2.0mΩ 且 RthJC 仅 0.9K/W。相较于使用标准铅焊接的同类产品,其导通电阻降低了约20% 。此外,英飞凌专利的扩散焊接技术可减少「晶片至导线架」的热阻抗,让新型 OptiMOS T2 产品拥有同级产品中最佳效能。

OtpiMOS T2产品特性:

  • 采用TO 无铅封装
  • 采用扩散焊接黏晶技术
  • 提升电性与散热表现
  • 大幅降低封装的导通电阻值

OtpiMOS T2应用范围:

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