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NP110NXXPUJ:NEC低电压PowerMOSFET系列

产品特点:

  • 新产品采用NEC电子的SuperJunction技术
  • 可最小化开关损耗并提高系统效率
  • SuperJunction技术可减少超过30%的栅电荷和输入电容
  • 保持极低的导通电阻
应用范围:
  • 适用于高效率大电流开关应用
  • 汽车工程中的EPS(电子动力转向)或ABS
  • 低电压工业驱动技术中的叉车驱动或其他由电池驱动的设备

近日,NEC电子(欧洲)推出两款新品NP110N04PUJ和NP110N055PUJ,以扩展其低电压PowerMOSFET系列产品。新产品采用NEC电子的SuperJunction技术,具有杰出的优值系数(FOM),可最小化开关损耗并提高系统效率。

与UMOS-4沟道技术相比,SuperJunction技术可减少超过30%的栅电荷和输入电容,同时保持极低的导通电阻RDS(on)。该技术通过在沟道单元的有源P-阱下面增加P型掺杂区域来提高掺杂度,从而降低N型外延层的电阻。这意味着在导通电阻不变的情况下可增加设计规则的宽度,从而降低栅电荷。

目前,新产品采用流行的D2PAK封装将四个元件封装于内,漏源电压为40V和55V,并准备量产。NP110N04PUJ和NP110N055PUJ的栅电荷仅为150 nC,导通电阻RDS(on)分别为1.8 mΩ和2.4 mΩ。和NP系列的其他产品一样,新产品符合AEC-Q101资质,最高通道温度为175℃,纯锡电镀引脚完全符合RoHS要求。

采用SuperJunction技术的PowerMOSFET产品NP110N04PUJ和NP110N055PUJ适用于高效率大电流开关应用,包括汽车工程中的EPS(电子动力转向)或ABS,低电压工业驱动技术中的叉车驱动或其他由电池驱动的设备。

 

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